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相似文献
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1.
开关式电源控制器加上一个二极管——电容器网络,不要电感器就能生成运算放大器或LCD偏压所需要的小的负偏压电流。图1所示的电路采用2至6伏的输入,产生一个数字式可调的输出电压。二极管——电容器电荷泵由DHI和DLOW的开关作用来驱动,而通常在电感型开关电源里是驱动一个外部的MOSFET或pnp晶体管。  相似文献   

2.
<正> [例1] 故障现象 通电后无交流电压输出,但电源指示灯亮。 分析与检修 该交流稳压器的电原理图如图所示。由图中可看出,其输出插座有无交流电压取决于继电器J1的工作状态,即当J1处于释放状态时,其常闭触点接通,稳压器有交流电压输出;反之,当J1处于吸合状态时,其常闭触点断开而使稳压器无交流电压输出。继电器J1的工作状态受BG3、R2、W2、R12等构成的过压保护电路的控制。当输入电压过高(高于交流250V)时,电容  相似文献   

3.
一、负电压变换器 用门电路IC也能够组成负电压变换器电路。图A是用一块门电路IC4584B组成的负电压变换器。在该电路中用二极管替代了过去在电路中常使用的模拟开关。 在电荷泵电路中模拟开关的导通电阻会引起电压损失,在该电路中二极管的正向压降V_F同样也会引起电压损失。所以当电源电压小于5V时最好使用肖  相似文献   

4.
采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一种可以同时高效收集压电、光电、热电、射频能量的多源能量收集芯片。该收集芯片由多种能源接口电路、可重构电荷泵和自适应控制电路等单元构成。可重构电荷泵中,通过调节电压转换倍率和开关工作频率来降低电荷再分配损耗,提高了转换效率,扩大了输入电压范围。自适应控制电路中,采用固定导通时间法控制系统的输出电压,所产生的峰值电压被复用,并用来控制电荷泵的工作状态,降低了电路的复杂度和功耗。仿真结果表明,该收集芯片的整体动态功耗为33 μW,能量转换效率最高为60.3%。版图尺寸为1 672 μm×1 990 μm。  相似文献   

5.
为了解决目前基于电荷泵的开关电容电压转换芯片功能较为单一的问题,基于Dickson经典电荷泵结构,匹配四路双极型晶体管开关同时实现对输入电压的倍增输出以及倍增后的电压反向。四路二极管充作开关来使用,在降低开关器件导通电压的同时简化了开关电路,缩小了电路的尺寸,并降低了电路的功耗。基于国内某工艺线的40 V互补双极型工艺,设计并制作了带正/负两路输出的开关电容电荷泵电压转换器芯片电路。流片测试结果表明:当电源电压为4 V(负载电流为0 mA、+10 mA)、5 V(负载电流为±10 mA)、9 V(负载电流为+10 mA)、10 V(负载电流为-10 mA)以及11 V(空载)时,输出电压均满足设计指标。  相似文献   

6.
范建功  冯全源 《微电子学》2016,46(1):38-40, 44
在传统的电荷泵中,通常将更多的设计重点放在电荷泵的升压效率问题上。但是,在低电压工艺中,过高的电压会让MOS管处于被击穿的危险之中,同时,开关管的导通电阻随电源电压的变化很明显。针对上述问题,提出了一种具有输出限压功能的电荷泵。采用0.5 μm UMC工艺,利用Cadence和Hspice软件进行电路设计与仿真。结果表明,当电源电压在2.7~5.5 V范围内变化时,电荷泵的输出电压可控制在一定范围内,并且开关管的导通电阻变化很小。  相似文献   

7.
设计了一款基于电荷泵高压内电源的恒定跨导轨到轨运算放大器.输入级采用PMOS差分对结构,通过电荷泵产生高于电源电压的输入级内电源,使运放在轨到轨输入范围能正常工作并保持输入跨导恒定.电荷泵电路所需的时钟信号通过内部振荡器电路产生,再通过电压自举电路和时序电路产生所需电平的非交叠开关控制信号,最后利用时间交织结构输出连续稳定的高压内电源.在电荷泵实现中还采用了辅助开关结合跟随运放的结构降低了主开关在切换时的毛刺.该运放在折叠式共源共栅结构中使用增益自举结构提高了总体增益,输出级采用class AB类输出结构实现轨到轨输出.该运算放大器基于0.5μm CMOS工艺完成电路与版图设计,仿真结果表明,在5 V电源电压下,直流增益为150.76 dB,单位增益带宽为53.407 MHz,相位裕度为96.1°,输入级跨导在轨到轨输入共模范围内的变化率为0.001 25%.  相似文献   

8.
如果我们想在负载不均匀的电池正、负输入和输出端之间改变电荷方向,我们就得采用能反相的直流变压器。解决办法之一就是采用图1所示的对称回扫变换电路。该电路能够从一个正电源产生一个负电压输出,或者从一个负电源产生一个正电压输出。在该电路启动的时候,输出端场效应晶体管的衬底二极管,将输出电压提升到同步开关工作开始所需的电压值。如果门控开关信号是对称的,那么输出电压将接近输入电压的95%,而转换效率将大于80%。通  相似文献   

9.
采用0.18 mm CMOS SOI 工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开关电路低电压,负电压电荷泵产生一个负压,用以改善开关的性能。制作的SOI 开关具有良好的性能,芯片测试表明,开关导通状态下从DC 到9 GHz 范围内插损小于1.7 dB,关断状态下隔离度大于28.5 dB,回波损耗小于-15 dB,开关开启时间为1.06 ms。芯片的尺寸为0.87 mm′1.08 mm。  相似文献   

10.
一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了得到稳定的输出电压,电荷泵电路需要通过负反馈系统进行控制.在传统的"Skip"模式电荷泵中,采用工作在线性区的MOS管做开关,通过控制振荡器来调节输出电压,但这种方式会产生较大的输出电压纹波.设计了一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵,通过控制饱和区MOS管的导通电阻来调节电荷泵的输出电压.它工作在占空比为50%的方波信号下,具有很低的输出电压纹波(37mV).  相似文献   

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