CMOS硅集成压力传感器

首次研制出了CMOS硅膜压力传感器。它包括有一个四臂压阻桥电路,一个放大器和一个新设计的桥式激励电路。这种电路是用来稳定由温度和电源电压的变化引起的敏感度变化的。制作传感器采用的是自对准双层多晶硅栅p阱CMOS工艺和一种电化学腐蚀终止技术,用N_2H_4·H_2O各向异性腐蚀剂来形成薄的方形膜。为了尽量减少热应力,制作好的硅片是用静电方法粘附在玻璃板上的。在0～70℃范围内的压力敏感度为1V/kg/cm~2,敏感度漂移小于±0.5,失调电压漂移小于±5mV。使用新的激励技术后,当电源电压变化为±10％时,敏感度变化小于±1.5％。     

具有脉宽调制输出的CMOS集成流量传感器

本文介绍一种数字化输出的集成流量传感器,传感器由温敏元件、加热元件和触发器组成,电路连接使得传感器工作在加热和冷却的振荡状态,产生方波输出,其脉冲宽度用作为流速的量度。该传感器由通用的CMOS工艺制成。     

MOS集成硅压力传感器

一种MOS集成硅膜片压力传感器已研制成功,它包括在半桥电路中的二个压敏电阻和一个带有单端 N M O S 运算放大器的新型简单的信号调节电路。半桥上压力敏感度的负温度系数由带有温度敏感集成反馈电阻的变增益放大器的正温度系数来补偿。除了膜片的构成采用了 N_2H_4·H_2O 各向异性蚀刻剂以外,这一传感器采用标准的 IC 工艺制成。它采用静电的方法将硅片粘附在一块玻璃板上以减少感生压力。在0～70℃的范围内,半桥上—1750PPm/℃的温度敏感系数在放大器的输出端被补偿至小于+190PPm/℃。在同样的温度范围内,经过了26dB 的放大之后,也获得了小于20m V始端输出偏称量.     

CMOS流量传感器的传热特性分析

对ＣＭＯＳ流量传感器的传热特性进行了分析研究，提出在器件前后端之间采用隔热结构是提高器件灵敏度的一种有效方法，隔热槽长度是传感器灵敏度的关键参数。实验表明当隔热槽长度为１６５μｍ左右时，器件灵敏度最佳。     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～105Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.     

集成三漏CMOS磁敏传感器

本文介绍了一种新颖的集成三漏CMOS磁敏传感器。报道了该传感器的电路原理、版图设计及其研制结果。它具有结构简单、磁灵敏度高和使用方便等特点,且制造工艺与标准铝栅CMOS工艺完全兼容,成本低、易于批量生产,具有高的性能/价格比。     

选择集成硅基光传感器

硅基光探测器在相当多的领域都很有用．它为用户还提供了许多选择．可以通过定制其性能来适应用户的设计 光传感器,也称为光探测器,可以生长在各种不同的衬底上：锗、砷化镓铟、磷化镓以及硅。所有这些光传感器都具有可变的光谱和时间响应及应用功能,但是这类非硅基传感器的应用空间相对较窄,而硅基传感器则广泛适用于医疗、工业及商业等领域。硅基光探测器,比如集成了RGB滤波器的TAOS TCS230色彩传感器,为用户提供了众多选项,以适应其广泛的应用领域。     

CMOS硅风速传感器热性能的分析

给出了一种能同时测量风速和风向的基于CMOS工艺的二维硅风速传感器的工作原理、结构及其热学模型。针对恒温差和恒定功率两种控制方式,建立各自的一维传感器热学模型,并采用有限元分析工具ANSYS/FLOTRAN141分析和比较了不同控制条件下传感器的热性能及其和传感器特征尺寸的关系。最后,通过试验结果验证了模拟的正确性。     

一种新型的CMOS集成湿度传感器

利用MEMS技术，对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论。该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造，采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构，衬底接地，感湿介质采用聚酰亚胺，利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图。接口电路采用开关电容电路，输出可测电压信号，利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系。     

一种新型的CMOS集成湿度传感器

利用MEMS技术 ,对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论。该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造 ,采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构 ,衬底接地 ,感湿介质采用聚酰亚胺 ,利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图。接口电路采用开关电容电路 ,输出可测电压信号 ,利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系     

一种新型的CMOS集成湿度传感器

利用MEMS技术,对一种新型CMOS湿度传感器进行理论分析、模拟以及结果讨论.该湿度传感器采用标准CMOS工艺制造,采用梳状铝电极结构、梳状多晶硅加热结构,衬底接地,感湿介质采用聚酰亚胺,利用商业软件Coventor进行模拟绘制出敏感电容与相对湿度的曲线图.接口电路采用开关电容电路,输出可测电压信号,利用Microsim公司的Pspice模拟电路得到相对湿度与输出电压曲线关系.     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～10^5Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.     

硅集成真空度传感器和加速度传感器的研究

硅集成传感器是目前几年传感器方面发展一个重要趋势.传感器和信息处理可集成在同一芯片上,提高了传感器的灵敏度、信噪比,可靠性,容易实现批量生产,小型化、成本低、而且可直接与控制系统相接、应用方便.利用半导体集成电路工艺手段,光刻技术、掺杂、名向异性、同性腐蚀,各种特殊敏感材料的沉积、涂敷等,形成硅的微机械结构,如:槽、悬梁、薄膜、孔、桥以及沉积和涂敷热敏、压敏、磁敏、光敏、离子敏材料组成各种类型的传感器;压力传感器、加速度传感器;     

硅集成传感器与智能传感系统

一、微电子系统与专用电路(ASIC)超大规模集成是一种能力.其进一步发展取决于应用.围绕微处理器和存储器构成微电子系统及以某一应用为目的专用电路,是最重要的应用.传统的电子产品如电视机电路,手表电路等已趋向饱和,而传统非电子产品的电子化却方兴未艾,品种繁多.这种微电子系统的典型即是信息处理系统.典型的信息处理系统由输入信号转换(即非电能量转换为电能量)、信号处理(如放大、调制、滤波、计算等)及信号输出(如存储、显示、执行、发射等)三部分组成.由于信号处理用的微处理器十分成熟,故微电子系统和专用电路发展的主要关键是输入输出传感器的开发,即接口转换功能的研究.     

集成硅微机械光压力传感器

介绍了一种新颖的集成硅微机械光压力传感器的结构、工作原理、制造工艺和实验结果。该传感器是利用半导体集成电路微细加工技术和各向异性腐蚀相结合的方法，将传输、获取信息的光波导，敏感弹性硅膜和光电探测器集成在一块三维硅基片上得到的。它具有灵敏度高、抗干扰能力强、自身无需电源、防爆、成本低和可靠性高等优点。     

CMOS工艺兼容的单片集成湿度传感器

设计并制备了一个CMOS工艺兼容的集成湿度传感器,将湿度传感器与CMOS测量电路集成在同一芯片上.片上集成的湿度传感器为叉指电容式,感湿介质为聚酰亚胺,本文给出了相应的感湿模型.针对湿度传感器在全量程电容变化量较小的特点,本文采用开关电容电路作为片上微电容测量电路,讨论了电路的原理并给出了模拟结果.芯片采用3μm多晶硅栅标准CMOS工艺进行流水.测量结果表明,片上集成湿度传感器在5～35℃有较好的直流输出特性,并且长时间稳定性良好.     

一种新型CMOS磁敏集成传感器研制成功

借助于计算机辅助设计技术,我们设计并研制出了一种高灵敏度的CMOS磁敏集成传感器,该传感器利用集成电路的制做技术,将结构新颖的磁敏电路与运放电路集成在一个芯片上,使之具有体积小、灵敏度高、功耗低、可靠性强、动态输出范围大,电路性能好的优     

CMOS工艺兼容的单片集成湿度传感器

设计并制备了一个CMOS工艺兼容的集成湿度传感器,将湿度传感器与CMOS测量电路集成在同一芯片上.片上集成的湿度传感器为叉指电容式,感湿介质为聚酰亚胺,本文给出了相应的感湿模型.针对湿度传感器在全量程电容变化量较小的特点,本文采用开关电容电路作为片上微电容测量电路,讨论了电路的原理并给出了模拟结果.芯片采用3μm多晶硅栅标准CMOS工艺进行流水.测量结果表明,片上集成湿度传感器在5～35℃有较好的直流输出特性,并且长时间稳定性良好.     

集成压力传感器研制中的硅杯腐蚀

半导体压力传感器的硅杯是决定其性能优劣的关键结构,它是在芯片背面制造的,图1是压力传感器剖面图.