基于最优梯度法MPPT的单相光伏并网逆变器设计

光伏并网发电是新能源发展的趋势。目前单相光伏并网过程中存在能量利用率低、电流谐波量大等缺点,且逆变器体积较大、价格昂贵。本文介绍的单相光伏并网逆变器系统在DC/DC变换部分利用LLC谐振半桥电路代替传统的BOOST电路,有效的降低了开关管功耗和噪声,并采用最优梯度法实现了最大功率点跟踪。     

英飞凌650V混合SiC IGBT单管助力户用光伏逆变器提频增效

1、前言户用光伏每年装机都在高速增长,单相光伏逆变器功率范围基本在3~10kW,系统电路示意框图如图1所示,从光伏电池板经过逆变器中DC/DC,DC/AC电路实现绿电的能量转换,英飞凌能提供一站式半导体解决方案包括650V功率器件、无核变压器CT技术驱动IC、主控制MCU和电源管理芯片等。     

基于升降压斩波电路的三相DC/AC逆变器研究

为了解决常用的逆变器所带来的问题,我们提出一种新型的带升降压功能的三相DC/AC变换器拓扑,并介绍了其工作原理。借助于PSIM仿真软件,对单相和三相电路进行了仿真研究,提出了由单相组成三相电压输出的构成方法。在列出仿真参数的前提下,给出了负载电压,负载电流以及调制给定电压和逆变器输出电压的仿真结果。仿真结果表明三相DC/AC逆变器可以实现50 kHz高频功率变换下宽输入电压范围工频逆变输出,证明了理论分析的正确性。     

小功率车载逆变电源的设计

随着汽车的普及以及储能技术的发展,车载电源的优化也越来越受关注。此设计通过采用DC/DC变换器和DC/AC逆变器两级结构,移相控制方式逆变器,以及对 DSP2812芯片采用软件编程,使产生SPWM移相控制信号作为电路驱动,结合适当的保护电路,将较市场常见车载逆变电路效率提升25%左右。通过MULTISIM,MATLAB仿真和实物测试,实现了提供车载220 V电压的功能。     

基于STC系列单片机的单向高频链逆变器设计

提出了一种基于STC系列单片机的单向高频链逆变器的设计。设计中采用了DC/DC和DC/AC两级变换形式;两级变换电路的控制电路均由STC单片机产生。电路具有结构和控制方法简单、噪声小、转换效率高等优点。通过实验结果验证了设计的正确性。     

微型降压式DC/DC模块LTM46OO

一般的DC/DC变换器集成电路由控制器、MOSFET开关管及一些功能电路组成.近年来,DC/DC变换器采用了同步整流技术,又集成了同步整流的MOSFET.凌特公司最近开发出一种微型降压式DC/DC模块,它不仅集成了控制器、开关及同步整流MOSFET及各种功能电路,并且还把可输出10A电流的电感器、软启动电容器做在一个贴片式IC中,外部只要接上输入、输出电容器及一个设定输出电压的电阻就成为完整的DC/DC模块电源.本文介绍这种微型DC/DC模块LTM4600及其应用电路.     

1.5kW户用光伏高频逆变器研制

分析了一种具有中间储能环节的高频隔离逆变拓扑结构,该电路能实现前后级解耦,适用于光伏发电系统。前级DC/DC高频升压电路基于有限双极性调制,实现升压功能;后级采用双极性SPWM逆变技术,结合电压平均值反馈使输出电压稳定。详细介绍了高频变压器和LC滤波电路的设计方法,最后搭建了1.5k W高频逆变实验平台,实验结果显示,逆变器具有输出电压稳定,波形畸变小等优点。     

基于交错反激的光伏控制器及其控制策略的研究

传统的两级式微型逆变器高频DC/DC变换器通常采用单反激式变换器,它具有电路结构简单的优点,但其功率却受到变压器铁心磁状态限制,难以应用在高于100瓦的场合。因此提出使用将交错并联反激电路应用在两级式微型逆变器中,其与单反激式电路相比较具有输出功率翻倍,输出电流脉动小,直流母线输出电压纹波小的优点,并且同样具有电路结构简单,容易做最大功率点跟踪的优点。最后通过matlab/simulink进行仿真实验,使用不对称模糊控制进行最大功率点跟踪进行验证,该电路能够应用在200W的微型逆变器中,并且在光照变化的条件下,能够在0.0005s内跟踪到最大功率点。     

输入滤波对直流分布式电源系统稳定性影响的研究

分布式供电直流变换器与逆变器级联系统具有很强的时变和非线性特性,级联式DC/DC变换器的稳定性是分布式供电系统中的重要问题。文中重点以DC/DC变换器与DC/AC逆变器连接为例分析逆变器输入滤波对系统稳定性的影响。通过实验验证,在逆变器侧串联LC滤波器,利于系统稳定。     

光伏并网逆变器的设计

基于光伏并网逆变器的基本原理和控制策略,设计了并网型逆变器的结构,其采用了内置高频变压器的前后两级结构,即前级DC／DC高频升压,后级DC／AC工频逆变。该设计模式具有电路简单、性能稳定、转换效率高等优点。     

Wireless communications + + +

Commencing with the advancements that may be expected in 3G during the first decade of this century, we move on to anticipate subsequent developments based on what society might need and the technologies that may be required. The near demise of mobile satellite networks and removal of radio broadcasting from potential mobile radio bands will provide the necessary bandwidth for high capacity, high quality multimedia mobile services utilising a dense concentration of fibre networks coupled to radio cells of all sizes. The integration of many factors from high aerial platforms (haps) (that are located in the stratosphere and from terrestrial cells that can be adjusted in size and moved instantly to suit teletraffic changes) to picocells, body-LANs to the fixed network, software agents to soft telecommunications, will be discussed. Finally the possibility of our networks metamorphosing into a global brain, and how man-kind might adapt to this supra-intelligence will be addressed.     

BF_2~+,F~+ +B~+和Ar~++B~+注入硅快速退火剩余损伤及对浅P~+N结的影响(英文)

The residual damage is analysed by transmission electron microscopy (TEM) for BF2+, F+ + B+ and Ar+ + B+ implanted silicon after rapid thermal annealing(RTA). And the reverse leakage current of the implanted diodes is measured using a FJ-356 electrometer. The results show that 1 ) The residual damage due to BF2+ implantation is less than that of F+ + B + and Ar++ B+ implantation. 2) The reverse leakage current of BF2+ implanted diodes is less than that of F+ + B+ and Ar++ B + implanted diodes. 3) The reverse leakage current of F++B+ and Ar++ B+ implanted diodes increases with the increase of F+ and Ar+ energies, respectively. Therefore the physical behaviour of the interaction between molecular ion and silicon is different from that of the interaction between individual atom ion and silicon.     

p+-n-p+ BARITT-diode design

p+-n-p+ BARITT diodes have been designed to give maximum output power at X band frequencies. Computed output power against frequency shows good agreement with measured powers. The dominant effect of the maximum n region electric field on output power is demonstrated.     

C／C＋＋TEST

C++Test是来自于ParasSoft公司的用于C及C++单元测试的新工具,它使得发现和修改以前会迅速扩展并蔓延成更严重问题的错误变得更容易和有效.使用C++Test工具是完全自动化的,为了更快的测试,只需在文件中依次点击C++Test的打开、建立,就会完成测试.为了进行完整的测试,可以修改测试参数以使C++Test自动完成白盒、黑盒及逆向测试. 白盒测试用于测试代码结构.C++Test通过自动产生并运行测试用例,当它们接受不可预知输入时来检查文件、类、方法的行为.     

TVPON＋TVPCN＋EPON＋EPCN技术的实践应用

利用TVPON＋TVPCN＋EPON＋EPCN技术在有线广播电视网络中的完美结合,既实现了传统的广播式大容量信息的下行传输,又实现了互联网接入的双向宽带功能,并对接入网中的有源设备进行全程全网管理。     

Small-signal noise behaviour of companion p+-n-p+ and p+-n-v-p+ punchthrough microwave diodes

The frequency and current dependence of the noise factor of tuned microwave amplifiers, utilising punchthrough injection transit-time diodes, has been determined. Noise factors as low as 10 and 11 dB were obtained from companion p+-n-p+ and p+-n-v-p+ structures, respectively, when tuned to frequencies in the vicinity of 7.5 GHz.     

半绝缘GaAs中Mg~++P~+双注入研究

本文对Mg~+和P~+双离子注入半绝缘GaAs的行为进行了研究.发现不论是常规热退火还是快速热退火,共P~+注入都能有效地提高注入Mg杂质的电激活率,其效果优于共As~+注入,共P~+注入的最佳条件是其剂量与Mg~+离子剂量相同,电化学C—V测量表明,双注入样品中空穴分布与理论计算值接近,而单注入样品中则发生严重偏离,快速热退火较常规热退火更有利于消除注入损伤.     

F2+uF2+…+ukF2环上的循环码

在有限环F2＋uF2＋…＋u^k F2与F2之间定义一个新的Gray映射，证明了该映射是距离保持映射。考察了F2＋uF2＋…＋u^k F2环上循环码，得到了F2＋uF2＋…＋u^k F2环上循环码的生成多项式。最后，证明了F2＋uF2＋…＋u^k F2环上循环码在新定义的Gray映射下的像是F2上的准循环码。     

Experimental comparison of silicon p+-n-p+ and Cr-n-p+ transit-time oscillators

Punchthrough transit-time diodes have been constructed with both Schottky-barrier and diffused-junction emitters. The microwave and d.c. characteristics of these devices are strikingly similar. Either construction technique appears to be suitable for the future development of low-noise microwave sources.     

环F2+uF2+vF2+uvF2上(1+uv)-循环码

该文定义了有限非链环R=F2+uF2+vF2+uvF2上(1+uv)-循环码的相关概念,讨论了其与该环上循环码的关系,证明了此环上(1+uv)-循环码在关于齐次重量的等距Gray映射hom下的二元象是一个长为8n的4-准循环码, 并由此映射得到了一些好的二元线性准循环码。