微波集成电中处中三维金属结构的复镜象分析

本文用一种有效方法对空间微波集成电路中的三维金属结构进行全波分析,即使用在微波平面电路中行之有效的混合势方程于三维微不皮集成电路中,并引进镜象格林函数法对矢量势和标量势进行分析,计算空气桥的散射矩阵,研究表明,节省了有效计算时间。文中还对空气桥结构作更为深入的分析,研究空气桥的厚度和长度对散射矩阵的影响。     

三维微电子学综述

三维微电子学主要研究三维集成电路的设计与制造。文章讨论了三维集成电路的概念、发明思想、结构、优点、制造及其挑战和应用等。三维微电子技术必将成为未来发展的新兴技术。     

三维高密度组装技术

作为LSI电路组装技术,采用立体组装方法大体是可分为3种:(1)圆片级三绯组装方法;(2)芯片级三维组装方法;(3)封装级三维组装方法。它们各有特点,难易程度不同,面临的研究课题也小相     

三维微波集成电路的发展

近几年来,三维微波集成电路的研制在各方面均取得了一定的进展,作为新一代体积更小的微波集成电路,必将随着信息时代的发展,在移动通信、卫星直播电视等装置中获得广泛应用。本文综述三维微波集成电路近几年来的发展。     

支线加载三维对称凝缩节点TLM方法中TLM网格对波的数值调制效应

本文研究了支线加载三维对称凝缩节点ＴＬＭ方法中支线加载ＴＬＭ方法中支线加载ＴＬＭ网格对波的数值调制效应，给出了相应的修正方法，进一步发展了三维ＴＬＭ时域电磁场模拟理论和技术。     

三维互连全耦合电容矩阵的层次式提取算法

基于直接边界元素法,提出一种边界电容矩阵概念,从而实现了三维互连电容的层次式提取算法．该算法将三维求解区域划分为若干小块,对每个小块分别计算其边界电容矩阵,再通过层次式合并算法便可得到全耦合互连电容矩阵．数值实验表明,本方法进行电容提取的速度比商业软件SpiceLink、虚拟多介质快速算法、区域分解法等均快一个数量级以上．     

三维互连全耦合电容矩阵的层次式提取算法

基于直接边界元素法,提出一种边界电容矩阵概念,从而实现了三维互连电容的层次式提取算法.该算法将三维求解区域划分为若干小块,对每个小块分别计算其边界电容矩阵,再通过层次式合并算法便可得到全耦合互连电容矩阵.数值实验表明,本方法进行电容提取的速度比商业软件SpiceLink、虚拟多介质快速算法、区域分解法等均快一个数量级以上.     

VLSI集成电路版图点到点三维电阻计算

在超大规模集成电路（VLSI）电路设计中,两点之间的等效电阻是设计人员所要考虑的重要参数。随着深亚微米工艺的广泛应用,版图形体日趋复杂,现有版图电阻提取工具的计算方法已难满足精度要求。本文提出了对于不同种类的三维复杂形体,其电阻网络采用不同的提取方法。对于简单形体采用解析法,对于复杂形体通过三维边界元计算方法提取版图电阻。基于提取的电阻网络,通过求解电路方程计算两点之间的等效电阻。实验表明,此方法对于实际电路设计中任意两点等效电阻计算,相比较于现有工具的方法具有计算速度快,计算精度高,计算效果好等特点。     

三维涡流计算中最少变量数边界积分方程的一个注记

本文回顾了求解三维电磁场涡流问题的数值计算方法,其中最少变量数边界积分方程法(Boundary Integral Equations of Minimum Order Method)具有很多优点.但提出该方法的论文以及后续论文中的边界积分方程中存在一些错误,本文给出了边界积分方程的极限推导过程,改正了这些错误.     

微波集成电路技术—回顾与展望

半个多世纪来 ,微波电路技术经历了从分立电路、两维微波集成电路、三维微波集成电路等阶段。在回顾这一发展历程后 ,介绍多层微波集成电路和三维微波集成电路。阐述其产生背景、关键技术及发展方向。文中将涉及微加工技术以及从直流至射频的多芯片全集成新概念。瞻望二十一世纪前景。     

部分扫描法可测性设计

对部分扫描法可测性设计进行了系统的分析，介绍了部分扫描法的最新进展，讨论了目前部分扫描法在集成电路设计中应用存在的问题，在此基础上提出了优化部分扫描可测性设计的方法。     

三维集成电路稳态解和瞬态解的建模与热分析

针对三维集成电路(3D IC)热效应问题,提供了三维集成电路热模型的稳态解析解和瞬态解析解,这些解适用于N层(N≥2)模型;热源可以非均匀分布,瞬态时热源的大小可随时间变化。求解的过程使用了分离变量法、格林函数法和本征函数正交性。通过瞬态解可以获得任意时刻模型的温度场,稳态解是与时间无关的函数,通过它可以直接计算出稳态热传导的温度场。使用所获得的解析解在MATLAB中计算得到的温度场和COMSOL仿真温度场进行比较,结果表明,稳态解计算3层和5层3D IC模型得到的结果和COMSOL仿真结果最大误差在1%左右;使用所获得的瞬态解计算3层和5层3D IC模型得到的结果和COMSOL仿真结果最大误差不超过3%。     

PEEC在微波集成电路中的应用

利用一种高效数值方法——部分元等效电路(PEEC)算法分析计算了典型的三维微波集成电路的结构。以微带线——过孔——微带线为例,应用PEEC方法进行了建模计算,并与商业软件HFSS仿真结果对比。结果比较理想,证明该方法是有效可行的,并且PEEC方法在计算速率上有明显的优势。     

考虑导体厚度的微带结构计算方法研究

本文主要研究考虑导体厚度的三维微带结构,使用若干个零厚度导体去模拟厚导体,为了减少计算量和简化计算方法,用复镜象表示格林函数,Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式表示电荷密度,通过伽略金方法把求解方程变为矩阵方程,计算电容系数。本文结果与已知结果比较,发现此法对三维厚导体板结构进行模拟较简单明了,精度足够,占用ＣＰＵ时间也较少。     

Si-SiGe材料三维CMOS集成电路技术研究

根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这样,电路的本征性能将由Si nMOS决定.使用MEDICI软件对Si-SiGe材料三维CMOS器件及Si-SiGe三维CMOS反相器的电学特性分别进行了模拟分析.模拟结果表明,与Si-Si三维CMOS结构相比,文中提出的Si-SiGe材料三维CMOS集成电路结构具有明显的速度优势.     

三维集成电路测试进展

从小柳光正教授1978年堆叠的两只MOS电容DRAM的三维结构出发,到2010年半导体业界提出了Cu-TSV工艺方法,演进出一部三维集成微纳电子学。本文梳理近6年内的3D-IC测试的一次文献,重点分析了键合前测试、键合中测试和键合后测试。尝试从不同的角度,例如内建自测试、探头技术、串扰、短路与开路检测,以及基于成本优化的温升与应力检测,讨论3D-IC测试所遇到的难题及其解决方法。未来的3D-IC测试技术看好小组数超微探针技术、DfX技术和自适应测试,测试的优化方向必将考虑"成本与功耗折中权重下的良率"新模型。     

二维和三维集成电路的热阻计算

聚焦芯片功耗密度、水平互连焦耳热和垂直互连焦耳热三种温升因素，构造二维和三维集成电路的热阻分析模型，基于2003年国际半导体技术发展路线图（2003-ITRS），计算二维和三维集成电路的热阻和温升参数，给出热阻二维图和温升三维图。分析结论为热阻参数是严重影响二维和三维集成电路发展的瓶颈。     

三维MMIC的进展

据日本《电子材料）1997年第1期报道，日本NTT系统电子研究所的平野真、德满恒雄等人发表了题为“多层、三维微波电路技术的发展动向”的文章。文中介绍了三维MMIC的结构及制作方法，简介如下。图1是三维MMIC的基本结构。制作的电路采用了栅宽为100pm，栅长为03pm，人为23GHz，fmax为80GHz的GaAsMESFET。三维MMIC的尺寸为1．78mm’。是一种20GHz的接收机。该接收机包括三级可变增益放大器、镜像抑制混频器、VCO等。一共使用了22只晶体管。其电路性能，在17－24GHZ下，增益为15dB（镜像抑制比＞20dB），电压为5V，功耗为50mA…     

面向三维集成电路版图设计的EDA插件研究

三维集成是未来微电子系统的发展方向。但是,现阶段的EDA软件如Cadence等却没有覆盖整个三维集成电路版图设计流程。为了更好的满足工程师在三维集成电路设计中的需要,本文基于SKILL语言,对业界主流版图设计工具Cadence Virtuoso进行二次开发,开发出能辅助三维集成电路设计的EDA插件。该EDA插件主要包括三种功能：自动对齐,自动打孔和三维可视化技术。最终,本文在三维集成电路的背景下设计两个并联的反相器。实验表明,该EDA插件能够满足三维集成电路设计的需求,简化了三维集成电路版图设计的过程,具有很好的易用性。     

用有限差分法实现集成电路的电热耦合模拟

文章详细介绍了一种用于集成电路自热效应研究的电热耦合模拟软件(ETsira2)。针对具体的集成电路封装结构以及特定的封装材料，该软件利用有限差分数值算法(FDM)，求解三维热扩散方程；对集成电路芯片进行了精确的三维热学分析和电学性能验证。