蓝宝石上射频溅射沉积CeO2外延缓冲层

研究了基片温度、溅射功率对采用射频溅射沉积在(1102)蓝宝石基片上的CeO2薄膜生长的影响.过低的沉积温度、溅射功率都会导致CeO2薄膜呈[111]取向生长.在基片温度为700～750 ℃,溅射功率为100～150 W,溅射气压为14 Pa下沉积了高质量[00l]取向的CeO2缓冲层.通过X射线衍射和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌.在最优化条件下制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面.在CeO2缓冲层上制得的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全[00l]取向,面内取向性良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)为89.5 K,临界电流密度Jc(77 K,0T)约为1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77 K,10 GHz)大约为 0.30 mΩ.     

射频磁控溅射的不同厚度MgF2薄膜的微结构和应力特性

用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60．7～1545．0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜，并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明：制备的MgF2薄膜呈多晶状态，仍为四方结构；随膜厚由420．0nm增加到1545．0nm，膜的平均晶粒尺寸由3．2tim逐渐增大到14．5nnl。应力研究表明：所制备的MgF2薄膜在Ф≠30mm选区内全场平均应力均表现为张应力；随膜厚增加，MgR薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小，当膜厚大于1200nm时，其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。     

掺杂PST薄膜的制备与介电调谐性能研究

采用Sol-Gel法在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上制备了多种不同组分的（Pb0.3Sr0.7）1-xKxTiO3（PST）（x=0,1mol％,2．5mol％,5mol％）多层均匀薄膜,并研究了它们的介电调谐性能。发现掺杂后薄膜的晶粒尺寸明显减小,介电常数降低及介电损耗减小。1MHz时,随K含量的从0增加至5mol％,薄膜的介电常数从841降低至539,而介电损耗由0．134减小到0．058,其微波介电综合性能改善。     

溶胶-凝胶方法制备ZnO：Al薄膜及其制备工艺条件研究

采用Sol—Gel工艺在玻璃基片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al^3＋离子掺杂的ZnO透明导电薄膜ZnO：Al（ZAO薄膜）．并研究了退火温度、Al掺杂量等对其光电性能的影响．结果表明，溶胶-凝胶法制备ZAO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0．75mol／L、掺杂量1．5atm％，镀膜层数10层（厚度约为136nm）、退火温度600℃．     

水热电耦合法制备BaZrO_3薄膜

本研究采用水热电耦合方法合成了BaZrO3薄膜。首先通过阴极放电等离子体(HCD-IP)在Si基片上沉积氮化锆(ZrN)薄膜,接着将包覆ZrN的Si基片侵入到水热电耦合装置中,其混合溶液为Ba(CH3COO)2和NaOH,在90℃的温度下工作1～15h。结果表明,在ZrN/Si基片上成功合成了立方BaZrO3薄膜。BaZrO3薄膜在ZrN上的生长速率比在块体Zr上的生长速率快,BaZrO3薄膜展示出纳米层结构,其厚度在15h后可达到2μm。本文讨论了溶液的反应温度和反应时间对薄膜形貌和厚度的影响。     

TiOx薄膜电阻稳定性及氧敏特性的研究

分别采用无机盐的水解－沉淀法和醇盐的溶胶－凝胶法两种工艺在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯｘ（ｘ＝１－２．０）薄膜,研究了薄膜结构及氧敏特性。结果表明：水解－沉淀法的膜层粒子分布均匀,工艺易控制;溶胶－－凝胶法的膜层粒子更细微,相变温度较低,两种工艺制得的超微粒薄膜都具有很好的电阻－温度稳定性。膜层粒子愈起细化,分布愈均匀,氧敏特性愈高;薄膜厚度与气体检测灵敏度有密切关系,具有最佳膜层厚度值,两种工艺获     

国内外钢丝胶管生产技术发展趋势

1钢丝编织机缠绕机和合股机 近年来，钢丝编织机和缠绕机都有一些新的改进，特点是转速更快、效率高。美国马格纳泰克（Magnatech）公司的RB-2旋转式钢丝／纱线编织机有16、20、24和36锭四种规格，钢丝编织机转速分别为90、80、69和45r／min，纱线编织机转速分别为100、90、75和50r／min；钢丝编织机生产速率分别为1．6m／min（80mm ID）、1．8m／min（10．0mm ID）、3．0m／min（12．7mm ID）和2．5m／min（25．0mm ID）；纱线编织机生产速率分别为1．8、2．0、3.3、2．8m／min。     

汽车仪表盘贴膜仿真及其工艺参数优化

以聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）为薄膜材料,对仪表盘外壳进行模外装饰（OMD）贴膜,采用有限元方法对该成型过程进行模拟仿真,获得了薄膜厚度的分布及其在x、y方向变形分布,分析了影响薄膜成型的因素。以成型后薄膜厚度平均值的标准偏差及其在x、y方向变形量的标准偏差同时最小为目标,采用试验设计（DOE）中的正交数组法对其各项工艺参数进行优化分析。结果表明,优化之后,薄膜的最大厚度为0.2013 mm,最小厚度为0.1883 mm, 相比优化前减小了0.5 %;薄膜在x方向、y方向的最大变形量分别为3.125、3.250 mm,相比优化前减小了5.5 %。     

改性聚三氟氯乙烯介电薄膜制备工艺的优化

为满足多层电路对改性聚三氟氯乙烯(PCTFE)薄膜厚度的精度及均匀性的要求,采用熔融流延工艺制备了改性PCTFE薄膜。通过设计正交试验,以料腔温度、挤出速度、拉伸速度为变量,设计3因素3水平实验9组。采用方差分析,分析不同实验条件下改性PCTFE薄膜的厚度,结果显示不同条件制备的薄膜厚度具有显著差异,以料腔温度265℃、挤出速度1.8m/min、拉伸速度1.7m/min制备的改性PCTFE薄膜,厚度为(0.045±0.003)mm,相对介电常数为2.2624,介电损耗为2.13×10~(–3),连续3批次改性PCTFE薄膜的厚度、相对介电常数和介电损耗的过程能力指数C_(pk)分别为1.04、1.05和1.09,可满足高频微波电路对材料厚度和介电性能的均匀性及一致性的要求。     

实验涂磁机的改进与凹版涂布工艺技术

1前言磁信号记录的载体——磁带在形成过程中（除配方之处），涂布是重要环节。涂布的形式多种多样。在我厂磁带生产的历史上多以翻转辊式涂布为主。随着磁记录的发展，记录密度不断提高。尤其是数字记录，对涂层厚度、均匀性要求越来越高。以软磁盘为例，早期涂层厚度为2．5－3．5μm，而现在90mm盘1MB和2MB的涂层厚度分别为Zmp和1μm，甚至有的厚度在0．7μm左右。如此高的工艺要求，除通过改变工艺配方来满足之外，涂布工艺技术也需较大的改进。继续使用传统的涂布方法，难以满足工艺要求。而物料定量精确、涂布均匀的凹版涂布技术就能…     

电化学方法进行MgB2超导薄膜的制备

自MgB2的超导电性被发现之后,一些科研小组就尝试合成MgB2样品线材、带材和薄膜。我们尝试用电沉积方法在衬底上生长MgB2薄膜。电沉积法虽然所需设备投资少、工艺简单,但影响因素却相当复杂,薄膜性能不仅决定于电流、电压、温度、溶剂、溶液的pH值及其浓度、还受到溶液的离子浓度、电极的表面状态等因素影响。我们尝试用三电极系统在硼酸和乙酸镁的溶液中沉积MgB2,在实验中不断摸索和总结,不断改变实验条件和参数。并对沉积后的样品退火后作EDAX、SEM等检测分析。     

Electrical characteristics of Pb0.92La0.08(Zr0.52Ti0.48)O3/YBa2Cu3O7-x heterostructures

Pb_0.92La_0.08(Zr_0.52Ti_0.48)O₃/YBa₂Cu₃O_7-x(PLZT/YBCO) heterostructures with high c-axis epitaxial properties were prepared by PLD method. Hysteresis loops, photovoltaic effects, and current transfer properties of this structure were investigated. Hysteresis loop test results showed that residual polarization intensity of PLZT gradually decreases with decreasing temperature but coercivity field increases. I–V curve of PLZT/YBCO heterostructure in dark state was tested and found to have significant rectification characteristics, indicating the existence of potential barrier at interface of the heterostructure. UV illumination experiments showed that PLZT/YBCO heterostructure has clear photovoltaic effect, with both photovoltage and photocurrent decreasing as the temperature is decreased. Moreover, photovoltage and photocurrent display jump phenomenon when superconducting transition of YBCO occurs. Further analysis of jump phenomenon revealed that the difference of photovoltage with temperature before and after superconducting transition of YBCO is consistent with superconducting energy bandgap of YBCO. The opening of superconducting energy gap of YBCO lowers PLZT/YBCO interfacial potential barrier and promotes migration of photogenerated carriers, consequently increasing photovoltage and photocurrent. This work describes novel method to measure superconducting energy gap.     

高Tc超导体的进展和C60之谜

本文简要地回顾了近年来高温超导体的主要进展,特別是临界电流密度的改善和电子型超导体的发展,最后介绍了掺杂C_(60)超导体的发现和研究情况。     

Preparation and characterisation of the perovskite oxide superconductor YBa2Cu3O7 − x

A perovskite oxide, YBa₂Cu₃O_{7 ? x} (YBCO), has been prepared by the method of carbonate precipitation from a mixed nitrate solution and oxidised at 950°C in an air atmosphere to obtain a perovskite oxide to be used as a catalyst for H₂/CO reactions. The characterisation of the perovskite oxide was performed by using X-ray diffraction before and after the treatment with different gases, A.C. susceptibility measurements, particle size measurements and temperature programmed reduction (TPR) in which hydrogen was used in order to monitor the changes of the perovskite with temperature in a hydrogen atmosphere. A.C. susceptibility measurements showed that the YBCO perovskite exhibited the typical good superconducting sharp transition temperature at 93 K, indicating that the wet chemical preparation route is suited to the production of this material.     

超导电性及其材料的应用与进展

超导的发现是20世纪物理学的一项伟大成果。文章主要阐述了超导现象,超导电性的理论研究、新进展,超导材料的主要制备技术,以及对超导体新的应用领域提出了一些展望。随着高温超导材料的开发成功,超导材料将越来越多地应用于尖端技术中,因此超导材料技术有着重大的应用发展潜力,可解决未来能源、交通、医疗和国防事业中的重要问题。     

拓扑反应合成超导体Ba1-xKxBi1-ySbyO3

以BaCO3、Bi2O3、Sb2O3为原料通过固相反应合成前驱体BaBi1-ySbyO3,然后以KOH为熔盐利用拓扑离子交换反应制备新型铋酸盐超导体Ba1-xKxBi1-ySbyO3。并用X-射线粉末衍射、超导量子干涉仪、透射电镜、扫描电镜、电感耦合等离子体发射光谱等对其进行表征。其超导转变温度为15 K。     

纳米添加物对超导材料性能影响的研究进展

本文介绍了近年来纳米添加物对超导材料如YBCO、BSCCO和MgB2等超导性影响的研究现状,讨论了引入纳米物质对超导材料的超导临界电流和超导临界温度等性能的影响。大部分研究表明,引进纳米物质,在超导材料间作为第二相缺陷形成强的磁通钉扎中心,是工业应用上改善超导体磁性能最实用、最有前途的技术。     

烧结法制备YBa2Cu3O7-δ系列超导体的研究概况

YBa2Cu3O7-δ系列超导体是高温超导材料中研究最多和应用最为广泛的超导体之一。本文概括介绍了国内外有关烧结法制备YBa2Cu3O7-δ系列超导体的弱连接问题、输运性质、电磁性质及烧结工艺等方面的研究概况,对高I临界电流密度YBa2Cu3O7-δ超导体的制备及理论分析具有重要的参考价值。     

基片对超导厚膜性能的影响

采用普通丝网印刷技术在YSZ基片上制得零电阻温度力90K、转变宽度为2K、与基片能良好附着、具有良好工艺性的Y-Ba-Cu-O系超导厚膜。运用四探针法测量电阻,X-射线衍射仪,电子显微镜分析晶相组成和显微结构,用扫描电镜和电子能谱分析技术研究了膜与基片间的反应,发现不同基片(Al_2O_3和YSZ)、膜与基片之间的反应不同,对膜相结构、致密情况的影响不同,因而厚膜的超导电性能也就不同。