PMMA LiClO_4有机薄膜的离子导电性能

用 PMMA预聚合单体与 Li Cl O4粉末以不同比例直接混合均匀 ,固化成 3mm厚的板 ,以它为靶 ,在纯氩气气氛及 rf -溅射沉积条件下制备各种薄膜 ,用双电层电容常数法研究它们的离子导电性能。在室温下测试 ,外加信号 1 2 0 m V,频率 40 0 Hz。实验结果表明 ,当氩气压强 (PA r)为4.7— 7.2 Pa,靶掺杂质量比为 1 0 % ,射频功率密度为 3.9— 4.2 W/ cm2 时得到的薄膜为离子导体。当氩气压强为 6.0 Pa,射频功率密度为 4.2 4 W/ cm2 时 ,膜的双电层电容常数为 7.0× 1 0 -2 μf/ cm2 ,离子导电性能最好 ,其电阻率 >1 0 1 1Ω .cm。利用该离子导体薄膜制备的可变反射电致变色镜 ,Al(40 nm) /α- WO3(1 0 0 nm) / PMMA Li Cl O4(1 60 nm) / Ni O(80 nm) / ITO/ glass,着色态和漂白态可见光平均反射比分别为 0 .2 3和 0 .69。利用红外光谱 (1 90 0— 50 0 cm-1 )对纯 PMMA和 PMMA Li Cl O4离子导体进行分析 ,发现离子导体膜“- C- O- CH3”侧链的吸收峰在 1 1 85.7cm-1 ,非离子导体膜的吸收峰在 969.2 cm-1处 ,前者侧链具有较强的极性。     

室温溅射制备氧化锌铝薄膜及电性能研究

采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备了氧化锌铝透明导电薄膜.研究了溅射功率和氩气压强对薄膜微观结构和电性能的影响.研究表明:溅射功率和氩气压强通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能.溅射功率低于100W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳;氩气压强在0.6～3.0Pa范围内增大时,薄膜的电阻率先缓慢减小后逐步增大,当氩气压强为1.5Pa时可获得1.4×103Ω·cm的最小电阻率.     

射频溅射沉积TaOx薄膜离子导体性能

利用射频反应溅射沉积方法在不同氧含量下以WO3/ITO/Glass为基体,制备了一系列厚度大于200nm的TaOx薄膜,并用Arnoldussen方法检测离子导电性能.结果表明,当溅射功率为150W、氧含量10～80%条件下制备的TaOx薄膜均为离子导体.其中氧含量20-40%时离子导电性能最佳.用TaOx薄膜作为离子导体制备的Al/Niox/TaOx/Wox/ITO/Glass电致变色器件,其着色态在可见光谱范围(0.38-0.78μm)的平均反射比为11.2%,漂白态时对应的平均反射比可达83.2%.本文还讨论了TaOx离子导体的离子导电机理.     

太阳选择性吸收涂层系列讲座(14) 活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(下)

<正>2.4 ZnO掺杂透明导电氧化物沉积透明导电氧化物薄膜,例如SnO2、ITO、ZnO,有很多应用,如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺杂氧化锌膜用射频或脉冲直流溅射陶瓷靶,它含有ZnO和2%(重量比)Al2O3,无论如何靶的代价是过高的,而能用的功率密度是有限的。最近反应磁控溅射Zn:Al靶受到关注,虽然它需电压控制和氧分压强的闭环控制以保证工作在金属/氧化物过渡模式。     

直流磁控溅射制备太阳光谱选择性吸收TiN薄膜

以直流反应磁控溅射方法作为制备手段,选择Ti为靶材,以氩气作为工作气体、氮气为反应气体,在Si(111)基底上制备太阳光谱选择性吸收薄膜TiN,使之具有较好的光谱选择吸收特性。研究发现:在其它工艺参数保持不变的情况下,溅射气压在0.35～1.50Pa范围内,都能制备出(200)择优取向的立方相TiN。而当溅射气压为0.35Pa时沉积的薄膜致密、均匀,色泽金黄,膜厚为132nm,结晶性最好,电阻率最低为33.8μΩ·cm(接近块体氮化钛电阻率)。在可见-近红外光区(波长400～1000nm)的平均吸收率α=0.83,最高红外反射率R=0.90。通过对膜层结构、膜厚、吸收率及反射率的分析,制备的TiN薄膜光谱选择性吸收特性良好,具有很高的应用价值。可用于太阳集热器的吸热表面,并可直接作为光热转换建筑材料。     

碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(下)

图4碲化镉薄膜的生长条件除了氩气压强在2.5～50mTorr范围内变化外,其他沉积条件都保持一样.从图中可以看到:(1)所有薄膜在沉积初期(体层l～2nm厚)都有相对较厚的表面粗糙层.这时沉积下来的碲化镉容易聚成“岛”状而不是平铺成层状,“岛”的高度随氩气压强增加而单调增加;(2)体层厚度2～l0nm之间,上述分离的岛状沉积体扩大后相互接触,底部变成了连贯的体层,因此表面粗糙层厚度降低;(3)体层厚度10nm以上,表面粗糙层的厚度再次增加,而且增加的速率随氩气压强而明显不同.在2.5 ～ 14mTorr范围内,表面粗糙层厚度随氢气压强增加而单调增加(差别达10倍左右),而在14～50mTorr范围内,表面粗糙层厚度随氩气压强增加而单调减少.     

磁控溅射制备柔性衬底ZnO:Ga透明导电膜微结构及性能研究

室温条件下,采用磁控溅射法在有机柔性衬底聚酰亚胺(PI)表面制备出ZnO:Ga透明导电膜,XRD表明ZnO:Ga薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。研究了溅射功率、氩气分压、溅射时间及衬底负偏压等溅射工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响,得出最佳溅射参数分别为:功率100W,氩气分压0.1Pa,溅射时间60min,衬底负偏压40V。结果表明:磁控溅射制备的ZnO:Ga膜附着性良好,电阻率为9.4×10~(-4)Ω·cm,可见光透过率为78%。     

有机薄膜衬底ITO透明导电膜的制备及光电特性的研究

采用真空反应蒸发技术,在有机薄膜基片上制备出高质量的ITO透明导电薄膜,对薄膜的结构和光电特性进行了研究.制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达84%,电阻率为8.23×10-4Ωcm,载流子浓度为1.72×1020cm-3.     

采用TCOs滤波器的硅电池热光伏系统的性能研究

建立了以硅电池为转换器的热光伏(TPV)系统的能量流动模型和透明导电氧化物(TEOs)滤波器的婵论模型;分析了载流子浓度和薄膜厚度等参数对光谱效率的影响,并得到对应于不同辐射器温度下的最佳载流子浓度和薄膜厚度;最后讨论了采用TCOs滤波器对TPV系统件能的影响得出以下结论:以SiC为灰体辐射器,适用于1600～1800K辐射器温度的TCOs滤波器的最优载流子浓度区间为(1.23～1.29)×1021cm-3,薄膜厚度区间为366～340nm.辐射器温度为1800K时,采用了TCOs滤波器的TPV系统的输出电功率密度为0.41 W/cm2,光谱效率和TPV效率分别为37.1%和7.9%;相较于未采用TCOs滤波器的TPV系统,输出电功率密度有一定程度减小,而光谱效率和TPV效率却大幅提升.     

掺锑Zn-Sn-O透明导电膜的制备及特性

采用射频磁控溅射技术在7059玻璃衬底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌-锡-氧(Zn-Sn-O:Sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。Zn-Sn-P:Sb透明导 电膜的电阻率为1．5×10-2Ω·cm,相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8．0×1019cm-3,5.8cm2·v-1·s-1。薄膜的 可见光平均透过率达到了85％。