CFBR-Ⅱ堆典型辐照位置的中子能谱计算

建立基于MCNP程序的中子能谱及平均中子能量计算方法,模拟计算了CFBR-Ⅱ堆典型辐照位置的中子能谱及平均中子能量随空间位置的变化关系。结果表明,各典型辐照位置的中子能谱集中分布于0.05–3MeV(～90%);去耦盒与辐照孔道轴线上各点的平均中子能量随距离大致呈S形变化趋势,做辐照效应研究时要考虑能谱分布空间不均匀性的影响;去耦罩45°纬线圈到顶部较大范围内平均中子能量波动较小,是较理想的辐照区域。     

应用12MeV电子束福照效应制造硅P^＋NN^＋高频整流二极管

采用１２ＭｅＶ电子束辐照效应将Ｐ＾＋ＮＮ＾＋普通速流二极管改制成高频整流二极管，与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确；ｔｒｒ和ＶＦ的一致性和重复性好；高温性能明显改善；产品合格率提高３０％以上，工艺简单易行。     

砷化镓体效应二极管中子辐照效应

本文研究了C、X和KQ等波段体效应二极管的中子辐照损伤效应。实验观察到中子辐照环境中体效应二极管低场电阻变大,工作电流和射频输出下降,VI特性变化,甚至使负阻特性消失。实验认为,器件性能退化是由中子辐照砷化镓材料的载流子去除效应引起的。     

活化法测量CFBR-Ⅱ堆中子注量和中子能谱

采用活化法研究了CFBR-Ⅱ堆中子能谱、中子注量分布和辐照样品对中子场的扰动。建立了用于求解中子能谱的SAND-Ⅱ解谱程序。对实验结果的分析表明，活化法得到的中子注量率与裂变室得到的结果是一致的，辐照样品对中子能谱有一定的软化。     

15MnTi钢的中子辐照效应

介绍了１５ＭｎＴｉ钢的母材，焊缝及其热影响区在不同注量的快中子辐照后，材料的机械性能变化的情况，根据试验结果表明，辐照温度为５０℃，快中子注量在１．０×１０＾１８ｃｍ＾－２到６．０×１０＾１８ｃｍ＾－２之间，１５ＭｎＴｉ钢的脆性转变温度增量△Ｔｃｖ与积分快中子注量的经验关系公式。     

应用12MeV电子束辐照效应制造硅P~＋NN~＋高频整流二极管

采用１２ＭｅＶ电子束辐照效应将Ｐ＋ＮＮ＋普通整流二极管改制成高频整流二极管，与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确；ｔｒｒ和ＶＦ的一致性和重复性好；高温性能明显改善；产品合格率提高３０％以上，工艺简单易行。     

中子辐照直拉硅退火后的施主行为

利用多种实验手段对中子辐照直位硅退火过程中特有的施主效应进行了研究；探讨了不同中子辐照注量以及氧对施主形成的影响；报道了低于７５０℃热处理所产生的“施主平台”现象。实验结果表明，该施主在禁带中产生￣４３ＭｅＶ的浅施主能级，它的结构为辐照缺陷与硅、二氧化硅以及碳等组成的亚稳态络合物，其电话性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。     

中子辐照对隧道二极管性能的影响

本文介绍了中子辐照环境中,隧道二极管性能的退化,即谷电流增加,峰谷比下降、摆幅电压减少。用二次隧道效应理论解释了这种退化过程。     

变容二极管中子辐照损伤

在中子辐照环境下,变容二极管C—V特性发生变化,在给定偏置下,结电容随中子注量的增加而下降。它是因外延层中引入深俘获能级所致,在高中子注量下,漏电流和正向压降均变大,优值Q也发生变化。     

宽基硅二极管快中子剂量计

本文简要介绍所研制的宽基硅二极管快中子剂量计,它的测程宽,对快中子的能响好,适于在γ射线、热中子、快中子的混合场中测量快中子。     

快中子脉冲堆中子价值计算研究

利用MCNP程序建立了CFBR-Ⅱ堆结构的三维模型,借助中子倍增的方法实现了计算中子价值的功能。为消除实验中用中间钢托盘孔道内的中子价值代替上下半球的中子价值而引起的差异,利用均匀抽样技巧对各区域沿径向分层细致计算。结果表明,中子价值最大处位于高富集度铀区域中间某层而非系统中心或上下半球球心,其他区域中子价值则沿径向单调递减。     

双极晶体管脉冲中子辐射效应─瞬时退火实验研究

本文介绍了快脉冲堆瞬态辐照试验的瞬时退火结果。实验采用了合理的试验方法和监测系统。在国内首先测到了三极管中子辐照的瞬时退火曲线，并与国外有关实验结果作了比较。     

快中子脉冲堆用快速响应保护仪

为了保证快中子脉冲堆在爆发脉冲后迅速停堆,研制了快速响应保护仪。该仪器采用ST401快速响应塑料闪烁体配以GDB-44F型光电倍增管作为探测器,通过电流放大后输入触发器单元,在功率超过保护设定值后12μs内输出触发信号,触发主安全块在100ms内下降5mm,使堆处于深次临界状态。在CFBR-II堆的200余次脉冲运行中,快速响应保护仪触发主安全块下降5mm的时间小于90ms,保障了堆的安全。     

中子辐照对耐事故燃料FeCrAl合金力学性能的影响研究

FeCrAl合金具有良好的抗高温氧化和力学性能,能够作为燃料包壳材料。为研究FeCrAl合金的辐照力学性能,开展了不同元素成分含量和2×1019 cm?2、8×1019 cm?2 2种中子注量辐照下的FeCrAl合金力学性能试验,并在室温和380℃下测试了FeCrAl合金的拉伸性能,获得了不同Cr和Al含量FeCrAl合金的抗拉强度和屈服强度,并研究了Al含量、Cr/Al含量配比及中子辐照对FeCrAl合金力学性能的影响。研究表明,FeCrAl合金强度随着Al含量增加大致呈增加趋势;经2×1019 cm?2中子辐照后,FeCrAl合金强度有较大提升;再经8×1019 cm?2中子辐照后,FeCrAl合金强度升高不明显。该研究结果为耐事故燃料（ATF）包壳材料的研发选型提供了重要的数据支撑。      

辐照监督管中子注量率精细化模型计算方法研究

针对采用传统简化模型计算反应堆辐照监督管快中子注量率出现的计算结果与实测值误差较大问题,对计算模型进行改进,建立堆芯燃料组件内部结构的精细化计算模型,并将传统简化模型、改进的精细化模型的计算结果与实测值进行比较.结果表明,辐照监督管改进的精细化计算模型的计算结果相对于实测值的误差大幅降低.     

碳化硅结势垒肖特基二极管的质子辐射效应

碳化硅结势垒肖特基二极管(SiC JBS)是新一代航天器电推进系统的关键部件,但高能粒子辐射严重威胁其可靠性与稳定性。为揭示其辐射损伤机理,为其抗辐射加固设计与考核评估储备数据,本研究基于加速器开展了先进商用SiC JBS 10~20 MeV中能质子地面辐照实验,并提取器件辐照前后的正向伏安特性、反向伏安特性、电容电压等电学参数及缺陷特性。系统分析器件关键特性随辐照条件的改变规律。结果显示,质子辐照引起了器件肖特基势垒升高、载流子浓度降低,且10 MeV较低能质子导致的位移损伤退化更严重。分析认为,PN结界面缺陷导致高性能商用SiC JBS反向电学性能对中能质子的辐照更加敏感,正向特性相对稳定,辐照生碳缺陷造成载流子去除效应是引起SiC JBS性能退化的主要机制。     

脉冲堆辐照腔内绝对中子通量及相对分布测量

本文介绍了绝对中子通量测量方法,给出了各辐照腔典型位置上的绝对中子通量及其与全堆平均中子通量的比值。还给出了各辐照腔中相对中子通量轴向分布和旋转样品槽内相对中子通量周向分布的测量结果。