溶胶凝胶法制备的Y3Al5O12：Tb^3＋,Ce^3＋的光学性能及能量传递研究

用溶胶凝胶法制备了一系列不同掺杂浓度的Y3Al5O12（YAG）：Tb3＋,Ce3＋荧光粉,对其物相、光学性能和能量传递进行了研究。多晶粉末X-射线衍射结果表明,所有样品均为YAG晶相,没有其它杂相。当样品在Tb3＋的特征激发峰273 nm激发时,除了Tb3＋的特征发射外,还观察到位于467 nm的YAG基质的电荷迁移带、位于520 nm的Ce3＋的2D3/2,5/2→2F5/2,7/2跃迁,这说明可能存在Tb3＋到Ce3＋的单向非辐射能量传递。通过监测共掺样品520 nm的发光,得到273 nm的激发峰,使得Tb3＋（5D3）到Ce3＋（2Di,i=5/2,3/2）的单向非辐射能量传递得到验证;并且随着掺杂Tb3＋浓度的增大,273 nm激发峰增强。同时,Ce3＋掺杂YAG：Tb3＋并没有使Tb3＋发光增强,相反YAG：Tb3＋,Ce3＋中Tb3＋发光与YAG：Tb3＋相比有1个数量级的减弱,造成这种情况的可能原因,一是Tb3＋到Ce3＋的单向非辐射能量传递,使得Tb3＋发光减弱;二是Ce3＋掺杂YAG：Tb3＋后基质所多吸收的能量传给了Ce3＋而非Tb3＋。     

YVO4：Eu^3＋，Bi^3＋荧光粉的制备及荧光性能研究

用溶胶凝胶法在较低温度下制备了YVO4：Eu^3＋，Bi^3＋荧光粉，采用X射线衍射仪（XRD），扫描电子显微镜（SEM）及荧光分光光度计测试，研究了合成产物的结构、表面形貌，分析了在Eu3’含量一定的情况下掺杂Bi^3＋的浓度的变化对发光性能的影响。结果表明，溶胶凝胶法合成的YVO4：Eu^3＋，Bi^3＋荧光粉为单相结构、粒径在1um左右、无团聚现象；Bi^3＋对Eu^3＋离子有敏化作用，在一定浓度下使荧光粉的发射强度增加。     

绿色长余辉荧光粉Sr_2ZnSi_2O_7：Mn~（2＋）,Tb~（3＋）的制备及性能

用溶胶-凝胶法合成绿色长余辉荧光粉Sr2ZnSi2O7：Mn2＋,Tb3＋,并研究合成工艺及Tb3＋和Mn2＋掺量对荧光粉发光性能的影响。结果表明：合成Sr2ZnSi2O7的晶体结构为立方晶系;Sr2ZnSi2O7：Mn2＋,Tb3＋荧光粉在522nm附近的主要发射峰归属为Mn2＋的4T1（4G）→6A1g（6S）跃迁...     

高显色白光LED用YAG：Ce^3＋，Ln^3＋荧光粉的研究进展

综述了YAG：Ce荧光粉的制备方法,着重介绍了高显色白光LED用YAG：Ce^3＋,Ln^3＋（Ln=Sm,Pr,Gd,Tb）荧光粉的最新研究进展和发光性能。YAG：Ce^3＋,Ln^3＋荧光粉的发射谱带发生红移,或在红光区增加尖锐的红光发射峰,从而提高了白光LED的显色性能。     

单一基质白光Ba_（1.3）Ca_（0.7）SiO_4荧光粉的制备和发光特性

采用高温固相法合成单一基质白光Ba1.3Ca0.65-xSiO4：0.02Eu2＋,0.03Mn2＋,xRe3＋（Re=Tb,Er;x=0～0.04）荧光粉,研究荧光粉的发光特性和不同Tb3＋、Er3＋掺量对荧光粉光谱特性的影响。结果表明：制备的荧光粉在340～415nm具有较强吸收,适合于InGaN芯片（350～41...     

YAG：Ce3＋黄色荧光粉的高温固相法制备

采用高温固相法制备了Ce3＋激活的钇铝石榴石荧光粉Y3Al5O12：Ce3＋（YAG：Ce3＋）。采用X射线衍射法对所制备的样品进行结构分析,采用荧光光谱仪对样品进行发光分析。结果表明,在YAG：Ce3＋的高温固相法制备过程中原材料和助熔剂用量以及稀土离子掺杂量、研磨时间、灼烧温度和时间等,都会对所制备样品的成相和发光性能产生影响。     

WLED用单基质硅酸盐荧光粉的制备及性能研究

采用溶液-燃烧法制备了Ca2MgSi2O7白光LED用荧光粉,探讨了溶液-燃烧法制备样品的工艺参数并分别对单掺Eu3+和三掺Eu3+,Ce3+,Tb3+在不同浓度下的荧光性能进行分析。通过同等条件下荧光光谱的对比分析发现单掺Eu3+离子,掺杂浓度为金属离子浓度的1%时荧光强度最强;三掺Eu3+,Ce3+,Tb3+的物质的量比为1∶1.5∶1时样品荧光强度最强。     

绿色荧光粉Ca_9Al(PO_4)_7:Tb~(3+),Ce~(3+)的发光特性

采用固相法合成Ca9Al(PO4)7:Tb3+,Ce3+绿色荧光粉,研究了材料的发光性质。结果表明,以377 nm近紫外光作为激发源时,Ca9Al(PO4)7:Tb3+呈现出多峰特征,主峰位于491、545、589和623 nm,分别对应Tb3+的5D4→7F6,5D4→7F5,5D4→7F4和5D4→7F3跃迁发射,其中545 nm发射峰最强,从而材料整体发射绿光;监测545 nm发射峰,对应的激发光谱为多峰特征,覆盖300~390 nm;增大Tb3+的掺杂量,发现Ca9Al(PO4)7:Tb3+的发射强度逐渐增大,在实验范围内,并未出现浓度猝灭现象;通过添加A+(A=Li、Na和K)以及敏化剂Ce3+,有效增强了Tb3+在Ca9Al(PO4)7中的发射强度。测量了不同Tb3+掺杂量下材料的色坐标,发现Ca9Al(PO4)7:Tb3+的色坐标基本不变,位于绿色区域。     

LaPO_4∶Ce~(3+),Tb~(3+)荧光屏的制备及表征

采用重力沉积法在石英基片上涂敷LaPO4∶Ce3+,Tb3+荧光粉制备了LaPO4∶Ce3+,Tb3+荧光屏。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计对荧光屏进行表征,研究了黏结剂、电解质、荧光粉的用量对荧光屏性能的影响。结果表明:调整黏结剂、电解质的用量可制备荧光粉和基片结合良好的荧光屏,荧光屏的主晶相仍为LaPO4。SEM分析表明荧光涂层致密、均匀,厚度约为40μm。荧光光谱分析表明,在200~300nm紫外光激发下可发射主发射峰为543nm的绿色荧光。随黏结剂用量的增加,发光强度先增大后减小,性能最佳的黏结剂体积浓度为3%;随电解质用量的增加,发射光强度先增高后降低,当其质量分数为0.01%时,发光强度最大;随着荧光粉用量的增加,透过荧光屏的发射光强度降低。     

超声波辅助合成YOF:Tb~(3+)荧光粉及其荧光性能

以Tb4O7与Y2O3为主要原料,用超声波辅助合成前驱体,经高温煅烧后合成了稀土YOF:Tb3+绿色荧光粉。采用XRD、SEM和荧光分光光度计对样品的结构、形貌和荧光性能进行分析。样品XRD表明,产物为四方晶系YOF:Tb3+,结晶度较好。SEM表明合成的荧光粉为100mm~200nm左右的纳米颗粒。荧光分析显示,荧光粉的荧光性能受前驱体辅助合成方式及Tb3+掺杂浓度等各种因素影响。在230nm的紫外光激发下,40℃的低温超声波辅助下合成的前驱体经过煅烧后制得的荧光粉荧光性效果好。当Tb3+的摩尔掺杂浓度大于5%时,出现浓度淬灭现象。     

电荷补偿对SrZnO_2：Eu~（3＋）材料发射光谱的影响

采用低温燃烧法制备了SrZnO2：Eu3＋,M＋（M=Li,Na,K）红色荧光体,研究了敏化剂Li＋、Na＋、K＋离子对SrZnO2：Eu3＋材料发射光谱强度的影响。结果表明,掺杂碱金属离子后对SrZnO2：Eu3＋样品的荧光强度都有不同程度的提高,其中以掺杂Li＋离子增强效果最为明显,当掺杂比n（Eu3＋）：n（Li＋）=1：3时,发光强度增幅最大。同时,对研究结果进行了理论分析。     

磷钒酸盐红色发光粉的制备及性能研究

采用燃烧法合成了一种近紫外激发的Ca3((P,V)O4)2:Eu3+发光材料,用X射线衍射谱、荧光光谱对样品进行了表征。结果表明,荧光粉基质Ca3((P,V)O4)2具有畸变的Ca3(VO4)2的结构,VO34-取代了部分的PO34-,但Ca2+的半径与Eu3+接近,因此Eu3+容易进入晶格,表现出良好的发光性能。荧光光谱分析发现荧光粉可被376 nm紫外光激发,主发射峰值位于620 nm(Eu3+离子的5D0→7F2跃迁)的红光,同时详细研究了Eu3+离子掺杂浓度、引发温度及尿素用量对荧光粉发光性能的影响。     

Pechini溶胶-凝胶法制备LuAG:Tb薄膜的显微结构及发光性能

采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺制备了Tb³⁺掺杂Lu₃Al₅O₁₂（简称LuAG:Tb）发光薄膜。前驱体薄膜在850℃左右锻烧得到单一石榴石相的LuAG:Tb薄膜。LuAG薄膜的发射光谱（268nm紫外光激发）对应于Tb³⁺的⁵D₄→⁷E_J（J=6～0）和⁵D₃→⁷F_J特征跃迁,光谱强度随Tb³⁺掺杂浓度的升高先增强后减弱,在x(Tb³⁺)=2.0%时光谱强度最强,其发光衰减时间为5.14ms。扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）观察显示LuAG薄膜的颗粒度大小和表面粗糙度随煅烧温度的升高而增大。     

溶胶-凝胶法制备纳米级Y2O3：Tb^3＋发光材料

采用溶胶-凝胶法合成Y2O3：Tb3＋纳米粒子。用红外光谱（IR）、X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）光谱对其进行一系列表征。结果表明所制备的纳材料在400℃还没完全结晶,在1000℃时结晶完全,得到较纯产物且有良好的发光性能。     

表面活性剂后处理对YAG∶Ce~(3+)荧光粉发光特性的影响

采用固相法制备YAG∶Ce3+黄色荧光粉,以油酸、聚乙二醇、十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠等表面活性剂作为后处理剂,考察其种类、浓度和性质等对荧光粉发光性能的影响,进一步对浸泡温度以及浸泡时间等工艺条件进行了对比研究,并通过荧光光谱和扫描电子显微镜等手段对处理前后YAG∶Ce3+荧光粉的发光性能、表面形貌和老化性能等方面进行了表征和分析。结果表明,YAG∶Ce3+荧光粉的最佳后处理工艺条件为:十二烷基硫酸钠较为理想,经2.4%十二烷基硫酸钠处理后,YAG∶Ce3+荧光粉的发光强度约提高8.4%,浸泡温度为50℃,浸泡时间为60 min。     

铕-铽共掺杂的SrF_2荧光体的光致发光性能

采用水热反应法合成了具有立方相结构的铕单掺杂、铽单掺杂、铕-铽共掺杂的氟化锶发光材料,采用粉末X-射线衍射（XRD）、荧光光谱（PL）等方法对合成的样品进行表征。结果表明,在Eu3＋和Tb3＋共掺杂的体系中存在电子转移现象,出现了Eu2＋、Eu3＋和Tb3＋共存于同一基质共同发射的现象,在不同波长光的激发下得到的材料的黄光强度不同。     

镓掺杂钒酸钇的制备及其发光性能

采用高温固相法合成钒基荧光材料YVO4:Ga3+,其最佳掺杂浓度是2%,最宜煅烧温度为1100℃。用XRD,SEM以及荧光光谱等手段对所合成的荧光粉进行了表征,结果表明,样品在近紫外光254nm激发下,产生位于350～700nm的宽带发射峰。其中,镓离子浓度逐渐增加到2%时,样品的荧光发射主峰由440nm平移到470nm。     

SPS烧结制备新型荧光玻璃材料

以实验室自制SiO2粉体和商用Ce∶YAG荧光粉为玻璃原料,采用放电等离子体烧结（SPS）技术,在1 200℃保温2 min烧结得到有望用于白光LED封装的Ce∶YAG荧光玻璃。用X射线衍射仪（XRD）、荧光光谱（PL）等方法对制备获得的荧光玻璃样品进行表征。结果显示,烧结并没有破坏Ce∶YAG荧光粉的晶体结构,且荧光玻璃主体相仍为玻璃体,该荧光玻璃在460nm具有强吸收峰,在此波长激发下发射出530 nm左右的黄光。研究结果表明,本实验制备的Ce∶YAG荧光玻璃是一种具有重要应用前景的LED封装用新型荧光材料。