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烧成条件对长余辉蓄光玻璃光学性能的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
以SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光粉体和低熔点硼硅酸盐玻璃为原料,在一定条件下合成了长余辉蓄光玻璃.研究结果表明,烧成温度和保温时间对该玻璃的发光效果影响较大.温度越高,保温时间越长,由于空气的氧化作用,蓄光玻璃的发光效果越差,本试验控制烧成温度在750~800℃间,保温时间在 10min以内,能合成性能较好的蓄光玻璃.余辉衰减曲线表明蓄光玻璃的发光性能较之原始发光粉体有所下降.SEM分析表明,低温合成的蓄光玻璃中,所含能继续保持发光性质的粉体料,明显比高温合成样要多. 相似文献
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选择铝硼硅酸盐玻璃体系,高温熔融法制备了Eu,Dy掺杂的铝硼酸盐基质透明玻璃,并采用槽沉法制备了透明玻璃微球.利用XRD、SEM和荧光光谱对样品进行分析.结果表明:该玻璃微球粒径分布范围窄,光学性能好,其折射率为1.690;单掺杂和双掺杂玻璃微球均具有长余辉发光性能,单掺杂Eu^2+发光峰位于460nm,而双掺杂Eu^2+、Dy^3+的发光峰分别位于456和452nm,并且样品的发光时间达到15h以上。 相似文献
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长余辉蓄光陶瓷SrAl2O4:Eu,Dy的性能及发光机理 总被引:20,自引:0,他引:20
制备了SrAl2O4:Eu,Dy材料。并测得其激光发谱,发射光谱和衰减曲线,首次报道了Dy的含量与荧光亮度和持续时间的关系,并对SrAl2O4:Eu,Dy系统的发光机理进行了解释。 相似文献
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以废玻璃为原料,通过喷雾干燥法制备空心玻璃微珠坯体,再经烧结后得到空心玻璃微珠。研究了坯体粒径、发泡剂种类、烧结温度和送料风速对空心玻璃微球表面形貌和成品率的影响。结果表明,粒径分布较大是限制微珠成品率的重要因素,采用无机盐与有机物作为复合发泡剂可以增大发泡剂分解的温度范围,从而显著提高微珠坯体的发泡效率和成品率,随着烧结温度和送料风速的提高,微珠成品率呈现迅速增大然后逐渐减小的趋势。当发泡剂的含量为3%(质量分数),烧结温度为850℃,送料风速为1.6 m/s时,微珠成品率最高达到91%,成品微珠堆积密度为0.26 g/cm~3,真密度为0.55 g/cm~3,抗压强度为4 MPa。 相似文献
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《中国新技术新产品》2016,(20)
本文简要介绍了国内外关于国体废弃物的再生利用的研究现状,并以铁路货车废闸瓦摩擦材料热解回收料为主要填料制备汽车制动衬片的成功应用,为实现废摩擦材料再生利用提供了回收工艺与回收思路。 相似文献
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采用电子陶瓷工艺制备了一系列钙硼硅玻璃/堇青石陶瓷复合材料,堇青石含量分别为50%,60%,70%和80%(质量分数)。对复合材料进行了X射线衍射分析、扫描电镜(SEM)观察和性能测试。结果表明:复合材料的介电常数和热膨胀系数随陶瓷含量的增加而减小,显微硬度随陶瓷含量的增加而增加。堇青石的加入抑制了钙硼硅玻璃中石英的析出,并生成了新相钙长石,其数量随堇青石和烧结温度的增加而增加,但它没有恶化复合材料的物理性能。所制得的复合材料具有高的相对密度(≥96%)、低的介电常数(~6)、低的介电损耗(0.3%~0.5%)、低的热膨胀系数(4.2×10^-6℃^-1~5.2×10^-6℃^-1)和低的烧结温度(≤950℃),有望用作介电材料和基板材料。 相似文献
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以金属硝酸盐和尿素为原料,采用燃烧法合成了发青绿光的BaAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料。采用XRD、SEM、荧光分光光度计等手段对其进行分析表征。研究结果表明:随着燃烧温度升高,燃烧反应加剧,副产物BaCO3的含量减少,BaAl2O4的结晶程度增加,晶粒尺寸增大。Ba-Al2O4:Eu2+,Dy3+的激发光谱和发射光谱峰值分别为310nm和500nm,均呈宽谱带特征,其发光是由Eu2+的4f65d1→4f7跃迁引起,长余辉特性主要基于Dy3+的电子陷阱作用。 相似文献
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为了提高钡长石(BAS)玻璃陶瓷的力学性能,采用轧膜成型、热压烧结方法制备出纤维分布均匀的致密短碳纤维增强BAS玻璃陶瓷基复合材料(Csf/BAS).采用X射线衍射分析,扫描电子显微镜、透射电子显微镜观察及三点弯曲法与单边开口梁法研究了纤维含量对复合材料组织及力学性能的影响.研究表明:Csf对BAS玻璃陶瓷有良好的强韧化效应.体积分数为30%Csf/BAS复合材料的室温抗弯强度及断裂韧性分别为255 MPa和3.45 MPa.m1/2,其主要的韧化机制为裂纹偏转、纤维的拔出与桥接.用摩尔分数25%Sr代替Ba实现了基体的六方→单斜相的完全转变,进一步提高了复合材料的力学性能. 相似文献
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采用电子陶瓷工艺制备了一系列玻璃/尖晶石陶瓷复合材料,结果表明:复合材料的介电常数、热膨胀系数和显微硬度随着尖晶石含量的增加而增加,而且材料中硼酸铝的生成对复合材料的介电和热膨胀性能有一定影响。所制备的复合材料具有低的介电常数(5.5~6.5)、低的热膨胀系数(5.3×10-6~5.5×10-6℃-1)和低的烧结温度(≤1000℃),有望用于先进的微电子封装基板材料。 相似文献
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