用准分子激光使自显影光刻胶曝光

半导体工程师寻找有用的自显影光刻胶已有多年。这种光刻胶可用于半导体加工过程中很少几个阶段，可能节约生产成本。虽然已研究过几种这类材料，但它们都有一种或多种问题，诸如副产品有毒、曝光需要高强度辐照量、化学不稳定性等。     

准分子激光曝光系统研究

本文基于准分子激光曝光系统的特点，对准分子激光束的整形，光束能量分布“均化”，曝光剂量控制，光学材料选取等关键问题，提出了解决的方法。并介绍了一种高均匀性ＫｒＦ准分子激先曝光系统的研制结果。     

基于0.35 μm工艺的Delta-Sigma ADC实现

在众多音频模教转换器中,Delta-Sigma是一种很流行的结构,其内部采用位A/D转换器.因此其对模拟信号处理部分的电路要求远远小于对整个电路的精度要求.在局部模块的精度较低时也能正常工作.Delta-SigmaA/D主要应用于中低带宽的音频信号,讨论采用AMS 0.35μm PDK实现模数转换电路.该电路核心部分采用FoldedCascode结构的差动放大器,仿真结果表明该结构的电路能较稳定地工作于低频段.     

4Gbit DRAM用的ArF准分子激光曝光技术

据日本《电子技术》1996年第8期报道，日本富士通公司为了1GbitDRAM的规模生产需要，开发了ArF准分子激光曝光技术，成功地形成了用于4GbitDRAM的0．13μm尺寸的图形。ArF准分子激光（波长193nm）因比原i线光学光刻（波长365nm）的波长短，所以必须同时开发新的光刻材料。该公司开发了环氧树脂类的单层胶（2MAdMA—MLMA）和超高分辨率技术。并结合移相掩模技术实现了最小线宽为0．12μm的图形。采用该技术适用于4GbitDRAM0．13μm尺寸的存储单元，单元尺寸为0．59μ×0．34μm，单元面积为0．20μm2。4Gbit DRAM用的ArF准分子…     

An Active Recursive RF Filter in 0.35 μm BiCMOS

An active recursive filter approach is proposed for the implementaion of an inductorless, tuneable RF filter in BiCMOS. A test circuit was designed and manufactured in a 0.35 μm SiGe BiCMOS technology. In simulations, the feasibility of this type of filter was demonstrated and reasonably good performance was obtained. The simulations show a center frequency tuning range from 6 to 9.4 GHz and a noise figure of 8.8 to 10.4 dB depending on center frequency. Gain and Q-value are tunable in a wide range. Simulated IIP-3 and 1-dB compression point is ?26 and ?34 dBm respectively, simulated at the center frequency 8.5 GHz and with 15 dB gain. Measurements on the fabricated device shows a center frequency tuning range from 6.6 to 10 GHz, i.e. slightly higher center frequencies were measured than the simulated.     

0.35 μm SiGe BiCMOS隔离深槽表面形貌研究

针对0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h2、深槽顶部开口宽度Wtp以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h2=220 nm,Wtp=0.7~0.9 μm,h3=150~200 nm时,获得了较好的深槽表面形貌,其隔离漏电流小于0.05 nA/μm,可用于0.35 μm SiGe BiCMOS工艺的隔离。     

用电子束与激光干涉仪精密测定集成电路图案刻线宽度的装置

日本工业技术计量研究院研究出高精度测定超大规模集成电路中微小图案线宽的测量装置。为测定图案的线宽，必须掌握检测刻线边缘位置的方法，并具有测定边缘间距的长度标尺。在这次开发的装置中，边缘位置由电子束检测，而用髙灵敏度激光干涉仪作长度标尺，因而能以毫微米的分辨率对微米量级的线宽作高精度测量。     

0.35 μm SiGe BiCMOS工艺Colpitts振荡器分析与设计

应用标准0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计Colpitts压控振荡器。采用开环S参数计算电路指标,计算结果与测量结果符合较好。测量结果表明,在3.3V电源电压下,压控振荡器的频率范围覆盖340~400MHz,10kHz频偏处相位噪声为-91dBc/Hz,输出功率-3dBm。芯片面积550μm×300μm。     

A 2.4 GHz power amplifier in 0.35 μm SiGe BiCMOS

This paper presents a 2.4 GHz power amplifier (PA) designed and implemented in 0.35 μm SiGe BiCMOS technology. Instead of chip grounding through PCB vias, a metal plate with a mesa connecting ground is designed to decrease the parasitics in the PCB, improving the stability and the gain of the circuit. In addition, a low-pass network for output matching is designed to improve the linearity and power capability. At 2.4 GHz, a P_(1dB) of 15.7 dBm has been measured, and the small signal gain is 27.6 dB with S_(11) < -7 dB and S_(22) < -15 dB.     

基于0.35 μm工艺设计的APS CMOS图像传感器

介绍了一种基于CHRT公司0.35 μm工艺而设计的CMOS图像传感器.该图像传感器采用APS像素结构,像素阵列256×256,包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块.该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音,并已经通过MPW采用CHRT 0.35 μm salicide 2P4M工艺流片.     

基于0.35 μm GeSi-BiCMOS工艺的1 GSPS采样保持电路

介绍了一种基于0.35μmGeSi-BiCMOS工艺的1GSPS采样/保持电路。该电路采用全差分开环结构,使用局部反馈提高开环缓冲放大器的线性度;采用增益、失调数字校正电路补偿高频输入信号衰减和工艺匹配误差造成的失调。在1GS/s采样率、484.375MHz输入信号频率、3.3V电源电压下进行仿真。结果显示,电路的SFDR达到75.6dB,THD为-74.9dB,功耗87mW。将该采样/保持电路用于一个8位1GSPSA/D转换器。流片测试结果表明,在1GSPS采样率,240.123MHz和5.123MHz输入信号下,8位A/D转换器的SNR为41.39dB和43.19dB。     

光刻用准分子激光器

用KrF准分子激光器作光源的64M bit-DRAM的光刻生产线已正式引进到半导体工厂。准分子激光器的生产也逐渐走向正规。并且,ArF准分子激光器光刻的研究开发是以1G bit DRAM为主,不仅要提高准分子激光器的性能.还要达到高可靠性、易维修、操作简单。本文将介绍准分子激光器在高性能、高可靠性方面的研究课题及现状。其次介绍生产用KrF准分子激光器以及研究用ArF准分子激光器的最新开发动向及其外围课题。     

用准分子激光进行微加工

大多数激光材料加工应用都落在两个范畴内，即宏观和亚微米范畴。宏观加工应用指的是焊接、切削和钢板、纸张、尼龙材料的切割。在加工尺寸的另一端，对半导体的亚微米加工可制作现代大容量存储器和中央处理器（CPU）芯片。介于这两者之间的加工方式称做加工，它复盖1μm～1mm之间的范围。读者可能已在广告和文章中看到微加工的图形，如刻写在人头发丝和微型金刚石齿轮上的字符。虽然这种图形有力地说明准分子激光在微加工方面的潜力，但直至最近，这种潜力还没有得到真正实际应用。随着微加工正在成为工业激光市场中最快增长部门之一，以…     

1.06 μm、0.53 μm全固态激光双波长复合输出技术研究

针对现阶段光电对抗单波长激光干扰的局限性,提出了干扰激光双波长复合输出方案,为军用光电对抗设备的通用化和小型化提供了有效思路。利用稳态和速率方程理论分别建立了连续和脉冲激光复合输出模型,通过数值仿真探究了倍频晶体长度和腔镜基频透射率对复合激光输出功率成分的影响。在连续输出状态下,存在最佳基频透射率使基频输出功率最高;对于两种输出状态,都存在最佳倍频晶体长度使倍频输出功率最高。通过实验验证了连续和脉冲输出状态下复合激光输出功率成分随腔镜基频透过率的变化关系,并进一步探究了重复频率对复合激光输出的影响。     

高能长脉冲准分子激光脉冲宽度压缩技术

文中提出了利用受抑全内反射(FTIR)开关,综合种子注入和腔倒空技术来实现高能长脉冲准分子激光脉冲宽度压缩的设想.分析了FTIR开关在应用中需要解决的关键问题.同时讨论了注入种子技术中使用非稳腔结构提取最大能量和获得高光束质量需要考虑的一般性问题.     

1.06 μm激光大气散射模型研究

运用米氏散射理论,分析了单个粒子散射特性,建立了1.06 μm激光近地面大气传输散射模型.通过该模型的仿真计算,得到了不同离轴距离条件下,探测方向与散射照度的变化关系曲线;不同气象能见度条件下,散射照度随离轴距离的变化曲线.散射照度不仅与气象能见度有关,而且与激光传输距离也有很大关系.使用实测数据对模型进行了校验,结果表明,实测数据与模型计算数据能够较好地吻合.     

X线缩小曝光获得0.07μm图形

<正>据日本《Semiconductor World》1993年第9期报道,日立中央研究所采用文部省高能物理研究所的同步加速器(SOR),以反射型掩模和X线缩小曝光技术获得16 G DRAM以后的0.07/μm图形。 该实验采用13nmX线。为了获得高反射率需要使用两种折射率不同的交叉叠成的多层膜。该膜为Mo/Si 40层多层膜(6.7nm×40对),在13nm波长下获得60％的反射率。以各向异性于蚀方法将多层膜制成反射型掩模。被掩模反射的X线经凸面、凹面反射镜反射缩小后投影到样片上实现了缩小曝光。掩模与样片间的距离约为250mm,缩小率为1/20。在这次实验中开发了高精度激光干涉计测量系统,既可计测光学波面像差,又可微调密勒位置。以获得高清晰度效果。该实验的目的是为了验证X线缩小曝光的分辨率原理,以推进今后的研究和开发,并进入实用阶段。     

3.76 μm中红外激光参量振荡器

在电光调 Q,灯抽运 1.0 6 μm Nd:YAG激光抽运下 ,以 L i Nb O3 晶体为工作物质 ,利用光参量振荡技术成功实现了 3.76 μm中红外激光输出 .重复频率 5Hz时 ,单脉冲能量达 7m J.     

基于0.35 μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管

提出了一种基于0.35 μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode, APD）。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离（Separate Absorption, Charge and Multiplication, SACM）的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层,并不需要任何工艺修改,这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明,横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M = 10和M = 50时,暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450 ~ 1050 nm。当反向偏置电压为20 V,即M = 1时,峰值响应波长约为775 nm。当单位增益 （M = 1） 时,在532 nm处的响应度约为最大值的一半。