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微电极阵列记录技术提供了一种理想的神经电生理检测手段,可以同时获得大量神经细胞的电活动信息,对于深入研究大脑神经细胞及其网络的工作机制,开发新的神经修复技术具有重要的意义.近年来迅速发展的用于在体神经信号检测的微电极阵列主要有两种类型:Utah电极和Michigan电极.本文将介绍它们的制造工艺、结构、特点、应用进展,及其用于检测和分析神经细胞场电位和胞外动作电位的方法和原理;并且,分析和探讨微电极阵列在电极制造、信号记录和信号分析等方面亟待解决的一些问题和今后的发展方向,以促进我国在微电极阵列开发和应用领域的快速发展. 相似文献
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140 GHz高速无线通信技术研究 总被引:3,自引:0,他引:3
太赫兹频段的宽带特性使得其在高速无线通信领域存在巨大的应用潜力,当前太赫兹通信存在的主要问题是辐射功率低、大气衰减严重及调制解调困难。该文在提出了基于肖特基二极管次谐波混频技术+16 QAM高速数字调制解调技术的太赫兹波超高速信息传输系统实现方案,该方案提高了太赫兹通信的频谱效率。并在国内首次实现了140 GHz无线通信实验系统,以实验方法验证了太赫兹信道的幅相失真特性完全满足高阶数字信号的传输要求。该系统在0.5 m距离上实现了10 Gbps无线传输实验和高清视频传输,辐射功率-3 dBm,系统误码率小于1e-6。 相似文献
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凸点芯片倒装焊接技术 总被引:4,自引:1,他引:3
凸点芯片倒装焊接是一种具有发展潜力的芯片互连工艺技术。目前主要有C4、热超声和导电粘接剂等工艺方法,本文介绍了这三种工艺的技术特点、工艺流程及应用领域。 相似文献
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Zhongrui Wang Mingyi Rao Rivu Midya Saumil Joshi Hao Jiang Peng Lin Wenhao Song Shiva Asapu Ye Zhuo Can Li Huaqiang Wu Qiangfei Xia J. Joshua Yang 《Advanced functional materials》2018,28(6)
Threshold switches with Ag or Cu active metal species are volatile memristors (also termed diffusive memristors) featuring spontaneous rupture of conduction channels. The temporal dynamics of the conductance evolution is closely related to the electrochemical and diffusive dynamics of the active metals which could be modulated by electric field strength, biasing duration, temperature, and so on. Microscopic pictures by electron microscopy and quantitative thermodynamics modeling are examined to give insights into the underlying physics of the switching. Depending on the time scale of the relaxation process, such devices find a variety of novel applications in electronics, ranging from selector devices for memories to synaptic devices for neuromorphic computing. 相似文献
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在对日本一些著名半导体生产企业实际生产中所用的质量控制方法和企业生产规范进行认真分析的基础上,提出了一组具有代表性的主要检测项目和相应的检测方法.设计了一组芯片切割实验方案并进行了切割实验,对所提出的检测项目及要求逐项进行了检测.明确了在正常切割条件下各项指标出现不合格品可能性的大小,证明了所提出的检测项目和检测方法对于控制芯片切割品质的有效性.研究成果对于芯片切割加工品质评价方法的规范化和标准化,对于高速切割机的设计和切割工艺的制定等均具有重要的参考价值. 相似文献
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Threshold Switching: Threshold Switching of Ag or Cu in Dielectrics: Materials,Mechanism, and Applications (Adv. Funct. Mater. 6/2018) 下载免费PDF全文
Zhongrui Wang Mingyi Rao Rivu Midya Saumil Joshi Hao Jiang Peng Lin Wenhao Song Shiva Asapu Ye Zhuo Can Li Huaqiang Wu Qiangfei Xia J. Joshua Yang 《Advanced functional materials》2018,28(6)
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高速半导体激光器等效参数的提取 总被引:1,自引:0,他引:1
本文克服了背地共面线谐振现象的有害影响,制作了国产高速半导体激光器非匹配微波封装组件,测试了组件的频响特性,由此提取了器件的等效参数,讨论了改善国产器件性能的技术途径。 相似文献
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对于条形半导体激光器在不同偏置电流、调制频率的工作条件下,调制相位不均匀效应进行了实验研究,并与1.3μm、BH半导体激光器的调制相位不均匀性进行了比较.实验结果与理论计算一致. 相似文献
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制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2. 相似文献
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本文分析了半导体激光器模分配特性对光纤传输系统的影响,给出了模分配系数K的物理意义,计算了在不同误码率底线、不同波动程度、不同波长和不同的光源频谱下的系统传输速率和传输距离以及相应的功率代价。 相似文献