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1.
采用真空镀膜的方法制备了基于NPB的高效蓝色有机电致发光器件(OLED),其结构为:ITO/NPB/BCP /Alq3/Mg∶Ag和ITO/TPD/NPB/BCP / Alq3/Mg∶Ag,由于BCP对空穴的阻挡作用,器件的发光谱峰均位于441nm处,为NPB的EL特征光谱,实现了蓝色发光.在15V时,器件的最高亮度为2880和3000cd/m2,分别在2.5V和1.5V器件启亮之后,最大流明效率为4.00和5.63lm/W,CIE色坐标为(0.14, 0.08)和(0.15,0.11). 相似文献
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热处理提高蓝色有机电致发光器件性能的研究 总被引:4,自引:1,他引:3
选取梯形次对苯基聚合物LPPP和小分子Ya二唑材料OXD-7分别作为具有空穴转移特性的发光层材料及电子输运材料制备了蓝色有机电致发光(OEL)器件,采用热处理方法显著地提高了其发光性能,其最佳热处理条件为:真空中,170℃,1h。初步分析了热处理提高器件发光性能的原因,主要有两个因素:高温作用促进异质结的形成;热处理改善器件阴极/有机薄膜界面的接触状况,有效地减少器件工作中产生的黑斑。 相似文献
3.
4.
红绿掺杂有机电致发光器件发光性能的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
制备了结构为ITO/MoO3(x nm)/NPB(40nm)/CBP:14%GIr1(12.5nm)/CBP:6%R-4b(5nm)/C BP:14% GIr1(12.5nm)/BCP(10nm)/Alq3( 40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的红绿磷光器件,G Ir1和R-4B分别为新型绿色和 红色磷光染料,采用绿-红-绿掺杂顺序,结合BCP对空穴的有效限制作用,研究了不同MoO 3厚度器件的发光 机理。结果表明,在MoO3为40nm时,器件发光性能较好,在电压 为5V、亮度为100cd·m-2时,得到最大的 电流效率为16.91cd·A-1。为提高器件光效,增加TCTA电子 阻挡层,获得了最高电流效率20.01cd·A-1。原因主要是, TCTA的HOMO能级介于NPB和CBP之间,促进空穴注入;TCTA较高的三线态能量对发光层激子的 限制。 相似文献
5.
具有多层薄膜结构,发射鲜蓝色光的有机电致发光(EL)器件已经制成并为选择蓝色发光材料制定了二个经验性指南。要获到具有高 EL 效率的 EL 器件,关键是发射层要有优异的成膜能力以及发射极与载流子输运材料的适当组合,避免形成激态复合物。在我们的有机电致发光器件中,有一个器件在电流密度为100mA/cm~2,直流驱动电压为10V 时,蓝光发射亮度达700cd/m~2。 相似文献
6.
采用poly(N-vinylearbazole)(PVK):N,N'-bis-(1-naphthyl)-N,N'-bipheny-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)掺杂体系作为复合空穴传输层,通过调节该体系的组分,制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/PVK:NPB/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg:Ag的双层有机电致发光器件(OLED),研究了具有不同掺杂质量比的OLED器件的电致发光特性,并对掺杂薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明,将NPB掺杂到PVK中会提高空穴传输能力,改善器件的发光亮度和效率,并调节载流子复合区域的位置,光谱谱峰从509 nm移动到530 mm;但随着NPB质量比例提高,掺杂薄膜表面的平均粗糙度由3 nm上升为10 mm,电流密度和亮度先升高后降低.当PVK和NPB的掺杂质量比为l:3时,器件具有最优性能,发光亮度达到7852 cd/m2,功率效率为1.75 lm/W. 相似文献
7.
空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响 总被引:4,自引:2,他引:4
采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK:TPD/Alq3/Al和ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的绿色和蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响.结果发现:对于绿色OLED,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度,改善了器件的性能;而对于蓝色OLED,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化.这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响,并通过器件的能级结构对此进行了解释. 相似文献
8.
研究了以NPB为空穴传输层、Alq3为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Alq3厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Alq3与NPB厚度变化的关系并不相同.不同有机层厚度双层器件的电流机制符合陷阱电荷限制(TCL)理论,随外加电压的增大,器件电流经历了欧姆电导区、TCL电流区、陷阱电荷限制-空间电荷限制(TCL-SCL)过渡区三个区域的变化.当有机层厚度匹配为NPB(20nm)/Alq3(50nm)时可以获得性能优良的器件.器件的流明效率-电压关系曲线的变化规律是在低电压区较快达到最大值,然后随电压的增加逐渐降低. 相似文献
9.
以TPD为空穴传输层,Alq3为发光层兼做电子传输层,用真空蒸镀方法制备了双层结构ITO/TPD/Alq3/Mg∶Ag器件,并系统地研究了发光层厚度对器件发光性能的影响.通过固定TPD厚度为40 nm,Alq3层厚度x分别为20,30,40,50,60和70 nm,共制备了六种结构的器件.结果表明,器件电流随着x的增大而减小,启亮电压随着x的增加而增大,而器件亮度和流明效率随着x的增大先增大再减小;x=40 nm的器件在15 V电压下具有最大亮度值13 750 cd/m2,在5 V电压下具有最大流明效率值0.862 lm/W. 相似文献
10.
通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,发光的峰值波长为444nm。 相似文献
11.
采用真空蒸镀法,制备了结构为ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN:TBP(30nm,X)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的蓝光器件,X为TBP的掺杂浓度(质量分数),分别取0%,1%,2%,3%,4%,5%。实验结果表明:采用2T-NATA作为空穴注入层和掺杂TBP能够改善器件的发光亮度和发光效率,当TBP掺杂浓度为3%时,器件的效果最好,可获得稳定的蓝光器件,亮度最高达到5840cd/m2,比不掺杂TBP的亮度提高约0.7倍;7V时器件的最大电流效率为5.29cd/A,流明效率为21m/W,色坐标为(0.1529,0.2254)。 相似文献
12.
讨论了基于蓝色荧光染料DSA-ph作为发光层的蓝色有机电致发光器件,器件结构为:ITO/2T-NATA/NPBX/DSA-ph(xnm)/TAZ/Bphen/LiF/Al。通过改变DSA-ph的超薄层厚度,相应器件的性能指标也有所不同。研究表明,在超薄层厚度为0.5nm,驱动电压为4V时,器件的最大发光效率为6.57cd/A;在超薄层厚度为0.3nm时,驱动电压为10V时,器件的最大亮度为5 122cd/m^2。器件的色坐标在(0.17,0.36)附近,属于蓝光发射。 相似文献
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14.
研究了基于FIrpic的超薄非掺杂有机电致蓝色磷光器件的光电特性.改变超薄非掺杂FIrpic发光层以及其隔离层的厚度,可以调控FIrpic分子的聚集及激子相互作用强度对器件性能的影响.研究结果表明,具有TCTA 5 nm/FIrpic 1 nm/TCTA 5 nm/FIrpic 1 nm/TPBI 5 nm/FIrpic 1 nm多发光层结构的器件性能较优,最大发光效率为9.9 cd/A,超薄非掺杂发光层结构避免了掺杂方法中共沉积磷光材料浓度的精确控制,有利于简化器件制备工艺. 相似文献
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有机紫外光探测器(Organic Ultraviolet Photodetector,OUV-PD)因质量轻、柔性和成本低等优点已引起广泛关注.以m-MTDATA、NPB和Bphen分别为空穴注入层、给体和受体制备了OUV-PD.器件结构为:ITO/m-MTDATA/NPB/Bphen/LiF/Al,通过优化给受体层的厚度,实现了器件的最优性能.当NPB厚度为60 nm、Bphen厚度为90 nm时器件性能最佳,在光照强度为1.05 mW/cm2、波长为365 nm的紫外光照射下,最大响应度为131 mA/W.同时,结合材料特点和器件结构讨论了工作机理. 相似文献
17.
主要研究了NPB厚度对堆叠式白色有机电致发光器件性能的影响。实验制备了四组结构为ITO/2-TNATA(15 nm)/NPB(Tnm)/ADN(30 nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)(其中T分别为15,30,35和40 nm)的OLED器件,比较了不同厚度情况下OLED器件的电致发光特性,结果表明:改变NPB(4,4-N,N-bis-N-1-naphthy1-N-pheny1-amino-bipheny1)的厚度能够明显提高器件的发光亮度和发光效率,并调节载流子复合区域的位置,有效提高载流子的注入效果。同时发光器件的颜色也可通过调节NPB层的厚度来改变,这种器件使用NPB作为空穴传输层显示出了色纯度高、亮度好、效率较高的白光发射,其具有CIE色坐标(x=0.301 6,y=0.338 5),最高亮度和最大发光效率分别达到14 020 cd/m2与2.94 lm/W。 相似文献
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利用有机发光材料N,N’-bis-(1-naphthyt)N,N’-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4'-diamine(NPB)作为空穴传输层。4,4-dis(2,2’diphenytvinyl)-1,1’-biphenyl(DPVBi)作为发光层,aluminium-tris-8-hydroxy—quinoline(Alq3)作为电子传输层。采用ITO/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al基本结构,研究了NPB厚度对蓝光有机器件(OLED)的亮度和效率的影响。在DPVBi、Alq3、LiF和Al分别保持在20、30、0.5和100nm不变。而NPB在40、50…和150nm内进行变化,在NPB小于130nm而大于40nm内,亮度随厚度的增加而增加,最大亮度达到6891cd/m^2,对应的效率是1.64cd/A,而色(CIE)坐标的变化范围较小,获得了性能较好的蓝光OLED。 相似文献