n-CdSe/Fe(CN)_6~(4~-/3~-)光阳极上的光氧化竞争反应及用L-B技术修饰电极的影响

用旋转环盘电极研究了还原剂K_4Fe(CN)_6与n-CdSe光阳极上的竞争空穴的氧化反应,证明还原剂捕获光生空穴的途径为直接自价带俘获空穴。又利用L-B技术在n-CdSe电极表面修饰硬脂酸二茂铁酯,结果表明还原剂俘获光生空穴的能力增强,电极的稳定系数提高。     

修饰的薄膜CdSe电极／Fe（CN）6^4—溶液界面的电荷转移

本文研究了硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰的薄膜Cdse电极的光诱发界面多相电荷转移过程。通过测量异相电荷转移反应速度常数K_(et),进一步分析了修饰的薄膜CdSe电极光电化学过程的可能反应速度控制步。分析表明界面的电荷转移是反应的速度控制步。薄膜CdSe电极可以通过选择电活性修饰分子和溶液中氧化还原离子来进一步提高和改善其光电化学性能。     

多孔TiO2纳米薄膜修饰的镍基光电极的制备和性能

引　言近年来 ,随着全球环境污染的进一步加剧 ,人们对清洁、无毒、可重复使用的能源———氢气的制备、储存及应用的研究日益重视 .其中 ,利用太阳能光解水或光助电解水为最理想的制氢途径 . 1972年 ,Ｆｕｊｉｓｈｉｍａ和Ｈｏｎｄａ[1] 发现光照下ＴｉＯ2 光电极可分解水制氢气 .此后 ,ＴｉＯ2 成为进行光化学转换及光催化降解有机物的重要的半导体材料 .近年来 ,纳米半导体材料的研究日新月异 ,在光催化、光电转换、光化学转换方面表现出诱人的应用前景 .通常制备ＴｉＯ2 的工艺有离子溅射法[2 ] 、热氧化法[3] 、电化学沉积法[4 ] 、化…     

电活性MXene膜电极构造原理与水质净化应用研究进展

电活性膜净水技术可借助电化学反应和膜分离的耦合协同作用实现对污染物的短流程高效去除,具有传质效率高、能耗低、抗污染、适应性强等优势,在水处理中展现出巨大的应用潜力。为深入研究电化学水处理技术机理,围绕电活性MXene(E-MXene)膜电极的构造原理与水质净化应用,以典型的MXene及其复合膜电极材料为例,对E-MXene膜电极的构筑原理、策略及其在水质净化领域中的应用研究进行了综述,之后对E-MXene膜电极在重金属去除、油水分离、脱盐及耦合处理技术等领域的研究进展进行了系统性回顾,并对E-MXene膜技术在水处理领域的未来发展趋势进行了展望。     

聚铝试剂膜修饰电极的制备及其电催化性能研究

铝试剂能在玻碳电极表面电聚合成膜,该膜能电催化氧化抗坏血酸、亚硝酸根。催化峰电流与其浓度均成良好的线性关系,该聚合膜修饰电极具有良好的稳定性,具有分析应用的意义。     

氢氧化镍电极的修饰及电化学性能的研究

镍系列二次电池的正极活性物质Ni（OH）2的晶型和镍电极的制备工艺对电池的性能具有较大的影响。文章以镍-氢电池作为对象,着重研究作为电池正极的氢氧化镍电极。通过不同的方法制备电极的活性物质Ni（OH）2,以Co、Zn和稀土作为掺杂剂对电极进行修饰,并对不同掺杂方式构成的电池进行了测试。用金相显微镜来观察Ni（OH）2的外观、颗粒大小;通过恒电流放电曲线比较各电极的放电性能,并通过XRD谱图了解样品的晶型结构。电池性能测试结果表明：采用配位沉淀法制备的Ni（OH）2晶体为最佳;在添加剂方面,Zn、Co、Sm均对镍电极的电化学性能影响较大。     

纳米金修饰电极的电化学研究

将由柠檬酸三钠与氯金酸制备的纳米金颗粒利用自组装方法修饰于金电极表面形成纳米金修饰电极,运用N5粒度测定仪、透射电子显微镜（TEM）和原子力显微镜（AFM）对纳米颗粒及其修饰电极进行了表征。利用循环伏安法（CV）与交流阻抗法（EIS）研究了纳米金修饰电极的电化学性质。     

电沉积Cu2xIn2—2xSe2薄膜的光电化学研究

用电沉积法制得Ｃｕ２ｘＩｎ２－２ｘＳｅ２（铜铟硒）（０＜ｘ＜１）薄膜＾［１］并用ＥＤＡＸ对其组成进行分析。对薄膜电极的光电化学性能、光谱响应、能隙与ｘ的依赖关系进行了研究。借助于现场微区扫描光电流谱观察了热处理、薄膜厚度、光极化对薄膜电极的光电性能影响。研究了Ｐｂ（ＮＯ３）２有效的浸渍对簿膜光电性能的影响。     

薄膜CdSe及CdSexTe1—x电极的光电子能谱研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同含氧气氛中烧结的薄膜CdSe及Cdse_xTe_(1-x)电极表面,以及薄膜与Ti底基之间的界面。研究中发现,二种薄膜电极的表面形成了CdO,SeO_2及TeO_2氧化物,与薄膜接触的Ti底基表面上形成了TiO_2。用俄歇电子能谱(AES)对在电极表面及Ti表面所生成的氧化层分别进行了深度分析。结果表明,各种氧化物形成的程度有很大的不同,氧化层厚度也存在差异。对影响薄膜电极的光电性能的因素进行了讨论。     

Au修饰薄膜CdSe电极的界面动力学行为的研究

研究了Au修饰的薄膜CdSe电极在多硫溶液中的瞬态光电流行为,测量了界面异相电荷转移,表面电荷复合及光腐蚀反应速度常数K_F,K_R及K_c。结合了光电子能谱(XPS)及扫描电镜(SEM)表面分析,对三种不同Au量修饰的薄膜CdSe电极进行界面动力学行为的分析。     

硬脂酸二茂铁酯L—B膜的电化学性能研究

本文研究二茂铁衍生物——硬脂酸二茂铁酯(FcOCOC_(17)H_(35))L-B膜技术修饰SnO_2电极的循环伏安性能.实验结果用电极表面吸附(修饰)分子的表面活度理论进行计算机拟合和此较,实验数据与理论符合较好.进一步求得修饰分子的标准电极电势和修饰量。结果表明硬脂酸二茂铁酯L-B膜电化学性能稳定,可逆性较好,可以作为快速电荷转移的修饰电极材料。     

拉氏变换阻抗分析测量CdSe薄膜电极的表面态

在光电化学光能转换的研究中,由于多种因素在半导体/溶液界面形成了各种性质和作用不同的表面态,在界面的电荷和能量转移中起着重要作用,对光电转换性能产生较大的影响。对于多晶半导体——作为具有实用前景和目前深受重视的光电转换材料,由于存在较多的晶格缺陷和晶粒界面,在表面形成了浓度较高的表面态,这些表面态可作为光生电子空穴的复合中心,是造成多晶材料光电转换效率低于单晶材料的主要原因。因此测量和研究半导体/溶液界面的表面态能量分布,性质及作用对研究光电转换过程的机理,特别是对改善多晶半导体的性能都具有直接的重要意义。     

硬脂酸二茂铁酯L—B膜修饰SnO2电极的阻抗研究

测定了二茂铁衍生物——硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰SnO_2电极在Fe(CN)_6~(3-/4-)溶液中的阻抗性能,用单纯形法求出了等效电路中的元件参数值,计算了电极反应速度常数K_s。从分析SnO_2电极修饰不同层的硬脂酸二茂铁酯L-B膜的界面阻抗和电极反应的动力学性能,表明与在固相中研究的硬脂酸二茂铁酯L-B膜的阻抗性能明显不同,在Fe(CN)_6~(3-/4-)溶液中表现了电活性分子修饰电极的界面阻抗行为,进一步证实了修饰在SnO_2电极上的硬脂酸二茂铁酯L-B膜在Fe(CN)_6~(3-/4-)的氧化还原电极反应过程中,起电荷传递的中介作用。     

cdSe_xTe_(1-x)薄膜电极光溶解性能的研究

用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_(1-x)薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。     

卟啉类L—B膜分子间相互作用的光谱研究

以无取代的meso-四-(4-N)-吡啶基卟啉及其过渡族金属(主要Cu~(2+)、Zn~(2+))络合物制备L-B膜,以近紫外-可见吸收光谱和荧光光谱为手段,研究叶啉类分子在氯仿溶液中,L-B膜状态下以及固态状态下的相互作用。探讨分子聚集体的存在对光谱性质的影响。 为了研究叶咻类分子间的相互作用及其对光谱性质的影响,我们首先分析了叶啉在CHCl_3溶液中及固态状态下的近紫外-可见吸收光谱和荧光光谱。并将其与叶啉类分子的L-B膜作比较。结果表明,卟啉类的Soret吸收带带宽及峰位置在三种状态下均不相同,L-B膜的情况介于溶液中的和固体下的情况之间,说明了在L-B膜中,卟啉分子存在着某种形式的聚集体,且在这种聚集体中分子间的相互作用程度比固体弱,可以认为L-B膜上的分子呈准晶体状态。     

离子注入技术改性聚酰亚胺薄膜的研究进展

综述了近年来国内外采用离子注入技术改性聚酰亚胺薄膜的研究与应用进展,主要包括改性其力学性能、电学性能以及在太空环境中抗原子氧侵蚀的能力等方面的研究情况,并展望了未来研究方向.