光盘系统用半导体激光器

半导体激光器（ＬＤ）作为读取光盘信息的光源,是ＣＤ、ＤＶＤ播放机／ＲＯＭ等光盘系统的重要器件,它的性能往往决定系统的整体性能。文中叙述了光盘用ＬＤ的发展历程及特点,并着重介绍了近红外、红光、紫光、ＬＤ及双工ＬＤ的开发现状。     

光盘用高功率半导体激光器

光盘记录是高功率单模半导体激光器、尤其是AlGaAs二极管激光器的最重要应用之一。在这种应用中，要求激光器有高的输出功率,单模稳定,波长较短,发散角小，室温运转,在光盘上具有很确定的聚焦光斑,光斑尺寸接近光学衍射极限。     

100W光盘用半导体激光器

日本松下电子产业公司开发出适于高速改写型CD—R驱动装置用的低耗电、高可靠性的半导体激光器。采用该激光器可提高光利用效率、利于光学系统简化,可实现100mW高输出,寿命超过1万小时。除CD—R外,还可作为CD—RW和MO等光盘     

光盘记录用的大功率半导体激光器

日本三菱电机光、微波器件研究所研制成在90℃高温下光输出功率达40mW 以上、光盘写入用的红色可见光半导体激光器。光盘装置写入用的光源,一般为光输出功率80mw 的半导体激光器。为使半导体激光器输出功率大,必须做到以下几点。     

光盘存储装置用的高功率半导体激光器

东芝研制成光盘存储装置用的高功率半导体激光器TOL500。本产品除了能把最大输出30 mW的高功率激光稳定地聚焦成细束(束径1 μm，低于以往的2/3)外，用于光盘装置时，对介质可进行更高密度的记录，减少小坑有无的检测差错。由于单位面积的照射量大，能以较小的功率把信息写入光盘，并使可靠性得以提高。     

输出20mW光盘用的半导体激光器

日本三洋电机公司出售在同一盒内装有3个元件的半导体激光器,供光盘使用。它能同时进行擦除、读出、记录。擦除、记录用元件的光输出20mW,读出用元件的光输出5mW。中央有读出用元件,各元件激射区的间隔为150μm。     

用红色半导体激光器获得两束激光

日本松下电器产业公司用红色半导体激光器首次成功从1芯片获得2束激光。在芯片上使2个半导体激光器集成,而分别放在材料的两面,使其不受放热的影响互相不受干涉,与过去的红外半导体激光器相比数字传输实现了高速化改写读存取操作,将来高的速度是以前的2.6倍,如果与高密度大容量光盘相组合的话,期望光盘系统成为高像质的图像记录装置。     

采用蓝色半导体激光器的光盘

日本某工业公司采用日亚化学工业公司生产的405nm波长半导体激光器开发了光盘装置.单面容量7.5Gbyte,将来缩短间距单面容量可提高到1.5Gbite.     

高功率高亮度半导体激光器合束进展

半导体激光器体积小、效率高,但单元输出功率低、光束质量差限制了其应用。介绍了提升半导体激光器功率及光束质量的最新进展,对各种技术途径和实验结果进行了综述报道,并具体介绍了中国科学院长春光学精密机械与物理研究所近年来在高亮度半导体激光器芯片及合束方面取得的进展。     

信息处理用半导体激光器

用于信息处理的半导体激光器的开发进展极其迅速,其产销量已占激光市场的绝大部分。为了适应先进处理装置的要求,这种器件正朝着短波长、大功率化以及多光束方面发展。     

光纤通信用半导体激光器

半导体激光器是光纤通信用的主要光源,由于光纤通信系统具有不同的应用层次和结构,因而需要不同类型的半导体激光器。文章根据目前光纤通信系统的发展趋势,介绍几种典型的光纤通信用半导体激光器件———法布里-珀罗激光器、分布反馈半导体激光器、电吸收型调制器集成光源、波长可选择光源、垂直腔面发射激光器的特点和发展方向。     

三光束光纤干涉仪

本文提出了一种三光束多模光纤干涉仪,研究了它的某些特性,与其它干涉仪相比,它有独特的优点.     

空间光通信用半导体激光器

自由空间激光通信技术是未来空间基础设施的关键技术之一,作为其光源的半导体激光器,有特殊的要求,主要是适合大气传输的低损耗波长窗口、超大功率、窄波束宽度,以及高数据速率。主要介绍自由空间激光通信对半导体激光器性能的要求,以及目前用于空间光通信的半导体光源的开发进展。     

用于小型光盘唱机的更小型半导体激光器

据《亚洲华尔街杂志》报导，日本夏普公司在市场上为小型光盘唱机提供了一种尺寸进一步小型化的半导体激光器，其售值为1000日元（约合14马克)。这就可以使目前的光盘尺寸减小25%。该公司还与索尼公司达成协议，将这种用于小型光盘唱机的半导体激光器标准化，使其适用于所有制造商所出的设备。     

半导体激光器相干合束技术（特邀）

大功率高光束质量半导体激光器在激光加工、激光通信、科学研究等方面有着广泛的应用,提高半导体激光器的功率和光束质量一直都是国际的研究前沿和学科热点。合束技术是提高半导体激光器输出功率最简单有效的方法。非相干合束技术提高输出功率往往以损失空间、偏振或光谱特性为代价,在对光束特性要求不高的场合应用较为成熟。相干合束技术在提高半导体激光器输出功率的同时还能提高光束质量、压窄频谱宽度,是高亮度窄线宽半导体激光技术发展的重要方向。本文简述了相干合束技术的原理及要求,从锁相技术出发,综述了半导体激光器相干合束技术近年来的发展现状,总结了主动锁相和被动锁相的优缺点,主动锁相技术采用主振荡放大结构通过相位负反馈技术实现锁相,在合束单元数量上具有优势,能获得大功率相干输出,但结构较为复杂。被动锁相技术结构简单,一般通过外腔的衍射效应或者共腔技术实现单元间的相位锁定,具备自组织锁相特点,但不易获得高功率输出。最后对半导体激光器相干合束技术的未来发展进行了展望。     

半导体激光器密集波长合束技术研究综述

半导体激光器自发明以来,凭借其自身高稳定性、高光电转换效率、体积小等优势被广泛应用在各个领域,但是由于其快慢轴光束质量差异较大,影响了其应用范围.密集波长合束技术作为一种有效提高半导体激光亮度的方法,是当前的研究热点.文中分析了国内外高功率、高光束质量半导体激光器密集波长合束技术发展状况,讨论了合束技术特点,展望了发展...     

相干光通信用的半导体激光器

松下电器产业公司半导体研究中心幵发出相干光通信用的新型半导体激光器。相干光通信传输的信息量可达目前光通信的十万倍。