晶体生长研究用全息系统的设计和应用

在晶体生长研究中,全息技术与普通显微技术相比,具有独特的优点。在一个比较大的实验容器内生长的晶体的成象可用高分辨率来记录。既然记录了目标信号的幅度和相位,用干涉测量技术就可以精确地测量晶体的形状和生长速率。因此,用全息技术就可对晶体形状稳定性的理论进行严格检验。     

MOCVD脉冲生长对InGaN太阳能电池材料的影响

通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量。但由于生长时反应室In原子浓度变小,In的组分会降低,也会减小In滴的析出。     

新型单晶引上装置

日本茨城县的阿斯卡罗公司制成并正式出售能生长大型优质单晶的新型单晶引上装置。这种装置是在充满晶体原料熔液的白金坩埚中装入用同样白金制成的隔板，移动隔板即可生长出组分均匀的单晶，晶体 的杂质浓度波动可控制在0.05%以下。除了能生长YAG以及其它激光单晶外，还能生长具有全功能的光学晶体，看来具有很大潜力。     

生长速率对碲镉汞晶体组分变化的影响

在一个宽的生长速率范围生长了碲镉汞晶体。用光学透射法和密度测量法研究了所生长之晶体的轴向和径向的组分变化。以较慢的速率生长的晶体,轴向组分分布类似充分混合的熔体正常凝固时的情况。可以用边界层机理来解释这些晶体中径向组分的变化。在快速生长的晶体中,观察到了所希望的均匀的轴向组分分布,而径向的组分变化可以用热流的影响加以解释。     

坩埚旋转的水平移动加热器法生长Hg_（1－x）Cd_xTe

首次研究了一种水平移动加热器法（ＴＨＭ）从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触，强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的ＴＨＭ材料相当。     

碲镉汞中的汞空位扩散

在用移动加热器法（ＴＨＭ）生长的碲镉汞（Ｈｇ＿（０．８）Ｃｄ＿（０．２）Ｔｅ）晶体中，发现在最后凝固部分的载流子浓度明显增加，可以认为载流子与汞空位等同。观测的纵向空位浓度分布可以用一个顾及到沿晶体长度不同部分的热随时间变化过程和依赖于Ｈｇ空位扩散系数的浓度模型作定量描述。     

立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究

本文通过光致发光（ＰＬ）测试发现了ＮＨ３流量的大小对以ＧａＡｓ（１００）为衬底生长立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体性质的影响的规律,ＮＨ３流量愈少,立方相ＡｌＧａＮ的纯度愈高,而且,其发光峰的位置向短波长方向移动．在同一样品中,ＮＨ３气流的下游的晶体纯度高于上游,而且其发光峰的位置向短波长方向移动．选择合适的生长条件,制备出纯度较高的立方相ＡｌｘＧａ１－ｘＮ晶体,并对实验结果进行了简单的讨论     

上海光机所生长出大尺寸优质Nd:YAG晶体

1986年1月14日,来自全国各地的20多位专家对中国科学院上海光机所生长的大尺寸优质Nd:YAG晶体进行了技术鉴定。 目前国际上一般采用感应加热铱坩埚引上法生长Nd:YAG晶体。上海光机所在多年生长Nd:YAG晶体的基础上,承担了1983～1986年的攻关任务,采用感应加热,电阻加热引上法及温梯法三种工艺生长晶体,研究了晶体的生长习性,注重晶体棒的精细选取,并进行了RAP(反应气氛法)处理原料和激光棒的实验,提高了激光棒的光学均匀性与激光效率。     

用液封法生长的InP单晶的制备和电学性质

已采用液封技术可靠地生长磷化铟的完整单晶。晶体是在一个压力箱室中约在27个大气压惰性气氛下从被液封的溶体中拉制出的。为了生产高质量的晶体,必须控制各种生长现象:基本的组分过冷以及双晶。这些方面将和观察到的位错及条纹一起进行讨论。同时也进行了有关生长高纯非掺杂 n 型材料及半绝缘材料的研究。对非掺杂的晶体的电学性质进行了分析。这些晶体的自由电子浓度在一个很大范围内变化可以用补偿来解释。     

稳频方案的通盘考虑

引言本文通盘考虑了过去用于气体激光自动稳频的几种技术,并讨论了这些技术对CO_2激光器的适用性。在大多数情况下,反馈稳频方案的最终结果乃是控制及移动一个激光腔镜。因为激光频率主要是由各镜之间的光程长度决定的,也可采用能控制该参量的其他方法。这些方法有:在光学腔内采用电光相位延迟晶体或者采用可变压强的气体容器,以获得可     

淬火固态再结晶工艺研究

本文在分析淬火固态再结晶(CR)工艺生长碲镉汞(MCT)晶体原理基础上,研究了 CR 工艺生长 MCT 晶体有关步骤,改进了合成、淬火及再结晶工艺。合成时采用混合温度分布方式简化了升温及合成炉摆动工艺;淬火时在反应管内加石墨塞子改善了晶体组分均匀性;再结晶时采用温度梯度退火提高了再结晶效率。对改进工艺生长的 MCT(x=0.2)晶体组分均匀性、结构完整性、光学和电学性质进行了分析,结果表明晶体质量有明显提高。     

(Hg,Zn)Te红外探测器首次研制成功

用移动熔区法生长的(Hg,Zn)Te晶体制成了光伏探测器。本文首次介绍并讨论了此探测器的特征。     

Web服务器为移动终端创建数据容器的一种有效方法

提出并设计了一套在Web服务端为移动终端客户创建大小容器的方法和模式,使移动客户能够在服务器端创建临时容纳批量数据对象的大小容器,减少网上数据流量;客户的每次请求将小容器从大容器取出,按照需求对小容器数据进行同步处理,完后将该小容器根据用户的标识保存在大容器中,在整个请求处理完数据后,可将该小容器取消,节省内存开资,解决了并发过程可能产生的脏数据问题,这种设计模式在实际工程行之有效,已经推广应用。     

用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性

本文报道利用直流反应磁控溅射技术在Ａｌ２Ｏ３上生长一层ＺｎＯ,再用ＬＰＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长ＧａＮ．实验发现低温生长ＣａＮ过渡层有利于晶体质量的提高;ＰＬ谱主峰红移到蓝光区;二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）测量发现有Ｚｎ扩散到ＧａＮ外延层,Ｚｎ的扩散引起光致发光谱主峰移动．估算出在１０５０℃Ｚｎ在ＧａＮ中扩散系数是８６×１０－１４ｃｍ２／ｓ．     

降低碲镉汞中组份梯度的方法

在低于固相线温度下,利用密封容器热处理碲镉汞,消除了碲镉汞体内的组份梯度。密封容器中,单一组元的蒸汽压值保持在低于碲镉汞晶体各组元的平衡蒸汽压上。     

物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.     

空间生长的GaAs单晶的结构特性观察

为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解腐蚀,透射电子显微镜(TEM)和阴极莹光(CL)对地面籽晶部分和空间重熔晶体部分的结构性质进行了比较性现察,实验结果如下:1)用KOH溶液电解腐蚀完成了对该晶体的杂质条纹显示,结果表明:地面生长的单晶有明显的杂质条纹,空间生长的晶体中无杂质条纹(图1)。2)在地面籽晶和空间生长晶体的界面处存在一个晶体完整性较高的区域。CL形貌相上显示出亮带(图2)。TEM观察发现界面区的微缺陷浓度远低于基体,存在一个宽度至少为5μm的“清洁区”,在     

物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征

利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.     

环境温度梯度与生长晶体内热弹性应力关系的理论分析

本文把环境温度梯度作为一个变量引入LEC法生长的理论模型中进行分析,得到了晶体中温度分布的表达式.利用该式建立了不同环境温度梯度下晶体中切应力与位错密度的关系.以LEC法生长InP单晶为例的计算结果表明:降低环境温度梯度有助于减少晶体中的位错密度.     

高功率CO_2激光器窗口用的高纯低吸收KCl晶体

KCl晶体具有较宽的红外透过波段,低的本征吸收系数和负折射率温度系数,从而有较高的光畸变品质因数,是目前高功率CO_2激光窗口的最佳材料之一。 中国科学院上海光机所用RAP(反应气氛法)Bridgman方法获得了低吸收KCl单晶。生长这种晶体时,先在高温下由高纯氩运载四氯化碳蒸气注入融熔的氯化钾中,让其充分反应,去除氯化钾中含氧阴离子杂质,达到纯化的目的,再采用Bridgman法长成晶体。