高纯MoSi2粉体的高温自蔓延燃烧合成

以Mo粉和Si粉为原料,以NH4Cl为添加剂,通过自蔓延高温燃烧合成(SHS)的方法制备了高纯度的MoSi2材料.化学分析、荧光半定量分析和感应耦合等离子光谱仪(ICP-AES)分析结果表明,添加剂NH4Cl的加入能够对自蔓延燃烧合成的MoSi2粉体起到明显的净化效果.并通过XRD和SEM对燃烧合成产物的物相组成和形貌进行了分析,发现NH4Cl的加入对合成产物的物相组成没有明显影响,但可以大大降低合成产物的晶粒尺寸和团聚程度.     

放电辅助机械合金化快速合成Ti(C,N)粉体(英文)

利用机械合金化方法以Ti粉、石墨粉为原料,采用行星式球磨机在高纯氮气气氛下制备出Ti(C,N)粉体。研究放电处理对机械合金化1～7h试样的相变及显微组织的影响。实验结果表明:球磨1h后的样品在放电辅助下合成了Ti(C,N)粉体;而仅采用机械合金化方法,球磨7h不能合成Ti(C,N)粉体。放电处理产生的等离子体作用于粉体上,提高了原子间的扩散速度和Ti(C,N)在球磨粉体表面的形核速度,这是加速Ti(C,N)合成的主要原因。两种合成方法都遵循机械诱发自蔓延反应机制。     

提高二硅化钼发热体力学性能和高温塑性的研究

从二硅化钼合成、粉料粒度、添加剂选择、烧结工艺等方面研究提高二硅化钼发热体的力学性能和高温塑性。     

自蔓延高温合成法制备粉体的研究进展

概述了自蔓延高温合成的基本原理以及自蔓延高温合成法制备粉体的工艺流程;综述了自蔓延高温合成法在制备氮化物、碳化物、硼化物、复合粉体和铁氧体粉体的研究进展,并指出采用该法制备粉体的研究方向。     

二硅化钼电热元件在热处理炉中的应用

二硅化钼电热元件在热处理炉中的应用浙江长兴高温元件电炉厂（浙江长兴３１３１００）李锦桥二硅化钼电热元件（以下简称元件）是由高纯硅、钼采用陶瓷工艺制造的特种功能陶瓷元件，在氧化气氛的高温下工作时表面生长出致密的ＳｉＯ２保护膜，具有优良的抗氧化性能，主要...     

CuIn0.7Ga0.3Se2粉末的自蔓延高温合成

以Cu,In,Ga,Se单质为原料用自蔓延高温合成法制备CuIn0.7Ga0.3Se2粉末.通过X射线衍射、光电子能谱、能量散射X射线分析、激光拉曼光谱等分析方法对产物的组成、结构和成分进行表征.结果表明,反应物投料比例,合成气氛压力等因素对合成产物化学计量配比有显著的影响.利用自蔓延高温合成方法可以获得精确化学计量配比、单相黄铜矿结构的CuIn0.7Ga0.3Se2.     

机械合金化和自蔓延高温合成MoSi2粉末的烧结工艺研究

将机械合金化（MA）和自蔓延高温合成方法（SHS）制得的MoSi2粉末进行烧结,研究了两种粉末压块的烧结工艺。结果表明,在烧结时间一定的情况下,MA粉末压块比SHS粉末压块烧结后所达到的相对密度高,而烧结温度略低50℃左右;在烧结温度一定的情况下,两种粉末压块的相对密度随时间的变化都不大,以1-1.5h为宜。     

自蔓延高温合成La0.67Sr0.33MnO3-δ粉体的烧结性能

利用自蔓延高温合成技术合成La1-xSrxMnO3-δ粉体,探讨了自蔓延合成工艺(SHS)对粉体结构、放电等离子体(SPS)烧结和普通烧结对La1-xSrxMnO3-δ粉体烧结性能和陶瓷显微结构的影响.XRD、SEM和密度测试结果表明,由SHS法合成的产物结构为单一的钙钛矿型结构;SPS烧结与传统的固相烧结法相比:SPS烧结大大降低了烧结温度,烧结后的晶粒大小基本均匀,烧结体致密度高.经过CMR效应的测量得出,采用SPS烧结的样品相对于普通烧结的样品,居里温度明显提高,同时,CMR效应有所增大.     

二硅化钼材料在CO和N2混合气氛条件下使用时的破坏机理

考察了二硅化钼电热材料在CO和N2混合气氛条件下使用破坏机理.结果表明,在这种非氧化气份条件下,二硅化钼材料表面很难生成氧化物保护膜;二硅化钼材料表面发生脱硅反应,生成低硅化物,甚至MoC,在表面形成变质层.在频繁的升降温过程中,由于表面变质层与基体的热膨胀系数不同,发生剥落.从而导致二硅化钼材料在这种特出气氛条件下使用寿命的降低.     

喷涂粉末对MoSi_2涂层结构的影响

以自蔓延合成MoSi2粉末和团聚体MoSi2粉末为喷涂原料,采用大气等离子喷涂技术,在K403镍基合金表面制备了二硅化钼涂层,考察了两种喷涂用粉末对MoSi2涂层的相组成和微观组织的影响。结果表明,自蔓延合成粉末制备的MoSi2涂层含有较多的Mo5Si3和Mo相,不利于涂层的抗氧化性能;采用团聚体粉末为喷涂原料,可制备出含有少量的Mo5Si3相和Mo相且致密性较好的MoSi2涂层。