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用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当. 相似文献
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用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜. 根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4, C2H4反应而生成的Si1-xGex∶C外延层和由Si1-xGex∶C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层. 缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0E19cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当. 相似文献
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用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当. 相似文献
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用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGexC合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGexC缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGexC缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究. 相似文献
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研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征了Ge薄膜的晶体质量和表面形貌。测试结果表明,选区外延Ge薄膜的晶体质量比无图形衬底外延得到薄膜的晶体质量要高;选区外延Ge薄膜前插入Si缓冲层得到Ge薄膜具有较低的XRD曲线半高宽以及表面粗糙度,位错密度低至5.9×10~5/cm^2,且薄膜经过高低温循环退火后,XRD曲线半高宽和位错密度进一步降低。通过插入Si缓冲层可提高选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量,该技术有望应用于Si基光电集成。 相似文献
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外延生长6H-SiC/Si薄膜的微结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用 Si H4 -C3H8-H2 气体反应体系 ,通过 APCVD工艺在 Si(1 0 0 )衬底上进行 Si C薄膜生长时 ,严格控制缓冲层生长的工艺条件 ,即 1 3 0 0°C碳化温度较高的 C3H8饱和浓度 ,可以获得结晶质量良好的 6H-Si C单晶外延层。利用 SEM、X射线衍射能谱 (XRD)及光致发光谱 (PL)分析了薄膜微结构并讨论了其微观机制 相似文献
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利用超高真空化学气相淀积系统,通过控制淀积量、温度、流量等生长参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,用原子力显微镜进行了表征与分析.系统地研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理.结果表明,从二维向三维岛跃迁后,最初形成的高宽比(高度与底宽的比值)在0.04~0.06之间的小岛是一种在低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛,两种岛的分布随淀积参数的变化而变化.在高温下小岛几乎消失,流量的变化对小岛的密度影响较小.实验中获得小岛的密度最高为2.6×1010cm-2,圆顶岛的密度最高为4.2×109cm-2. 相似文献
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本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯(C2H4)作为C源在Si(100)衬底上生长Si1-x-yGexCy合金薄膜的实验结果,经喇曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR)测量表明:我们成功地制备了具有一定代位式C含量的Si1-x-yGexCy合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的SiH4/C2H4流量比有助于提高代位式C含量和薄膜材料的晶体质量,并且初步分析了生长过程中化学反应动力 相似文献
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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。 相似文献
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利用数值模拟技术对Si1-xGex单晶生长过程中的热传输和温度分布情况进行了模拟分析,并以此为条件对晶体生长过程中不同阶段下,不同埚转速度对晶体生长稳定性的影响进行了对比分析,获得了相应的数据.对优化晶体生长条件参数、提高晶体生长稳定性和晶体质量具有较好的指导意义. 相似文献
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研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响,指出由于Ge和C的投影射程及标准偏差不同,二在各处的组分比并不恒定,存在着纵向分布,因此各处的应变补偿情况也不尽相同。利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析,得出了外延层中存在应变完全补偿区域时Ge、C的峰值浓度比NGe/Nc应满足一定的取值范围。通过制备不同C组分的样品对上述结论进行了验证,得出的结果与理论预言基本相符。 相似文献
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低温低真空CVD生长锗硅异质结外延材料 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统,应用锗烷和硅烷气本,在2英雨到3英雨的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在665℃,610℃和575℃不同温度分别生长了Si0.5Ge0.2,Ge0.5和Si0.65Ge0.35的异质外延层,获得了原子级表面和界面的异质外延材料。结果表明:外延生长速率和Ge组分由硅烷和锗烷的分压及生长时的温度控制。并利用X射线双昌衍射,扩展电阻和电化学C-V法研究了G 相似文献