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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 203 毫秒
1.
通过传统固相二次烧结法来制备x wt% Al2O3(x=0、1.0、1.5)/BaTi0.85Sn0.15O3(BTS)陶瓷。研究了掺杂不同含量Al2O3对BTS陶瓷的微观结构、介电性能及挠曲电性能的影响。结果表明,掺杂Al2O3的BTS陶瓷不改变陶瓷的晶体结构,仍为标准钙钛矿结构晶型;Al2O3的掺入能够有效降低晶粒尺寸,具有明显的细晶作用。随着Al2O3含量的增大,Al2O3/BTS陶瓷的介电常数减小,介电损耗得到明显改善,居里峰逐渐宽化且向温度高的方向偏移。Al2O3/BTS陶瓷的挠曲电系数随着Al2O3含量的增加和测试环境温度的升高均减小。此外,Al2O3/BTS陶瓷的挠曲电系数和介电常数之间存在一种近线性关系,但当温度非常接近于居里温度时,这种线性关系减弱。  相似文献   

2.
采用水基凝胶注模成型工艺制备了0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷.研究了烧结后的0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷的微结构、相组成以及微波介电性能.通过采用合适的预烧温度(1200℃)和连续、缓慢的降温工艺来退火,成功消除了Al2TiO5第二相.和传统干压法相比,用水基凝胶注模成型工艺制备的0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷具有较大的晶粒,较少的气孔和更加均匀的微结构.因此,用水基凝胶注模成型工艺制备的0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷拥有更好的微波介电性能:εr=10.71,Q×f=20421GHz,τf=1.3×10-6/℃,而用传统干压法制备的0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷的微波介电性能为εr=10.89,Q×f=11938GHz,τf=1.4×10-6/℃.  相似文献   

3.
采用热压成型工艺,制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)的新型微波复合基板材料。采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能(8~12 GHz)。结果表明,ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数(ε r)和介电损耗(tanδ)随着ZrTi2O6陶瓷体积分数(0~46%)的增加而增大,介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合。ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小。46%的ZrTi2O6为较优填料比例,ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42,介电损耗为0.0022(10 GHz)。  相似文献   

4.
采用SrSc0.5Nb0.5O3与(Bi0.5Na0.5)(Ti0.95Al0.025Nb0.025)O3固溶构建了无铅陶瓷体系材料(1-x)(Bi0.5Na0.5Ti0.95Al0.025-Nb0.025O3)-x(SrSc0.5Nb0.5O3)(简记为(1-x)BNTA-x SSN,x=5%、10%、15%、20%,摩尔分数)。通过传统固相反应法制备陶瓷,研究了SrSc0.5Nb0.5O3的引入对其结构、相变、储能和介电性能的影响。研究结果表明,(1-x)BNTA-x SSN样品为钙钛矿结构。其最大介电常数对应温度Tm...  相似文献   

5.
为更好地实现口腔修复体的美学修复效果,采用掺杂不同含量Fe2O3(0.01wt%~0.09wt%)和Al2O3(0.1wt%)的3 mol% Y2O3稳定的ZrO2(3Y-TZP)粉体为原料,经过铺粉、压制、烧结等工艺制得色度渐变的多层陶瓷结构Al2O3-Fe2O3/3Y-TZP梯度复合陶瓷。对该梯度复合陶瓷的色度分布、烧结性能和力学性能进行检测,同时研究了Fe2O3和Al2O3的掺杂对3Y-TZP陶瓷组织和性能的影响。结果表明,制得的Al2O3-Fe2O3/3Y-TZP梯度复合陶瓷色度由红黄向白色沿成分变化方向呈梯度变化,与天然牙齿色度分布规律一致;力学性能呈梯度变化并从无色端到有色端逐渐降低,但仍满足牙科使用需求(≥ 800 MPa);在无色瓷层中掺杂微量Al2O3(0.1wt%)可以改善Al2O3-Fe2O3/3Y-TZP梯度复合陶瓷的烧结性能,避免在预烧结过程中发生开裂。微量Fe2O3和Al2O3的掺杂会促进其在烧结过程中的致密化及晶粒长大;微量Fe2O3(0.01wt%)和Al2O3(0.1wt%)的掺杂有助于提高3Y-TZP陶瓷的挠曲强度,然而随着Fe2O3掺杂量的继续增多(≤ 0.09wt%)挠曲强度降低。   相似文献   

6.
本工作研究了Sr2+取代Ca2+对Ca1-xSrxMgSi2O6陶瓷烧结特性、物相组成、显微组织和微波介电性能的影响。结果表明:采用Sr2+取代部分Ca2+时可以降低陶瓷的烧结温度,并且提高陶瓷的致密度。当Sr2+取代量小于等于0.5时,陶瓷烧结体中只存在单一的CaMgSi2O6相。随着Sr2+取代量的增加,Ca1-xSrxMgSi2O6陶瓷的介电常数和品质因数均先增大后减小,而谐振频率温度系数逐渐增大。当Sr2+取代量为0.4时,Ca0.6Sr0.4MgSi2O6陶瓷在1 225℃下烧结...  相似文献   

7.
PTC热敏陶瓷的无铅化是绿色智能加热及电路智能保护元件研制的重要前提。为了获得可在空气气氛下烧结且兼具高居里温度和高升阻比的无铅化PTC热敏陶瓷,本工作采用固相法制备了(1-x)BaTiO3-0.5xBi0.5Na0.5TiO3-0.5xBi0.5K0.5TiO3和0.98BaTiO3-0.02yBi0.5Na0.5TiO3-0.02(1-y)Bi0.5K0.5TiO3三元固溶体系无铅PTC热敏陶瓷材料,研究了不同含量的Na和K元素对无铅PTC热敏陶瓷材料的烧结特性和电学性能的影响。结果表明,BNT和BKT均与BaTiO3形成固溶体,随着BNT含量的增加,PTC陶瓷平均晶粒尺寸减小;当BNT和BKT含量相同时,PTC陶瓷可以在较宽的烧结温度范围内实现半导化,且在...  相似文献   

8.
采用反应烧结法制备了具有超低烧结温度的Li2Zn2Mo3O12微波介质陶瓷,研究了烧结温度对Li2Zn2Mo3O12陶瓷的烧结特性、物相组成、微观结构以及微波介电性能的影响。XRD表明:在550~650℃范围内,温度对陶瓷的物相组成影响不大;随着烧结温度的升高,Li2Zn2Mo3O12陶瓷的体积密度、相对密度、介电常数(εr)和品质因数(Q×f)均呈先增大后减小的趋势,谐振频率温度系数(τf)在-(70~90)×10-6/℃波动。在625℃烧结2 h获得最大体积密度和相对密度:4.25 g/cm3和96.4%,以及优异的微波介电性能εr=10.9,Q×f=69 459 GHz,τf=-84×10<...  相似文献   

9.
采用固相反应法制备了A位复合铁电陶瓷(1-x)Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-xBiCrO3(BNKT-BCx). 研究了该陶瓷在室温至500℃温度范围内的介电性能. 结果表明该陶瓷的介电温谱存在两个介电反常峰和一个介电损耗峰, 低温介电反常峰温度附近具有明显的介电常数频率依赖性, 但居里峰随频率增加基本不变, 与典型弛豫铁电体的特征不同. 将弛豫铁电体分为本征弛豫和非本征弛豫铁电体, 通过分析极化前和极化后陶瓷的介电温谱, 发现该体系低温介电反常峰温度附近的介电频率依赖性为空间电荷和缺陷偶极子极化引起的非本征弛豫.  相似文献   

10.
韩如意  郑宇欣  李波 《功能材料》2022,(12):12033-12038
通过固相法制备了超低温烧结Ca2V2O7-LiF微波介质陶瓷,系统研究了掺入LiF对Ca2V2O7烧结温度和微波介电性能的影响。研究表明,掺入LiF会导致在烧结区间内产生熔点极低的液相,液相的物质传递作用将烧结温度从920℃大幅降低至550℃。在最佳烧结温度550℃下,LiF不会与Ca2V2O7反应生成杂相,也不会改变Ca2V2O7的三斜结构。但是高于550℃时LiF与Ca2V2O7形成了少量Ca5F(VO4)3。掺入LiF形成的超低熔点液相有助于超低温烧结并得到较高的密度进而得到较高的Q×f值。掺杂3%(质量分数)LiF的Ca2V2O7  相似文献   

11.
以CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉体和Al2O3陶瓷粉体为原料,通过在CBS与Al2O3的质量比固定为50:50的玻璃-陶瓷复合材料中添加适量的Bi2O3作为烧结助熔剂,探讨了Bi2O3助熔剂对CBS/Al2O3复合材料的烧结性能、介电性能、抗弯强度和热膨胀系数的影响规律.研究表明:Bi2O3助熔剂能通过降低CBS玻璃的转变温度和黏度促进CBS/Al2O3复合材料的致密化进程,于880 ℃下烧结即能获得结构较致密、气孔较少的CBS/Al2O3复合材料.然而,过量添加Bi2O3将使玻璃的黏度过低,从而恶化CBS/Al2O3复合材料的烧结性能、介电性能及抗弯强度.当Bi2O3的添加量为CBS/Al2O3复合材料的1.5wt%时,于880 ℃下烧结即能获得最为致密的CBS/Al2O3复合材料,密度为2.82 g·cm-3,这一材料具有良好的介电性能(介电常数为7.21,介电损耗为1.06×10-3),抗弯强度为190.34 MPa,0~300 ℃的热膨胀系数为3.52×10-6 K-1.  相似文献   

12.
采用水热法合成Ni0.5Co0.5Fe2O4铁氧体,并应用于氰酸酯-环氧树脂(CE-EP)复合材料的增韧改性,研究Ni0.5Co0.5Fe2O4铁氧体对CE-EP固化反应、力学性能及热稳定性的影响。XRD和SEM结果表明,所合成的Ni0.5Co0.5Fe2O4铁氧体结晶性好、纯净、呈块状,粒径约为20 nm。性能研究表明,Ni0.5Co0.5Fe2O4铁氧体的加入对CE和EP间的固化反应速度影响不大,且不会改变树脂基体的固化反应机制。与纯CE-EP树脂体系相比,Ni0.5Co0.5Fe2O4铁氧体/CE-EP复合材料在保持CE-EP玻璃化转变温度(Tg)的基础上明显改善了其韧性,当Ni0.5Co0.5Fe2O4铁氧体质量分数为3wt%时,其冲击强度和弯曲强度达到最大值,较纯CE-EP树脂基体分别提高了65%和30.3%;但其热分解温度略有降低,可能是由于Ni0.5Co0.5Fe2O4铁氧体对CE-EP树脂基体高温分解的催化作用造成的。   相似文献   

13.
Barium strontium titanate/poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene)70/30 (Ba0.65Sr0.35TiO3/P(VDF-TrFE) 70/30) composite with high dielectric permittivity was developed by integrating high dielectric permittivity ceramic powder with proton irradiated polymer matrix. The composite after irradiation behaves as a relaxor ferroelectric material and this behaviour is similar to that of irradiated P(VDF-TrFE) 70/30 co-polymer. Due to the irradiation, dielectric peaks broadened and moved towards the lower temperature, creating high relative permittivity values in a broad temperature range. Ba0.65Sr0.35TiO3/P(VDF-TrFE) composite with 0.5 ceramic volume fraction with a dosage of 80 Mrad can reach a relative permittivity of 160 at room temperature (at 1 kHz), which is about 14 times higher than that of pure copolymer. Polarization-electric field hysteresis loops of composites are strongly depended on the ceramic powder volume fraction and the effects of irradiation is less apparent in composites with higher ceramic powder volume fraction.  相似文献   

14.
The effect of CuO addition on the microstructures and the microwave dielectric properties of MgTa2O6 ceramics has been investigated. It is found that low level-doping of CuO (up to 1 wt.%) can significantly improve the density of the specimens and their microwave dielectric properties. Tremendous sintering temperature reduction can be achieved due to the liquid phase effect of CuO addition observed by scanning electronic microscopy (SEM). The sintered samples exhibit excellent microwave dielectric properties, which depend upon the liquid phase and the sintering temperature. With 0.5 wt.% CuO addition, MgTa2O6 ceramic can be sintered at 1400 °C and possesses a dielectric constant (r) of 28, a Q × f value of 58000 GHz and a temperature coefficient of resonant frequency (τf) of 18 ppm/°C.  相似文献   

15.
穆阳  李皓 《材料研究学报》2019,33(11):865-873
用有机先驱体浸渍裂解(PIP)法制备SiCf/BN/SiC复合材料,研究了微米Al2O3粉体对其弯曲强度、高温介电和高温吸波性能的影响。结果表明,随着Al2O3的含量从5%提高到20%,SiCf/BN/SiC的弯曲强度呈现出先升高后降低的趋势,最大值达到295 MPa;随着温度的升高复合材料复介电常数的实部和虚部均逐渐增大,加入Al2O3填料能降低高温复介电常数及其随温度增大的幅度。无填料复合材料的室温和高温吸波性能均较差,而添加20% Al2O3的复合材料在8.2~12.4 GHz频段的室温反射损耗均低于-8 dB,且适用厚度为3.0~3.5 mm,700℃时厚度为3.0 mm的反射损耗为-5~-8 dB,在实际工程应用中具有较强的可设计性。  相似文献   

16.
采用浸胶法制备了一系列SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜Am An PAn Am,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数的纳米SiO2-Al2O3/PI薄膜。采用TEM、FTIR、宽频介电谱仪、电导电流测试仪、耐电晕测试仪、介电强度测试仪和拉伸实验机对五层纳米复合PI耐电晕薄膜的微观结构、介电性能和力学性能进行了表征和测试。结果表明,SiO2-Al2O3/PI复合薄膜掺杂层形成了分布均匀的有机/无机复合结构;SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素,复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大,为23.4 h;外层掺杂量对五层SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电强度影响较大,复合薄膜A20A28PA28A20的介电强度最大,为302.3 kV/mm;通过对五层复合结构的设计,可以在兼顾材料力学性能的同时,提高其耐电晕寿命和介电强度。  相似文献   

17.
为改善LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2(NCM)锂离子电池三元正极材料的电化学性能,采用液相蒸发法将WO3包覆于NCM表面,得到NCM@WO3复合正极材料。通过XRD、SEM和TEM对NCM@WO3复合材料的结构和形貌进行表征,利用充放电测试、循环伏安及交流阻抗测试对其电化学性能进行表征。结果表明,当WO3包覆量为3wt%时,NCM@WO3复合材料性能最佳,在0.5 C下的首次放电比容量为179.9 mA·hg-1,不可逆容量损失降低至42.4 mA·hg-1,循环50圈后容量保持率为98.3%。WO3的包覆提高了锂离子扩散速率,减少了电极材料与电解液的副反应,NCM@WO3复合材料的电化学性能得到提升。   相似文献   

18.
细菌纤维素在一定温度下碳化, 得到一种三维网状结构的纳米碳化纤维(CBC), 利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪和透射电子显微镜对这种新型碳纤维进行了分析表征。将 CBC与石蜡按一定比例复合, 采用矢量网络分析仪在0.1~18 GHz 范围处测试了其电磁参数, 发现此复合材料具有较大的介电常数实部和虚部, 特别是在频率较低时, 具有很大的介电损耗。将少量 CBC 与Fe3O4 纳米颗粒复合, 可极大地改善磁性颗粒的微波吸收性能, 当样品厚度为1.2 mm时, 反射损耗(RL)最小值从-2 dB 降至-21 dB。  相似文献   

19.
The Aurivillius type bismuth layer-structured compound potassium lanthanum bismuth titanate (K0.5La0.5Bi4Ti4O15) is synthesized using conventional solid-state processing. The phase analysis is performed by X-ray diffraction (XRD) and the microstructural morphology is conducted by scanning electron microscopy (SEM). The ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of K0.5La0.5Bi4Ti4O15 (KLBT) ceramics are investigated in detail. The remnant polarization (Pr) and coercive field (Ec) are found to be 8.6 μC cm−2 and 60 kV cm−1, respectively. The Curie temperature Tc and piezoelectric coefficient d33 are 413 °C and 18 pC N−1, respectively.  相似文献   

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