L波段低噪声放大器的设计

文章阐述了低噪声放大器的一部分主要技术指标,通过对电路设计中应该注意的诸多要点分析了此类高频微带电路的复杂结构和形式,介绍了利用微波工作室软件,对GaAs场效应管S参数中增益和噪声系数等参数进行了分析并设计了两级低噪声放大器,并对电路进行模拟和优化,通过电路调试,软件修正,得到最终电路设计,从最终的测试结果可以看出该放大器具有良好的射频性能,已经达到了预定的技术指标。     

S波段低噪声放大器的分析与设计

介绍了S波段低噪声放大器（LNA）的设计原理和流程。对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响，并针对这些因素进行了软件仿真计算，最后给出了放大器的仿真结果和最终的微带电路。放大器设计为两极结构，采用GaAsFET器件和双电源电路设计形式，达到了预定的技术指标，工作带宽2．0～4．0GHz，增益G〉22dB，噪声系数NF〈0．7dB。     

X波段低噪声放大器设计

针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz～9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。     

基于ADS的X波段低噪声放大器的设计与仿真

主要介绍了低噪声放大器的设计理论及用Agilent公司的ADS仿真软件进行X波段低噪声放大器的设计和仿真。在设计的过程中选择了NEC公司的HEMT管NE3210S01,HEMT管与FET相比较,其噪声系数更低,增益和工作频率更高。进行阻抗匹配采用的拓扑结构是并联导纳式结构,即利用串联微带传输线进行导纳变换,然后并联一个微带分支线,微带线的终端开路(或短路),用其输入导纳作为补偿电纳,以达到电路匹配。最后给出了仿真结果、版图设计及实测结果。     

X波段宽带单片低噪声放大器

从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。     

低噪声放大器的设计与仿真

论述了在射频电路仿真软件ADS中实现低噪声放大器的整个设计过程,包括低噪声放大器的晶体管的选取、输入输出匹配网络设计以及实现形式等.结合版图与系统结构框图,论述该设计的微调小岛与扇形开路支节等结构应用,同时指出结构尺寸设计的理论依据.最终以图形方式给出满足指标要求的设计结果.     

C波段低噪声放大器的设计

介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5～6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0.8dB,输出P-1≥10dBm,噪声系数NF≤1.0dB,输入驻波比≤1.2:1,输出驻波比≤1.2:1.     

L波段低噪声放大器的设计

本文首先介绍了低噪声放大器的设计方法以及采用源极串联负反馈提高晶体管稳定性的原理,然后使用该方法设计了一个L波段低噪声放大器。仿真结果表明该放大器的噪声系数小于1dB,增益大于30dB。     

宽带CMOS低噪声放大器的设计

文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。     

X波段低噪声放大器设计分析

针对通信系统中信噪比的改善问题,分析了低噪声放大器的电路形式,确定了器件的选取方法,阐述了低噪声放大器的设计思路,介绍了使用ADS软件进行X波段低噪声放大器的设计。利用Fujits公司的FHX13X和Transcom公司的TC1201,两级级联,并对电路进行仿真和优化,判定放大器的稳定性。通过软件修正得到最终电路设计,经过最终数据分析,总结设计过程中的关键技术。     

Co-design method for dual-band low-noise amplifier and band-pass filter

A simple method for the design of two-dimensional circularly symmetric recursive digital filters is presented. This method makes use of a one-dimensional analogue filter and an additional zero-phase polynomial in the numerator to approximate a desired magnitude response. The number of coefficients required to be optimized is reduced and the stability of the filter can be guaranteed. Generally, moderately precise filters can be obtained using this design method.     

基于ADS的微波低噪声放大器的设计与仿真

低噪声放大器包括输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络.微波晶体管放大器是设计中的核心部分.根据低噪声放大器设计的原理,提出技术指标要求,设计一个5GHz单级低噪声放大器,经过技术指标分析,采用Fujitsu公司的FHX35LG型HEMT场效应管晶体管.阐述了如何利用Agilent公司的ADS软件进行分析和优化设...     

1V高线性度2.4GHz CMOS低噪声放大器

讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术.使用Chartered 0.25μm RF CMOS 工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA.后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,反射参数S11、S12、S22分别为 -20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB压缩点为-13.0dBm,三阶交调点IIP3为-0.06dBm,消耗的电流为8.19mA.     

X波段高性能低噪声放大器的设计与实现

设计并实现了一种适用于X波段(11~12 GHz)的高性能低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器选用Ga As FET(MGF4941AL)低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件ADS仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明,低噪声放大器在11~12 GHz工作频带内的噪声系数小于2dB,输入/输出驻波比(VSWR)小于2,功率增益大于30 d B,增益平坦度小于1.5 d B,适用于X波段接收机前端。     

C波段低噪声放大器的仿真设计

基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的,本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终...     

2-4GHz波段低噪声放大器的仿真设计

利用pHEMT工艺设计了一个2-4GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配．通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计。最终使得该LNA在2-4GHz波段内增益大于20dB,噪声小于1-2dB,输出电压驻波比小于2,达到了设计指标的要求。     

超宽带低噪声放大器仿真设计

采用负反馈技术和集总参数匹配技术,选用VMMK-1218低噪声E-PHEMT晶体管,利用ADS进行仿真优化,设计了一种微波超宽带低噪声放大器。仿真结果显示,在0.5~4.5GHz范围内,放大器增益大于14.2 dB,平坦度小于1.1 dB,噪声系数小于0.85 dB,输入输出反射系数均小于-11 dB。设计结果可应用于各种宽带微波通信及雷达等领域。