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应用透射式电子显微镜观测了MOCVD GaAs/Si外延层中的层错。在双束动力学条件下用三种方法确定外延层中层错类型为本征型,其滑移矢量为R=1/6[211],并讨论了引起滑移的三种应力来源。 相似文献
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综述了CaAs/Si异质外延材料的性能及应用前景,分析了进一步提高材料质量所面临的问题,重点介绍了降低外延层缺陷方面的研究进展. 相似文献
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利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理.通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1200 ℃,生长速度为4 μm/h.对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶仪分析表明外延层弯曲度仅为5μm/45 mm;而外延层的XRD和AFM分析表明,3 μm厚度外延层SiC(111)半高宽为0.15°,表面粗糙度为15.4nm,表明外延层结晶质量良好. 相似文献
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应用LPE法成功地制出了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs多层结构材料,讨论了生长过程中铝、锗等元素的行为,测量了载流子浓度分布、少子扩散长度等电学性质,井观察了材料表面形貌。 相似文献
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利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As)化合物。补底温度523K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为30nm的外延层,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里,注入深度约为160nm。补底温度为523K时获得了Ga5.2Mn相,补底温度为673K时获得了Ga5.2Mn、Ga5Mn8和Mn3Ga相。在1113K条件下对673K生长的样品进行退火,退火后样品中原有的Mn3Ga消失,Ga5Mn8峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn仍然存在而且结晶更好,并出现Mn2As新相。 相似文献
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在研究GaAs和GaAlAs电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对GaAs/GaAlAs多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射谱的变化,研究了多层结构材料的界面性质、p-n结位置和纵向铝组分分布。 相似文献
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研究了MOCVD法GaAlAs/GaAs多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制,得出了GaAlAs发射极的PL性质和多层材料的纵向浓度分布是HBT材料的质量表征的结论,采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量,达到良好的器件特性。 相似文献
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介绍了自行设计制造的φ50~76mm GaAs气相外延系统特点,多层GaAs外延生长技术,微机控制程序,分析了外延材料的均匀性;报道了此类材料在多种GaAs MESFET和GaAs IC研制方面的应用结果。 相似文献
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硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低,因 相似文献
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为了发展GaAs材料的电子器件和集成电路,必须解决怎样在GaAs表面上生长高质量的自体氧化膜的问题。目前,很多人都在这方面进行研究。 相似文献
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以MocvD材料试制了AlAs/GaAs双势垒量子共振隧穿二极管,其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报道了有AV_(0.14)Ga_(0.86)As垫的双势垒结构器件性能,有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。 相似文献
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MOCVD法制备GaSb,GaAsSb,AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报导了用常压MOCVD技术在GaAs衬底上生长GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系,优化了生长参数。首次采用组分缓变过渡层和超晶格结构来解决品格失配问题,利用SEM和光学显微镜、X射线衍射仪、电子探针等测量、分析了外延层结构与组分、表面与断面形貌及其电学性质。测得GaSb6/GaAs结构中非有掺杂GaSb层的X射线双晶摆曲线半峰小于150孤秒,霍尔迁移率μ_p(300k)>620cm ̄2/V·8,载流子浓度小于1×10 ̄16cm ̄(-3),接近同质外延水平. 相似文献
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对InAs衬底上液相外延生长四元系InAs_(1-x-y)P_xSb_y(x=0.2,y=0.09)材料进行了研究,此材料适合于2.5μm中红外波段的光源及光探测器应用。实验发现InAsPSb/InAs外延片的表面形貌与晶体失配之间有确定的关系,据此可以方便地调节溶体组份以生长高质量的异质结构。对其机理进行了探讨,已生长了InAsPSb pn结并获得满意的载流子剖面分布。 相似文献
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GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ5 0mm沿x轴和y轴分别为± 0 .1%和± 0 .2 % ,Φ75mm <± 1%。表面缺陷密度在 1× 10~ 1× 10 2 cm- 2 。 相似文献
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