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随着WiFi技术的发展,新一代WiFi6应用日渐广泛。为了提高WiFi6双频段接收机性能并减小尺寸,本文基于ATF-551M4晶体管提出了一种可应用于WiFi6的双频天线与低噪声放大器(Low-noise amplifier, LNA)一体化设计方法。在两个工作频段内同时将天线的输出阻抗调节为LNA电路最小噪声匹配所需的输入阻抗,使得天线可以与电路直接相连,不需要任何的匹配网络,从而消除传统设计中匹配网络带来的损耗并使得电路结构更加紧凑。仿真和实测结果表明一体化设计的尺寸较传统级联设计减少了约13%,并且一体化设计的噪声系数(Noise Figure, NF)在工作频带内明显低于传统级联设计,最大减小了0.44dB(改善了约19%)。 相似文献
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匹配网络影响了低噪放的增益、噪声系数、带宽等重要指标。若采用单向设计,则输入与输出端匹配网络相互影响,使得匹配网络的性能下降,而常规双向设计需要对不同用途的匹配网络分别考虑,且设计繁琐。由此,本文提出了一种最佳阻抗匹配仿真法,它能较好地克服匹配网络间相互影响,对不同用途匹配网络不需分开设计,即可达到双向设计相同的目的,且设计过程简单直观,程序化,适合多级匹配网络的仿真设计。最后利用这种方法对2.49GHz高增益三级低噪放的各级匹配网络进行了设计。 相似文献
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针对传统有源天线存在的线路损耗问题,提出一款新型宽带低噪声放大器有源集成天线.该设计将天线同时作为辐射元件和有源电路的匹配部分,在不使用任何输入匹配网络的情况下,将低噪放管与天线高度集成,实现有源电路和无源天线一体化.本文设计采用AV-AGO公司的GaAs HEMT低噪放管,通过加载缝隙的倒F天线实现了32%的匹配带宽... 相似文献
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王创业 《无线电技术(上海)》2006,(1):22-28
本文主要介绍了利用ADS2004A软件设计低噪声放大器的设计过程,并对设计和调试进行了详细的总结。对仿真和测试结果进行了比较,分析误差存在的几点因素,以便今后工作的改善和提高。 相似文献
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采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz~2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输出匹配。偏置电路采用电流镜原理。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在2.3 GHz~2.7GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于1.96dB,增益大于21.8dB,整个电路功耗为9mW。 相似文献
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射频双向放大器作为雷达接收通道的前端模块芯片,其性能的优劣直接影响通道的性能。传统的双向放大器芯片往往是基于射频开关的拓扑结构设计的,在噪声性能和反向隔离度方面都有所不足。文中设计基于电源调制的双向放大器芯片,具有全新的电路拓扑结构,射频信号不通过射频开关而直接进入低噪声放大器,可以优化芯片的噪声性能;同时,截止的器件可以提高芯片的反向隔离度。设计中如何提高低噪声放大器的增益和噪声性能,以及如何利用有源滤波匹配技术实现射频输入输出端口的合并和匹配是两大难点和创新点。文中基于L 波段的双向放大器设计及流片的测试结果显示,芯片有良好的性能,充分验证了理论分析的正确性。 相似文献
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Houssem Chouik 《电子产品世界》2012,(10):61
手机中FM收音机模块用耳机线作为FM的天线,或是把无源天线集成到手机内部,都不是理想方案.利用有源天线技术可以满足手机FM收音机模块对天线的要求.本文介绍了英飞凌有源天线模块的设计及低噪声放大器在其中的重要性. 相似文献
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An optimum design of a low noise amplifier (LNA) in S-band working at 2-4 GHz is described. Choosing FHC40LG high electronic mobility transistor (HEMT), the noise figure of the designed amplifier simulated by Microwave Office is no more than 1.5 dB, meanwhile the gain is no less than 20 dB in the given bandwidth. The simulated results agree with the performance of the transistor itself well in consideration of its own minimum noise figure (0.3 dB) and associated gain (15.5 dB). Simultaneously, the stability factor of the designed amplifier is no less than 1 in the given bandwidth. 相似文献
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分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg,同时移除源极负反馈电感Ls.应用这种改进型输入匹配结构,基于0.18μm BSIM3模型设计了工作频带为5.1~5.8 GHz的宽带CMOS低噪声放大器.结果表明,虽然输入匹配由于移除源极负反馈电感Ls受到一定影响,但是有利于降低噪声系数并减小实际制作的芯片面积. 相似文献
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Xin-Yan Gao Wen-Kai Xie Liang Tang 《中国电子科技》2007,5(3):234-237
An optimum design of a low noise amplifier (LNA) in S-band working at 2-4 GHz is described. Choosing FHC40LG high electronic mobility transistor (HEMT), the noise figure of the designed amplifier simulated by Microwave Office is no more than 1.5 dB, meanwhile the gain is no less than 20 dB in the given bandwidth. The simulated results agree with the performance of the transistor itself well in consideration of its own minimum noise figure (0.3 dB) and associated gain (15.5 dB). Simultaneously, the stability factor of the designed amplifier is no less than 1 in the given bandwidth. 相似文献
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应用E-PHEMT器件ATF-58143设计了一款增益约20 dB,噪声系数小于0.5 dB的低噪声放大器。采用负反馈保证系统的稳定性,利用匹配网络保证了低噪声系数和高增益。结合该实例介绍了借助ADS软件进行低噪声放大器的设计方法,给出设计步骤,并对仿真结果进行了分析,对于LNA的研究与设计具有重要意义。 相似文献
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分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路,采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明:在5.6GHz工作频率,电压增益约为18.5dB;噪声系数为1.78dB;增益1dB压缩点为-21.72dBm;输入参考三阶交调点为-11.75dBm。在1.2V直流电压下测得的功耗约为25mW。 相似文献
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针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz~9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。 相似文献
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这里首先简单介绍了低噪声放大器(LNA)电路的设计理论,然后介绍了数字对讲机中LNA的设计指标。基于这些指标,使用了HP公司提供的芯片AT-41511,详细阐述了基于ADS仿真的适用于数字对讲机中LNA的主要设计步骤。最后在ADS仿真软件下通过s参数及谐波平衡仿真得到设计出的LNA的各项性能参数,在400-470MHz频率范围内噪声系数小于0.8dB,带内增益大于15dB。仿真结果表明,该设计的LNA可以完全满足所给的性能指标要求。 相似文献