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在晶体生长研究中,全息技术与普通显微技术相比,具有独特的优点。在一个比较大的实验容器内生长的晶体的成象可用高分辨率来记录。既然记录了目标信号的幅度和相位,用干涉测量技术就可以精确地测量晶体的形状和生长速率。因此,用全息技术就可对晶体形状稳定性的理论进行严格检验。 相似文献
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张荣康 《激光与光电子学进展》1987,24(9):47
日本茨城县的阿斯卡罗公司制成并正式出售能生长大型优质单晶的新型单晶引上装置。这种装置是在充满晶体原料熔液的白金坩埚中装入用同样白金制成的隔板,移动隔板即可生长出组分均匀的单晶,晶体 的杂质浓度波动可控制在0.05%以下。除了能生长YAG以及其它激光单晶外,还能生长具有全功能的光学晶体,看来具有很大潜力。 相似文献
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在一个宽的生长速率范围生长了碲镉汞晶体。用光学透射法和密度测量法研究了所生长之晶体的轴向和径向的组分变化。以较慢的速率生长的晶体,轴向组分分布类似充分混合的熔体正常凝固时的情况。可以用边界层机理来解释这些晶体中径向组分的变化。在快速生长的晶体中,观察到了所希望的均匀的轴向组分分布,而径向的组分变化可以用热流的影响加以解释。 相似文献
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首次研究了一种水平移动加热器法(THM)从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触,强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的THM材料相当。 相似文献
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在用移动加热器法(THM)生长的碲镉汞(Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te)晶体中,发现在最后凝固部分的载流子浓度明显增加,可以认为载流子与汞空位等同。观测的纵向空位浓度分布可以用一个顾及到沿晶体长度不同部分的热随时间变化过程和依赖于Hg空位扩散系数的浓度模型作定量描述。 相似文献
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1986年1月14日,来自全国各地的20多位专家对中国科学院上海光机所生长的大尺寸优质Nd:YAG晶体进行了技术鉴定。 目前国际上一般采用感应加热铱坩埚引上法生长Nd:YAG晶体。上海光机所在多年生长Nd:YAG晶体的基础上,承担了1983~1986年的攻关任务,采用感应加热,电阻加热引上法及温梯法三种工艺生长晶体,研究了晶体的生长习性,注重晶体棒的精细选取,并进行了RAP(反应气氛法)处理原料和激光棒的实验,提高了激光棒的光学均匀性与激光效率。 相似文献
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已采用液封技术可靠地生长磷化铟的完整单晶。晶体是在一个压力箱室中约在27个大气压惰性气氛下从被液封的溶体中拉制出的。为了生产高质量的晶体,必须控制各种生长现象:基本的组分过冷以及双晶。这些方面将和观察到的位错及条纹一起进行讨论。同时也进行了有关生长高纯非掺杂 n 型材料及半绝缘材料的研究。对非掺杂的晶体的电学性质进行了分析。这些晶体的自由电子浓度在一个很大范围内变化可以用补偿来解释。 相似文献
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用移动熔区法生长的(Hg,Zn)Te晶体制成了光伏探测器。本文首次介绍并讨论了此探测器的特征。 相似文献
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提出并设计了一套在Web服务端为移动终端客户创建大小容器的方法和模式,使移动客户能够在服务器端创建临时容纳批量数据对象的大小容器,减少网上数据流量;客户的每次请求将小容器从大容器取出,按照需求对小容器数据进行同步处理,完后将该小容器根据用户的标识保存在大容器中,在整个请求处理完数据后,可将该小容器取消,节省内存开资,解决了并发过程可能产生的脏数据问题,这种设计模式在实际工程行之有效,已经推广应用。 相似文献
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在低于固相线温度下,利用密封容器热处理碲镉汞,消除了碲镉汞体内的组份梯度。密封容器中,单一组元的蒸汽压值保持在低于碲镉汞晶体各组元的平衡蒸汽压上。 相似文献
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为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解腐蚀,透射电子显微镜(TEM)和阴极莹光(CL)对地面籽晶部分和空间重熔晶体部分的结构性质进行了比较性现察,实验结果如下:1)用KOH溶液电解腐蚀完成了对该晶体的杂质条纹显示,结果表明:地面生长的单晶有明显的杂质条纹,空间生长的晶体中无杂质条纹(图1)。2)在地面籽晶和空间生长晶体的界面处存在一个晶体完整性较高的区域。CL形貌相上显示出亮带(图2)。TEM观察发现界面区的微缺陷浓度远低于基体,存在一个宽度至少为5μm的“清洁区”,在 相似文献
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本文把环境温度梯度作为一个变量引入LEC法生长的理论模型中进行分析,得到了晶体中温度分布的表达式.利用该式建立了不同环境温度梯度下晶体中切应力与位错密度的关系.以LEC法生长InP单晶为例的计算结果表明:降低环境温度梯度有助于减少晶体中的位错密度. 相似文献
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KCl晶体具有较宽的红外透过波段,低的本征吸收系数和负折射率温度系数,从而有较高的光畸变品质因数,是目前高功率CO_2激光窗口的最佳材料之一。 中国科学院上海光机所用RAP(反应气氛法)Bridgman方法获得了低吸收KCl单晶。生长这种晶体时,先在高温下由高纯氩运载四氯化碳蒸气注入融熔的氯化钾中,让其充分反应,去除氯化钾中含氧阴离子杂质,达到纯化的目的,再采用Bridgman法长成晶体。 相似文献