残气对活性Mo场致发射阴极阵列发射特性的影响

1引言场致发射阴极阵列对发射体尖端受污染是非常敏感的，这些污染来自真空封装内的各种残余气体。这些气体除了会改变尖端表面的性能，还会被场致发射的电子电离。这些能量高的离子撞击尖端引起尖端表面结构的变化，从而使发射电流不稳定，甚至使器件失效。因此，必须基本了解各种残气对场致发射阵列灵敏度的影响，以保证器件的发射电流具有长期的稳定性及可靠性。目前对场致发射真空微电子器件人们感兴趣的是将它用作矩阵寻址电子束激发源的平板场发射显示器（FED）。场致发射显示器与阳极射线管相类似，只是它采用薄型平板封装。FED工…     

FED技术展望

1968年美国斯坦福研究的C．A．Spindt首次作了场致发射型发射陈列（FEA）的报告，法国的LETI宣布试制出了原型的场致发射显示器（FED），从那时起已经过了18年的时间。以此为契机，进人1990年后，经欧美为中心开发出了次进化薄型平面Spindt型FED。1998年美国Candesente公司宣布试制出了5．3英寸的FED。1998年美国Candesente公司宣布试制出了5．3英寸的FED，2004年日本双叶电子工业宣布试制出了11．3英寸的FED，15英寸以下的小型管已经达到了实用化的水平。     

FED发展概述

本文介绍了场致发射显示器(FED)的原理和特性,以及美国、日本等国FED的生产和研制进展情况。     

场致发射显示器件专用模拟软件的设计

设计开发了场致发射显示器件专用模拟软件,该软件以MATLAB为平台,采用以有限元法为基础的FEMLAB软件对场致发射区域内的电场分布进行计算,自行编制了FED模拟软件从MATLAB中取出FEMLAB输出的数据,分析阴极表面场致电子发射状态,计算电子在空间的轨迹和在阳极的落点,将计算结果输出至MATLAB,以图形方式绘出电子轨迹和着屏光点.在计算电子轨迹时采用了动态内存分配方法和可变索引数据结构,提高了程序的通用性和移植性.该软件界面友好、使用方便,可对任意结构的FED进行计算,可在器件研制之前对FED的特性进行研究.     

场致发射平面显示器的发展及应用前景

介绍了场致发射平面显示器(FED)的工作原理及研究现状,分析了LCD,PDP,FED等平板显示器的特点,并对FED显示器的应用前景作了展望.     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能（Canon）和东芝（Toshiba）的合资公司-SED公司宣布，将于2006年生产55英寸场致发射显示器（FED）。此外，SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节。本文将评述FED的某些技术信．     

场致发射与真空微电子

简要介绍场致发射与真空微电子的一般情况,尔后着重介绍应用真空微电子原理制作的场发射平板显示器(FED)。     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能(Canon)和东芝(Toshiba)的合资公司-SED公司宣布,将于2006年生产55英寸场致发射显示器(FED).此外,SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节.本文将评述FED的某些技术信息.     

场致发射显示器会卷土重来吗?

佳能(Canon)和东芝(Toshiba)的合资公司-SED公司宣布,将于2006年生产55英寸场致发射显示器(FED)。此外,SED公司还在2005年举行的两个会议上介绍了一些技术细节。本文将评述FED的某些技术信息。     

平面栅型FED的模拟研究

采用ANSYS有限元分析软件对平面栅型场致发射显示器（FED）的阴极表面电场进行了模拟分析。通过研究栅极宽度、阴栅间隙及阴极宽度对阴极表面电场分布的影响．结果表明平面栅型FED为边缘发射型器件,阴极宽度的改变对阴极表面电场整体影响明显．而阴栅间隙是影响阴极边缘电场分布的主要因素。     

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。     

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。     

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题.     

场发射显示器阴极结构的发展

场发射显示器（FED）集传统的阴极射线管显示（CRT）与液晶显示器（LCD）的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理．从F—N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原则,最后论述了FED阴极结构的发展。     

场发射显示

本文介绍了场发射平板显示的基本结构、工作原理、场发射冷阴极的制做方法以及与其有关的若干问题，最后介绍了场发射显示的现状和发展动态。     

场发射显示器(FED)荧光粉的研究进展

场发射显示器(FED)是一种新发展起来的平板显示器。它在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面具有优良的特性。文章首先简要地介绍了FED发展历史和现状、工作原理以及对荧光粉的要求，然后介绍了FED荧光粉的研究历史和发展现状以及有关FED荧光粉激发和发光机理的相关研究工作。最后就FED荧光粉的研究提出了一些建议。     

Fabrication of field emission display prototype utilizing printed carbon nanotubes/nanofibers emitters

Carbon nanotubes/nanofibers (CNTs) used as emitters, diode-type field emission display (FED) prototypes of dot matrix and character images were fabricated by low-cost techniques and equipments, respectively. The technical development in the design and fabrication of the cathode, the anode, and the panel, is described. CNTs were produced by a simple, low-cost and easily-controllable thermal chemical vapor deposition. The cathode was prepared by the screen-printing method. The field emission characteristics were enhanced by a heat post-treatment in H₂ gas atmosphere. The panel structure was packaged by a vacuum fluorescent display-like process and vacuum-sealed through an exhaust glass tube. The fully-sealed CNTs FED (c-FED) showed good emission properties. The brightness of 600 cd/m² was achieved from the yellow phosphor at a relatively low applied electric field. The developed technology has a potential practical application in c-FED.     

碳纳米管场致发射显示灰度调制方式的研究

碳纳米管的一个重要的应用是在场发射显示器件中作为电子的发射体。本文主要探讨了幅度调制、空间调制、时间调制等几种平板显示中常见的灰度等级实现方式以及其各自的优缺点，尤其针对碳纳米管场致发射显示（CNT-FED）中发射体的缺陷和功耗等问题进行了深入研究。脉宽调制（PWM，Pulse Width Modulation）能够一定程度上保护碳纳米管，降低碳纳米管显示器的功耗，而且实现简单。最后本文给出PWM方式实现CNT—FED的灰度显示的实验方案和在碳纳米管显示器样机上的显示效果图。     

场热电子发射与场热电子显示屏FTD

由于场热电子发射显示屏FTD采用场热发射微电子枪平板阵列,对场强和真空度的要求都不高,而且发射电流密度大,发射电流稳定性和均匀性好,故FTD既具有与液晶显示屏LCD、等离子显示屏PDP和场电子显示屏FED一样的平板结构,又具有与阳极射线显象管CRT一样的高亮度、高清晰度、广视角、低功耗、长寿命和优良的彩色图像。而且FTD生产工艺简单,凡能够生产CRT、LCD和PDP的厂家,不必增加大型设备,即可生产FTD。因此FTD生产成本低,是一种能够实现CRT平板化,并与其它平板显示屏,如LCD、PDP等在市场中相竞争的优质平析显示屏。