Fe-Si-Al合金的正电子湮没研究

Fe-Si-Al合金具有优异的磁性能,已知它是一种在冷却过程中含有有序-无序转变的材料,当Fe_3Si_(1-x)Al_x的原子化学配比变化时出现两种有序结构:B_2型和DO_3型,如x<0.5,则转变顺序为α-DO_3型,它的临界转变温度为1050℃,有序度与热处理温度关系甚大。为了观察该合金空位对有序过程的影响,材料经高温固溶处理后在临界转变温度下于不同温度淬火,然后测湮没辐射多普勒展宽谱。     

Fe-Ni合金马氏体相变缺陷的正电子湮没研究

我们对含Ni量28～37wt.％的十一种合金的马氏体相变进行了研究。 加工态合金(变形量>60％)经液氮淬火后,正电子平均寿命τ和S参数值不变。因为冷加工产生的缺陷对正电子的捕获已达到饱和。     

水结构的正电子湮没研究

正电子及正电子素在水和冰中湮没的实验结果显示出冰人有相同的电子结构，由水分子结构提出了水分子在氢键作用下生成３－水分子集团，这个基团的范德瓦尔斯散力的作用下生成宏观水，水的这个结构模型不但解释了正电子在水和冰中湮没的实验结果，与水的能态图相一致，而且得到了原力显微镜（ＡＦＭ）对水层结构观测的支持。     

半导体中的正电子湮没研究

根据Brandt-Reinheimer模型,用一个与禁带宽度有关的增强因子f(r_i,E_g)来考虑半导体中出现的禁带,而与正电子发生湮没的价电子,则仍然被当作自由电子气,得到半导体中正电子湮没的寿命:     

氧化物中正电子湮没特性的研究

我们测定了不同价态和化学性质差异较大的Fe_2O_3、CuO、Al_2O_3、ZnO、TiO_2、BaO、     

金属与合金的高温正电子湮没特性测量

回顾了正电子湮没热平衡测量的主要研究工作，讨论了β＾＋－γ正电子寿命谱测量装置的原理和应用，并介绍了β＾＋－γ寿命谱仪的发展过程及今后的发展趋势。     

非晶态FeCuNbSiB系合金结构缺陷的正电子湮没研究

通过测量不同温度下退火的非晶合金Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９和Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ１．５Ｓｉ１３．５Ｂ９的正电子湮没有寿命谱，配合Ｘ射线衍射分析，研究了非晶合金结构缺陷随退火温度的变化。结果表明，非晶合金中存在两种类型的自由体积。正电子湮没有寿命随样品退火温度的变化曲线对应着结构弛豫，局域晶化和完全晶化阶段。     

高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响

从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。     

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱分析

硅橡胶是一种特种橡胶材料,用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析,第一寿命τ_1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果;第二寿命τ_2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果,第三寿命τ_2应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。     

正电子湮没对研究热平衡点缺陷的应用

根据有关理论,在热平衡下单、双空位浓度C_(1v)、C_(2v)之间的关系为C_(2v)=1/2+Zexp(ΔS_(2v)K)exp(H_v~B/KT)(C_(1v))~2ΔS_(2v)是双空位间的组合熵。若不考虑三空位和更多空位的成团,则晶体内总空位浓度为C_v′=C_(1v)+2C_(2v)。假定晶体内还存在点缺陷(如某种间隙),由推导可得     

电子辐照Ni_3Al的正电子湮没研究

Ni_3Al是一种金属间化合物,其结构与有序合金Cu_3Au相同,是Ni基超耐热合金的主要强化相。在室温,成分范围为72.5～77at.％,化合比两侧形成替代式固溶体。理想成分的Ni_3Al,到接近熔点附近仍保持有序结构。     

用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP

用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。     

等离子体表面处理的正电子湮没研究

本文将正电子湮没技术用于等离子体喷涂的研究。测量了等离子体喷涂合金的缺陷以及缺陷的退火效应，观察到了正电子寿命的一些异常现象。     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

纳米材料与C60的正电子湮没研究

综述了纳米材料与Ｃ６０的主要结构特征，良好的物理性能以及使用正电子湮没方法的一些研究工作，如研究纳米材料的界面结构，热稳定性和压力效应，测量Ｃ６０的正电子寿命，指出了用正电子湮没研究这两类材料的意义及目前存在的一些问题。