共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
基于微机电系统的太阳敏感器 总被引:1,自引:1,他引:0
卫星姿态确定分系统广泛采用太阳敏感器来测量卫星坐标系中的太阳矢量。本文介绍一种基于微机电系统(MEMS)的实验型太阳敏感器。这台太阳敏感器样机包含一块带有数百个小孔的硅片掩模。掩模安放在一只电荷耦合器件(CCD)焦平面阵列顶上,距焦平面750μm。当太阳照射此装置时,在焦平面上形成孔径图像。对这个图像进行分析,就可以算出太阳角。试验数据表明,这种太阳敏感器可以达到的精度约为二三角分,或者更好一点。计划利用一个有源像元敏感器(APS)焦平面阵列器件,把这种太阳敏感器的体积做得像3个美国1角银币相互重叠起来那么大,其质量轻于30g,功耗低于20mW。这种太阳敏感器将成为微型与超小型卫星以及小型行星漫游车上使用的理想部件。 相似文献
8.
9.
提出了一种基于TiN双谐振梁结构的MEMS谐振式压力传感器,利用TiN谐振梁的谐振频率与被测压力的关系进行压力测量。针对传感器的敏感结构建立了数学模型,通过理论分析和ANSYS有限元软件的模拟,得出了谐振梁长度的变化范围和谐振梁的结构参数,并确定了TiN谐振梁在矩形压力膜上方的最佳位置。这对传感器的结构设计具有重要的指导意义。 相似文献
10.
复合薄膜热导率测试系统研究 总被引:2,自引:1,他引:1
针对薄膜热物性测量还没有成熟的测试系统,设计了一种基于微桥静态测量法的复合薄膜热导率测试系统.该系统由PC机、仪器控制与数据采集模块、可控温真空系统构成.软件编程在LabVIEW平台上实现.利用该系统测量了由SiO2薄膜和多晶硅薄膜组成的悬臂梁结构的复合薄膜热导率.在10-4Pa真空中,测得悬臂梁平均温度320~400K范围内的等效热导率在9~12w/(m·K),其热导率随着温度升高而增大,测试结果和理论值一致.实验表明:系统测试效率高、通用性好,且易于扩展. 相似文献
11.
12.
13.
《传感器与微系统》2019,(10):67-69
为实现高粘度液体的雾化,提出一种微机电系统(MEMS)单晶硅快速加热雾化芯片。对单晶硅加热芯片结构进行了设计,芯片为10 mm×10 mm的方形,布置了168个边长为500μm的方形雾化孔。通过ANSYS有限元软件进行了电—热耦合仿真,以评估其温度分布均匀性。衬底采用5×10~(-3)Ω·cm的4 in(l in=2.54 cm)N型(100)硅片,基于各向异性湿法腐蚀工艺完成了微孔阵列和芯片的制造。测试结果表明:室温下芯片电阻约为0.6Ω,且电阻值与温度呈正相关;芯片温度分布均匀,最低温与最高温相差约12.7%;施加3.7 V电压时,芯片在4 s内可升温至300℃,能够实现对甘油的快速雾化。该芯片结构和制作工艺简单,易于实现批量制造。 相似文献
14.
15.
利用MEMS(微机电系统)工艺中的扩散,刻蚀,氧化,金属溅射等工艺制备出SOI高温压力敏感芯片,并通过静电键合工艺在SOI芯片背面和玻璃间形成真空参考腔,最后通过引线键合工艺完成敏感芯片与外部设备的电气连接.对封装的敏感芯片进行高温下的加压测试,高温压力测试结果表明,在21℃(常温)至300℃的温度范围内,传感器敏感芯片可在压力量程内正常工作,传感器敏感芯片的线性度从0.9 985下降为0.9 865,控制在较小的范围内.高温压力下的性能测试结果表明,该压力传感器可用于300℃恶劣环境下的压力测量,其高温下的稳定性能为压阻式高温压力芯片的研制提供了参考. 相似文献
16.
MEMS机油压力传感器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
由于汽车应用环境相当恶劣,对机油压力传感器的可靠性要求很高。采用波纹膜片隔离技术设计了一种新型的MEMS机油压力传感器。分析了波纹膜片、充油腔体结构及硅油对压力传感器性能的影响。理论和实验结果指出,合理的设计波纹结构、充油腔体结构、减小腔体体积及净化好硅油是获得高性能机油压力传感器的关键.研制的传感器在温度为-40—125℃,量程为0.6MPa的工作条件下,测量精度优于1.5%。 相似文献
17.
18.
19.
20.
一种新型CMOS电容式绝对压力传感器的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了一种新型的采用标准CMOS工艺结合MEMS后处理工艺加工的电容式绝对压力传感器.传感器结构部分是由导体/介质层/导体组成的可变电容器.电容的上下极板分别为CMOS工艺中的多晶硅栅和n阱硅,中间介质层为栅氧化层.在CMOS工艺加工完之后,利用选择性的体硅腐蚀、pn结自停止腐蚀以及阳极键合等MEMS后处理工艺来得到传感器结构.与传统的电容式压力传感器相比,这种结构具有更大的初始固有电容,这样可以抑制寄生电容的影响,从而简化检测电路的设计.文中,应用多层膜理论模型分析了传感器的结构,并利用ANSYS有限元分析对模型进行了验证,并利用电容变化模型分析了传感器的灵敏度.对于边长为800 μm的敏感方膜,初始电容值为1 104pF,传感器灵敏度为46 fF/hPa.同时,本文给出了传感器的电容检测电路的设计. 相似文献