碲锡铅单晶组份分析

根据碲锡铅三元素的化学性质,采用了容量分析法,并对其共存离子的影响、解蔽剂以及溶液pH值的选择等进行了研究。     

碲锡铅单晶的水平汽相生长

本文应用生长速率可监控装置,采用水平汽相生长方法制备Pb_(1-x)Sn_xTe单晶。实验结果表明:水平汽相生长符合界面稳定性条件,其生长速率与源和长晶界面之间的温差成正比,并且,位错密度由于热场德定而得到降低。用上述方法已成功地生长出直径为30mm的Pb_(1-x)Sn_xTe(=0.2)大单晶,最高生长速率可达每天35克。用Norr腐蚀方法对样品进行处理,在去除切割损伤后显示出来的腐蚀坑密度低达10~4/cm~2。     

用籽晶生长碲锡铅单晶的闭管汽相传输法

1.碲锡铅单晶的生长闭管汽相传输法已证明可获得高质量的单晶。这种工艺就是使碲锡铅固态源汽化,并把气体分子传输到生长管的另一端而凝聚在定向的籽晶上。升华过程在抽空的封闭石英管中发生,该石英管放在生长炉接近等温的温区中,而温度远低于熔点。源材料是均     

碲锡铅探测器及其应用

已制备了光谱响应和灵敏度具有良好一致性的高探测度光伏探测器,也制备了达14元的阵列,它们显示出的良好稳定性达一年以上。这些探测器已有效地应用于许多具有种种用途的工业仪器中。     

汽相外延碲锡铅探测器

英plessey公司的LGC-600型光伏碲锡铅器件(77°K),系用汽相外延材料制成,成分均均,可用于9～12或10～13微米波段,单元器件装在50.8毫米长的小型杜瓦瓶上,探测率5×10~9～2×10~(10)厘米赫~(1/2)/瓦,     

碲锡铅和热电探测器近况

引言对红外探测器的许多应用,系统设计者现在可在以下两者之间选择:即半导体器件,如77°K碲锡铅光伏二极管和室温热探测器,如热电器件。热电探测器与大多数其它热探测器比较,其优点是响应较快,用在热成像系统时可以实时显示。然而,室温工作的优点是用牺牲灵敏度和带宽得到的。这对于许多应用限制了探测器的选择。例如,在入侵报警中致冷带来不必要的复杂性,而在激光雷达系统中则要求     

碲锡铅红外探测器的可靠性试验

应用液相外延技术,在p型PbSnTe衬底上先生长p型PbSnTe单晶膜,继而在其上再生长n型PbTe单晶膜,从而制成8～14μm红外探测器。碲锡铅光伏探测器的优点是高灵敏、低1/f噪声、无偏置工作、及均匀的光谱响应和信号响应。这种器件目前越来越多地用于热像仪、地面和机载红外整机上。为了满足整机的需要,我们采取了一系列有效措施,提高产品质量并对产品质量进行了全面的考察。     

掺铟碲锡铅的电特性

从室温开始,掺铟碲锡铅的霍尔常数与温度倒数成指数增加,然后下降,而最后平稳下来。这种特性可根据自动补偿及禁带的正温关系而加以解释。     

掺 In 碲锡铅的电特性

掺 In 碲锡铅的霍尔常数,从室温开始随温度的倒数按指数律增大,然后减小,最后变平。本文根据自动补偿和禁带宽度的正温度相关性来解释这种变化过程。     

碲镉汞单晶原材料的制备

制备高质量的HgCdTe单晶与原材料的最初纯度有直接的关系。当前研究中普遍使用的材料是从Cominco购买的。Te和Cd标定为双熔区提纯的6个9的材料,而Hg     

高性能高密度平面碲锡铅探测器阵列

在PbSnTe衬底上用液相外延生长铅-锡碲层并通过很好限定的氧化物窗进行杂质扩散,已制备成可再现的高质量光伏探测器。外延层的载流子浓度约为4×10~(16)厘米~(-3),衬底的约为5×10~(18)厘米~(-3)。代替光致抗蚀剂作绝缘层用的氧化物层没有针孔并很好地附着在PbSnTe表面上。采用标准光刻和扩散技术制成了平面单片探测器阵列。在77K时,124(2×2密耳)元阵列的平均阻抗-面积乘积为1.85欧·厘米~2。在300K背景和180°视场时,在11微米不加增透膜情况下的平均量子效率和峰值探测度(D~*)分别为40％和2.6×10~(10)厘米·赫~(1/2)/瓦。     

热成象用的碲锡铅探测器阵列

引言军用和民用两方面在可能范围内广泛应用热成象系统都对它们的经济和技术现实性十分注意。特别是采用比较新的半导体材料和现代工艺技术的探测器,其价格是整个系统价格的一个重要部分。随着高分辨率系统的发展,需要大量的小面积探测器单元,这使阵列制备的成本变得比原材料的成本更为重要。本文介绍了单片工艺的发展情况,这种工艺正用于制备30个以下的碲锡铅光电二极管的线性阵列。整个阵列上的峰值光谱     

应用碲锡铅探测器的航空红外扫描效果

为寻找地下热能和调查与矿产有关的地质构造等目的,我们于1981年4月在辽东半岛地区,开展了面积性航空红外扫描工作,共计8个架次,40个飞行小时,累计完成红外扫描面积6000平方公里。工作波段为8～14微米。在国内首先应用碲锡铅红外探测器进行大     

碲化铅/碲锡铅异质结构二极管结电阻的温度关系

在28-160K温度范围内测量了液相外延制备的n-PbTe/p-PbSnTe异质结构二极管的零偏压结电阻面积乘积R_oA.采用通常的p-n结模型计算了R_oA的温度关系,并与实验曲线进行比较,结果表明:对于掺杂浓度约10~(17)cm~(-3)、77K的半峰值截止波长为11.5μm的典型二极管,在低于50K时R_oA主要受隧道电流限制.     

锑化铟和碲锡铅探测器研制现状报告

前言目前Barnes 工程公司已研制成锑化铟和碲锡铅两种光伏红外探侧器,本文对它们的研制现状加以评述。对于锑化铟,已探索出一种制造单元件及多元件探测器的新工艺,给探测器的制造提供了单块结构和半平面结构的途径,使整个表面起到钝化和保护作用。这种工艺在许多方面与集成电路的工艺相似,基本上是由一系列用以钝化、接触及规定各个探测器元件的薄膜淀积层组成。用这种结构可使整个表面得到钝化,使许多器件的设计首先得以实现。正如叙述的那样,可能使多层滤光片、金属标度盘和孔径场栏得到有效的直接淀积。此外,探测器可用     

碲锡铅扩散结探测器的探测率极限

针对缓变结和突变结,计算了碲锡铅扩散结光生伏特探测器在零偏压时的电阻——面积之乘积R_oA。对抗缓变结而言,提出的公式论证了少数载流子扩散电流,耗尽层电流以及隧道电流被加以考虑时,R_oA 与梯度常数的全部依赖关系,对抗突交结,同样也针对扩散、耗尽和隧道三种机理,画出了R_oA 与轻掺杂区载流子浓度的依赖关系。计算是按照两种有实际意义的器件来进行的:即扩散Sb 的Pb_(0.982)—Sn_(0.018)Te 在170°K 工作、截止波长为5微米和扩散Cd 的Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te 在77°K 工作,截止波长为11微米。Sb 扩散结遵从缓变结模式,而在未退火的基片上作成的Cd扩散结是突变结。我们把计算值和测出的R_oA 之乘积加以比较,确定了这两类器件耗尽层中的近似寿命值。根据这些结果,画出了受热噪声限制的探测器的探测率D~*与R_oA 之关系曲线。能够证明:欲获得D~*的上限值,碲锡铅固有的短寿命起主导作用。     

用于10微米波长的碲锡铅光伏探测器

过去几年,对研制8～14微米范围内以本征方式工作的HgCdTe探测器给于了较多的注意。本文将提出在该波长范围内的一种新探测器的初步研制结果。这种探测器除利用单晶PbSnTe材料外在许多方面都类似于HgCdTe探测器。这些PbSnTe探测器以光伏方式工作,因此响应速度快,同时由于不需使用偏压电流,探测器所显出的1/f噪声特性就很低。这种探测器是探测8～14微     

晶体生长会议上的红外材料——碲镉汞、碲锡铅、锑化铟

美国第三届晶体生长会议于1975年7月开了五天,除全体会议之外,共分16个小组进行活动,其中有4个小组谈到了红外材料。在异质外延组中美国霍尼威尔公司人员介绍了液相外延碲镉汞材料新工艺,据说其优点是合金膜质量好,生长温度低,组份均匀性较好,可直接在绝缘衬底上生长。生长时熔融料和所得固体均处于HgTe-CdTe假二元相图中。从二元合金熔液中外延生长,可用两种方法:倾斜法和滑动法。生长条件不同时,膜的性能有所变化。用过的衬底有CdTe、Si、蓝宝石和尖晶石,而以CdTe为主,在其上用两种方法均能长出所需组分和厚度的良好液相外延膜。所谓良好的膜是指膜完全覆盖衬底,附着力好。而用其他衬底时,则薄外延膜的生长不易控制,衬底和熔料间会出现不良的化学反应。而在CdTe上长的膜厚度可控,表面光滑。长好的膜用目视和金相方法检验结构和质量。又用电子束微探针分析了样品表面和     

8～14微米碲锡铅光伏探测器及其阵列

作者用气相传输系统在碲化铅基片上生长了Pb_xSn_(1-x)Te合金(X值在0.88～0.75之间)的单晶层。并用这种合金材料制成了灵敏的光电二极管。单晶层组分的一致性良好,这对制造大线性阵列颇为重要。本文将介绍材料的生长,单个和多元器件的制造。     

液相外延生长碲锡铅异质结构的位错腐蚀坑

用腐蚀法研究了液相外延生长的Pb_(1-x_Sn_xTe异质结构。在界面处和异质外延层中具有高腐蚀坑密度(≥1×10~7厘米~(-2)的晶格失配异质结构中出现了一致的图案。晶格失配越大,缺陷密度越高。小到～2×10~(-4)的失配就足以形成界面处的缺陷。低腐蚀坑密度衬底并未缓和界面和外延层的缺陷特性。与其他报导的结果相反,同质结构的整个外延层厚度,其位错腐蚀坑密度没有显著降低。已发现与相反异质结构Pb_(1-x)Sn_xTe/Pb_(1-y)Sn_yTe和Pb_(1-y)Sn_yTe/Pb_(1-x)Sn_xTe有关的一些差异。高生长温度(≥600℃)会使腐蚀坑密度降低和一些缺陷消失。据信,在高温下会发生加速成核、位错退火和体扩散。一些缺陷消失,其他一些在缓慢冷却下减少,但仍保留基本失配特点。