美国防部投资百万开发硅基激光器

美国麻省理工学院的微光子中心近日正式启动硅基激光器和纳米光子学的研究项目，该项目由美国国防部资助，启动资金分3年共360万美元，且很可能再延长两年，总计资金达6百万美元。这个多校研究创新项目包括26个与基础科学和工程相关的主题领域，其中就有硅基激光器和纳米光子学。     

硅基拉曼激光器的研究与进展

硅基激光器实现的问题一直是硅光电集成的主要障碍。实现硅基激光器的有效方法之一是采用拉曼散射原理实现硅基拉曼激光器。本文详细阐述了硅基拉曼激光器的工作原理、波导结构,并介绍了近几年来已经实现的脉冲和连续波拉曼激光器的结构和工作性能。     

硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制

采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.     

硅基键合激光器的研究进展

硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求。目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合。键事方法克服了异质结外 可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,它可以将具有直接带隙结构的半导体材料键合到硅片上,从而制作出硅基键合激光器件。特别是年来来发展起来的低落曙直接合技术,使发光器件与微电子器件的硅基混合光电集成成为可能。     

基于表面等离子体激元的硅基激光器

研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层/金属薄膜/硅衬底(Si:SiEr/Metal/Si,SEMS)型硅基激光器结构.利用表面等离子体激元局域增强效应提升了硅基增益介质材料在1.54μm波长点的光学增益特性.通过优化金属材料厚度、铒离子极化方向和铒离子位置等参量,减小表面等离子体激元所带来的光学损耗.结果表明,当金属材料厚度小于20 nm时,硅基激光器的净增益系数范围为1～36 cm-1.     

硅基喇曼激光器研究进展(本期优秀论文)

硅基激光器的研制对于新兴的硅基光子学的发展具有重要意义,介绍了硅基材料中喇曼散射的原理、特点,并总结了硅基喇曼激光器的发展历程和最新进展,展示了硅基喇曼激光器发展的良好前景.     

键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器

在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.     

键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器

在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.     

硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制

采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.     

“八五”期间中国的激光市场

本文给出了“八五”期间我国激光市场的统计并加以分析和评论，特别是激光加工和激光医疗。     

嵌入式市场将给NOR闪存应用带来更大的“容量”

近日，在美国模拟器件（ADI）公司四十周年的庆典会上，ADI公司总裁兼首席执行官Jerald G Fishman宣布。ADI亚洲区总部已由香港移师上海，设立在上海的应用工程中心也正式启用。并提出，在未来的5年内，公司的目标是将销售额提升到50亿美元。     

Self-Mixing Speckle in an Erbium-Doped Fiber Ring Laser and Its Application to Velocity Sensing

In this letter, a new study of self-mixing speckle in an erbium-doped fiber ring (EDFR) laser and its application to velocity sensing is presented. We have experimentally built a fiber laser based on a ring cavity by using a packaged erbium-doped fiber amplifier and applied it to the self-mixing speckle experiments. We have also given theoretical analysis of the model of self-mixing speckle in the EDFR laser and the variation of the output power of the laser is deduced. The speckle signal has been statistically analyzed and found submitting to Gaussian distribution. For its utility to velocity sensing, the speckle signals at different velocities are processed through calculating the number of box by the fractal theory. A linear relationship between the number of box and velocity is obtained. The experimental result shows that the self-mixing speckle signal in EDFR laser can be used in velocity sensing.     

运用5M1E分析法探讨现场校验电能计量装置中的危险点与预控措施

针对电力企业在现场校验电能计量装置中的实际情况,如何有效地避免事故,确保工作质量,笔者运用了5M1E分析法这种质量管理工具,通过人、机、料、法、环、测六方面要素,进行全方位的分析和研究,探讨整个作业过程中的危险点,并采取相应的控制措施,从而消除隐患,实现保障安全的目的。相信会对广大安监管理者有所启发,而且,现场校验工作做为计量管理的重要环节,对满足客户不问断用电需求,促进供、用电双方公平交易,推进和谐社会建设也具有重要意义。     

Finite Element Modeling of Stress Evolution in Sn Films due to Growth of the Cu<Subscript>6</Subscript>Sn<Subscript>5</Subscript> Intermetallic Compound

We use finite element simulations to quantitatively evaluate different mechanisms for the generation of stress in Sn films due to growth of the Cu₆Sn₅ intermetallic phase at the Cu-Sn interface. We find that elastic and plastic behavior alone are not sufficient to reproduce the experimentally measured stress evolution. However, when grain boundary diffusion is included, the model results agree well with experimental observations. Examination of conditions necessary to produce the observed stresses provides insight into potential strategies for minimizing stress generation and thus mitigating Sn whisker growth.