变压器局部放电试验中的故障及处理

变压器是在电力系统中进行压力转换工作的设备,根据我国的有关规定,不管是新生产的变压器还是经过维修的变压器都需要进行局部放电实验进行测试.本文阐述了变压器局部放电实验的含义和重要性,在找到了引起局部放电源头的基础上,说明了放电实验中可能出现的故障以及处理方法.     

局部放电实验电路的改进与实现

常规的局部放电实验无法检测试品的实际放电量，这不利于对局部放电机理的教学和研究。本文设计了一种可测量实际放电量的局部放电实验电路，利用该实验电路可以在低电压情况下产生局部放电时的大部分现象，为局部放电的教学和研究提供了实验基础。同时还分析了该电路在电脉冲法和超声波法检测局部放电的实际实验情况，给出视在放电量和实际放电量之间的对应关系，该实验电路的实现对局部放电的教学及其实际测量具有一定的指导意义。     

浅析变压器制造过程中对局部放电的影响

近几年,随着电力系统规模的日益扩大,对电气设备正常运行提出了更高的要求,而针对变压器局部放电量对制造工艺的研究引起了电力行业的高度重视.变压器局部放电可直接反映变压器绝缘状态,也成为了影响变压器内绝缘劣化的主要原因.基于上述背景,本文主要对变压器制造工艺对局部放电的影响进行分析,将对变压器制造厂解决局部放电对产品质量的影响具有一定的学术意义和实用价值.     

油浸式电力变压器内局部放电定位的研究背景与意义

随着电力系统规模的日益庞大,对电力设备的可靠性要求越来越高。局部放电是导致电力变压器绝缘损坏甚至故障的主要原因。文中简要分析了局部放电产生的原因,阐述了现存检测方法的不足,指出了变压器中局部放电定位的重要作用。     

回扫变压器局部放电分析

本文分析了回扫变压器内部放电的原因,以及为避免局部放电,在设计和工艺上采取的一些措施。大量的统计数字说明,电视机的回扫变压器的失效多数原因是由内部短路烧包造成的。东芝Ⅲ型回扫变压器的大量下机就说明了这个问题。局部放电和电晕反复进行,导致局部温度升高,材料绝缘强度下降,使回扫变压器失效。     

220kV变压器局放量超标的分析与处理

本文针对某220k V变压器在试验过程中局放量超标的问题进行分析。通过现场多次试验和吊罩处理,在变压器高压侧压板上方发现金属异物,该异物造成金属悬浮放电,处理后放电现象消失。该事例说明,变压器局部放电实验对发现设备内部的绝缘缺陷有重大意义。     

基于决策分类的变压器局部放电模式识别研究

变压器是电力系统中重要的电气设备,其运行状态对电力系统的安全运行起着至关重要的作用,由于其内部结构复杂,在长期的运行电压作用下,内部的绝缘结构会产生一定的劣化,绝缘的劣化会造成局部放电的产生,局部放电反过来对绝缘产生伤害,如此形成恶性循环,所以,对其局部放电的检测显得极为重要,文章结合变压器局部放电的特点,根据决策分类,对其放电进行了模式分类,取得了一定的研究成果。     

基于HHT和概率神经网络的变压器局部放电故障识别

为解决传统傅里叶变换和小波分解对变压器局部放电信号非平稳性的分析缺陷,以及BP神经网络易陷入局部极小点等问题,提出一种基于希尔伯特能量聚类和概率神经网络的变压器局部放电识别算法。算法利用希尔伯特-黄变换提取局部放电信号的希尔伯特能量谱,然后进行指数族聚类计算获得特征值,最后利用概率神经网络进行分类识别。分别对油中悬浮放电、沿面放电等放电类型进行模拟实验,并用此算法进行分析,实验结果表明,该算法所提取的特征值有较高的可分性,且分类识别率高,可以有效地识别变压器局部放电故障类型。     

变压器局部放电信号检测与类型识别

为实现变压器局部放电信号检测和类型识别,设计基于超高频(UHF)法的变压器局部放电检测系统,针对4种典型的变压器放电模型进行了局部放电实验,获得相应的局部放电包络信号数据,并通过以太网通信将数据上传至电脑。利用提升双树复小波变换对包络信号数据进行消噪,从消噪后的信号不难看出,同一放电模型的局部放电包络信号形状大致相同,不同放电模型存在差别。提取6种包络信号的特征参数,结合外部加载电压,采用BP神经网络对变压器局部放电类型进行识别,当训练误差δ=0.02时,变压器放电类型识别平均正确率在98%以上。     

变压器局部放电带电检测中脉冲电流法和超声波法在的应用浅析

变压器是电力系统的重要枢纽,其运行可靠性直接关系到整个电网的安全与稳定。局部放电的产生必然会导致变压器绝缘劣化,局部放电的检测也就成为变压器绝缘状况评价的重要手段。变压器局部放电带电检测是在变压器正常运行的条件下对其绝缘情况进行检测,切实做到绝缘缺陷的早期发现与诊断,避免发生重大事故。     

物联网技术发展及武汉政府可采取的对策

物联网的应用已逐步进入我国的某些领域,取得了很大成功.在未来的5至10年物联网将会在更大范围于全社会展开.本文首先介绍了物联网的概念和发展历史,分析了物联网应用的关键技术及体系,列举了物联网应用的现状及发展趋势,阐述了物联网应用过程中存在的主要问题,最后提出了武汉市在物联网发展过程中应采取的对策     

"杀手锏"、"产业链"问题及创新与发展策略

随着3G的演进与宽带多媒体业务的发展,用户需求、市场运营模式已发生了本质改变,在这种多方依赖、共赢合作的环境中,必须处理好技术驱动与市场驱动关系,以及“杀手锏”和“产业链”问题,企业才能作出正确的战略决策,在激烈的市场竞争中取得成功。本针对这些情况,并结合中国国情,介绍了应关注的新技术,重点论述“杀手锏”、“产业链”问题及持续发展与不断创新关系的一些策略考虑。     

舰载雷达及电子对抗装备性能测试评估系统的设计与实现

利用软硬件结合方式,设计一种针对舰艇雷达及电子对抗装备主要性能的测试及评估系统,实现非接触测试,无须上舰,在距离舰艇100~200 m的码头,采用"定量比对法"对雷达及对抗装备的关键参数进行测试和评估。     

便携式温湿度无线监控系统的设计与实现

利用新一代单片全校准、高集成度、小体积的数字式温湿度传感器SHT71,通过单片机的控制实现对温湿度的采集与显示,再经由无线收发传输采集到的数据与遥控各温湿度调节设备,并结合了便携式与PC机操作。使得此系统具有体积小、适用面广、使用方便等特点。     

PTN组网落地方案及演进

对城域传送网PTN独立组网及OTN＋PTN联合组网模式的网络结构及演进进行了深入探讨,并提出了组网时应注意的有关问题。文中有关数据主要借鉴烽火通信相关设备（OTN设备型号为FONST3000,10GEPTN设备型号为CITRANS660）。     

铜及其合金表面的腐蚀与保护

论述了铜及其合金在自然环境下的腐蚀影响和腐蚀产物的形成及其形成机理。进行了腐蚀和抗腐蚀性保护研究的试验室加速模拟试验,分析了铜及其合金的腐蚀和防护的原理。试验结果表明:涂覆电接触润滑保护剂可以提高铜及其合金表面抵抗大气气氛有害介质腐蚀的能力,其效果满足国家相关标准要求。     

有线电视收费管理系统的研究与实现

随着我国有线电视的发展,有线电视的收费管理问题日益突出,收费难已经成为全国各有线电视台有待解决的难题之一,严重制约了我国有线电视的发展。提出一种成本低廉、效果明显的有线电视收费管理系统,能够较好地解决上述问题。     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

MMDS与HFC的比较分析

分别介绍了MMDS与HFC系统，通过对MMDS与HFC的比较分析，确立HFC在CATV系统中的主体地位，同时也肯定了MMDS系统在某些地区的不可替代作用和独特的五大优点。     

Modeling and simulation of emissivity of silicon-related materials and structures

A brief review of the models that have been proposed in the literature to simulate the emissivity of silicon-related materials and structures is presented. The models discussed in this paper include ray tracing, numerical, phenomenological, and semi-quantitative approaches. A semi-empirical model, known as Multi-Rad, based on the matrix method of multilayers is used to evaluate the reflectance, transmittance, and emittance for Si, SiO₂/Si, Si₃N₄/SiO₂/Si/SiO₂/Si₃N₄ (Hotliner), and separation by implantation of oxygen (SIMOX) wafers. The influence of doping concentration and dopant type as well as the effect of the angle of incidence on the radiative properties of silicon is examined. The results of these simulations lead to the following conclusions: (1) at least within the limitations of the Multi-Rad model, near the absorption edge, the radiative properties of Si are not affected significantly by the angle of incidence unless the angle is very steep; (2) at low temperatures, the emissivity of silicon shows complex structure as a function of wavelength; (3) for SiO₂/Si, changes in emissivity are dominated by substrate effects; (4) Hotliner has peak transmittance at 1.25 μm, and its emissivity is almost temperature independent; and (5) SIMOX exhibits significant changes in emissivity in the wavelength range of 1–20 μm.