无滤波器D类音频放大器

无滤波器的D类音频放大器NCP2820能通过5V电源为一个4Q桥式连接负载（BTL）提供2．65W的连续平均功率，或为8Q桥式连接负载提供1．4W功率，而总谐波失真加噪声（THD＋N）小过1％。输入电压为2．5～5．5V，效率为90％，关断电流为0．42μA。可消除启动或关断时的噪声，使用A加权滤波器能确保获得净化的音频输出。     

安森美半导体推出2.65瓦无滤波器D类音频放大器,为可携式应用提供优异的效率和音质

安森美半导体(ONSemiconductor)推出NCP2820这款具成本效益的无滤波器D类音频放大器,是专为便携式应用而设计,进一步拓展公司之音频放大器产品系列。NCP2820以最小的板面积,增强了最大的音频放大功率,并以高效率和低关机电流延长电池使用寿命。NCP2820能经由5V电源为一个4Ω桥式连接负载(BTL)提供2.65W的连续平均功率。在相同条件下,输出功率级可以为8Ω桥式连接负载提供1.4W功率,而总谐波失真加噪声(THD+N)小于1%。NCP2820采用1.45mmx1.45mm的小型尺寸、倒装、芯片尺寸封装(CSP),输入电压范围为2.5V～5.5V,驱动净化的音频输出…     

超高功率集成PoE用电设备接口

该系列包括两款产品：NCP1080和NCP1081。其中,NCP1081以2对配置为应用负载提供达40W稳压功率。两款器件都完全支持IEEE802．3af标准。NCP1081更支持包含两个事件物理层分类,最新批准的IEEE802．3at草案（D3．0）标准。     

安森美半导体推出超高功率集成PoE用电设备接口器件

安森美半导体（ON Semiconducto）推出以太网供电（PoE）产品系列的两款新品NCP1080和NCP1081。NCP1081是业界最高功率集成以太网供电用电设备（PoE-PD）,功率范围广,以2对配置为应用负载提供达40瓦（W）稳压功率。两款器件都完全支持IEEE802.3a晰准。NCP1081更支持包含两个事件物理层分类,最新批准的IEEE802．3at草案（D3．0）标准。     

NCP1082／3：以太网供电（PoE）IC

安森美推出以太网供电（PoE）产品系列的两款新产品NCP1082和NCP1083。NCP1083是集成以太网供电用电设备（PoE-PD）的同一系列,支持达40W稳压功率的扩展功率范围,提供给2对式配置的应用负载。NCP1083同样能够通过辅助并联电源提供功率。     

6A降压DC／DC转换器

NCP6338提供范围为0．6～1．4V、增量为6．25mV的可编程输出电压,同时可采用低至2．3V的输入电压工作。这器件经过了优化,用于为平板电脑和智能手机等便携设备的先进应用处理器供电。NCP6338使用独特的模块化输出强度驱动,加上在脉宽调制（PWM）与脉频调制（PFM）模式之间自动转换的功能,能够根据负载调配其能效性能,因而节省电池电量。     

D类放大器参考设计

IRAUDAMP7是针对每通道25W以上D类音频放大器的参考设计,适用于包括家庭影院设备、乐器和汽车娱乐系统等应用。IRAUDAMP7的功率范围为25～500W,为单层PCB提供了高度的扩展性。IRAUDAMP7S120W双通道、半桥式设计可以实现120W8（2D类音频放大器91％的效率,在频率1kHz的60W8Q时的THD＋N为0．005％（均为典型）。     

低成本通用D类放大器

MAX9736A／B提供2～8Ω（或更高）的负载驱动能力。MAX9736A能够为8Ω负载提供2×15W功率,为4Ω提供1×30W功率;MAX9736B能够为8Ω负载提供2×6W功率,为4Ω负载提供1×12W功率。MAX9736A／B可通过引脚选择立体声／单声道模式,在立体声模式下采用12V电源电压可驱动4Ω负载,在单声道模式下可驱动2Ω负载。     

低成本通用D类放大器

MAX9736A／B提供2～8Ω（或更高）的负载驱动能力。MAX9736A能够为8Ω负载提供2×15W功率,为4（2提供1×30W功率;MAX9736B能够为8Ω负载提供2×6W功率,为4Ω负载提供1×12W功率。MAX9736A／B可通过引脚选择立体声／单声道模式,在立体声模式下采用12V电源电压可驱动4Ω负载,在单声道模式下可驱动2Ω负载。     

2．7W恒定输出功率D类放大器

TPA2013D1通过较低电源电压即可生成较高输出功率，而不会造成音频失真，还能为各种外部器件供电。由于结合了2．7W的D类放大器与集成式升压转换器，整体效率达到85％。新器件在整个4Ω负载中都能提供2．7W的最大输出功率，而在8Ω负载中则能提供2．2W的最大输出功率，此外还能在2．3～4．8V的整个锂离子电池工作电压范围内提供高达1．5W的可调恒定输出功率。     

第三代Boomer^R音频立体声功率放大器的特点及应用

LM4867是第三代Boomer^R音频立体声功放电路。该电路含有立体声耳机功能并消除了输出耦合电容器。当连接到5V电源时,这种双桥连接功率放大器对4Ω和3Ω的负载分别提供2．1W和2．4W的功率,而THD＋N小于1％。LM4867利用先进的亲一代电路,消除了卡塔声和喀呖声。     

电源技术

精密线性低压降稳压器安森美半导体推出5款高性能双极低压降(LDO)线性稳压器NCP3335A, NCP5661,NCP565,NCP5662与NCP5663。这些1A～3A的线性稳压器提供低达0．9V的电压输出,并采用特别的复合式架构对随时变化的输出负载提     

2010年第一季台湾地区半导体产业产值较去年同期增长88.9％

根据WSTS统计,1OQ1全球半导体市场销售值达692亿美元,较上季（09Q4）增长2．8％,较去年同期（09Q1）增长58．3％：销售量达1,614亿颗,较上季（09Q4）增长4．2％,较去年同期（09Q1）增长66．7％：ASP为0．429美元,较上季（09Q4）衰退1．3％,较去年同期（09Q1）衰退5．0％。     

双输出直流-直流转换器有源矩阵OLED显示供电

安森美半导体公司推出2W双输出直流-直流转换器NCP5810，提供正负输出电压。该器件的输出电压精确、高转换频率和小尺寸封装使其尤为适合为有源矩阵有机发光二极管（有源矩阵OLED或AMOLED）面板的显示驱动供电．用于便携式应用的新兴显示技术。     

立体声D类放大器具有动态范围压缩功能

为了满足新一代便携式市场的要求,德州仪器（TI）推出一款性能优越的高级无滤波器立体声D类放大器,可在8Q的负载下实现每通道1．7W的输出驱动能力,并且相对于传统的D类产品提高了整体音量。     

DanD＇Agostino MOMENTUM STEREO

DanD’Agostino近期推出MOMENTUM STERE0立体声后级，延续了DanD’Agostino的“达到前所未有的顶级音响表现”理念，左右独立、全平衡电路、零反馈设计，它是201O年推出的单声道旗舰的全新立体声版本，提供200W×2@8Q／400W×2@4Q／800W×2@2Q的功率放大输出，频率响应达到1Hz～200kHz，-1dB，整体失真（200W@80）D0．15％@1kHz。底盘以整块实心铝车制而成，除了给电路板稳固的基座，也保护其不受射频（RFI）与电磁干扰（EMI），配合纯铜制的Venturi散热系统，Momentum机壳左右两侧的纯铜散热系统上有一排排上下连通的0.75英寸圆气孔，利用冷空气密度大于热空气的性质与其自然产生的气压差，达到最理想的散热效果。     

高质量AB类音频放大器

NCP2991是AB类音频放大器，具有103dB的电源抑制比（PSSR），消除了电池电源电压波动可能产生的任何噪声。此外，这器件还确保启动和关闭时提供零“爆音（Pop）”和“嘀哒（Click）”声，适用于所有输入配置。这器件极低的（0．015％）典型总谐波失真（THD）进一步确保提供高保真音频输出。NCP2991的启动时间可在15～20ms之间选择。由于启动时间极快，NCP2991能够在未使用时保持关闭模式。因此，在大多数时间里，NCP2991仅消耗20nA电流。     

用TDA1554Q搭焊小型功效

一个偶然的机会从朋友那里得到一块原装的飞利浦功放集成块TDA1554Q。此集成块是用于四声道的功放,在每声道2Q的负载下可以产生4×11W的功率,用BTL接法可以达到2×22W（4Q）,具有很高的保真度,很适合用于功率要求不高的场合,于是就决定制作一台用于电脑放音的小型功放。     

2008年第四季台湾地区半导体产业回顾与展望

一、第四季半导体产业概况 根据WSTS统计,08Q4全球半导体市场销售值达522亿美元,较上季（08Q3）衰退24．2％,较去年同期（07Q4）衰退21．9％;销售量达1．175亿颗,较上季（08Q3）衰退23．3％,较去年同期（07Q4）衰退21．8％：ASP为0．444美元,较上季（08Q3）衰退1．2％,较去年同期（07Q4）衰退0．2％。     

激光二极管抽运主动调Q Nd:GdVO4自受激拉曼激光器

采用激光二极管（LD）抽运、主动调Q的方式，利用c向切割的Nd：GdVO4晶体的自受激拉曼散射（self-SRS）效应，实现了结构紧凑、高效的脉冲拉曼激光器。在输入功率为1．8W，主动调Q10kHz时，自受激拉曼激光器产生了稳定的1176nm的斯托克斯（Stokes）脉冲光，斯托克斯光的单脉冲能量为10μJ，脉冲宽度为19ns。此时，自受激拉曼散射的阈值仅为510mW，斯托克斯光的转换效率为5．6％。实验结果表明，有效的自受激拉曼变频可以通过一个c向切割的Nd：GdVO4晶体，采用主动调Q的方式来实现。