FD-SOI能否成为28nm以后的集成电路工艺路线

FD-SOI工艺在中国能否获得支持和采用正处在关键期。先进半导体制造产线的巨额投资,使FD-SOI工艺、平面工艺、Fin FET工艺之战引人瞩目。FD-SOI被认为是其中的黑马,尽管实际上目前备受关注的是其在平面工艺范畴中的表现,但FD-SOI也具备升级至3D架构的能力。本文将重点关注FD-SOI产业链的诸多环节在一年中发生的变化。     

90nm集成电路工艺进入量产

根据半导体工业协会(SIA)发表的ITRS(国际半导体技术发展蓝图)2002年修订版显示,21世纪集成电路工艺将告别早期的微米(1μm)制程,进入了纳米(100nm)制程(如图1所示)。其中,DRAM存储器在2003年,MPU处理器在2004年初相继实现线宽100nm的工艺,并且两种最高集成度的IC都在2004年中实现线宽90nm的工艺。到     

Altera在20nm工艺技术上的三大创新

日前,Altera公司公开了在其下一代20nm产品中规划的几项关键创新技术,并延续在硅片融合上的承诺。Altera公司资深副总裁兼首席技术官Misha Burich在接受本刊记者采访时说,Altera在20nm的体系结构、软件和工艺的创新,大幅度提高了下一代FPGA的性能、带宽、集成度和功效,并能支持更强大的混合系     

Xilinx披露20nm产品路线图及技术细节

Xilinx不久前正式公开了其20nm产品路线图,在之前的28nm产品上,Xilinx声称他们领先竞争对手一代,落实了All Programmable器件战略(FPGA、SoC和3D IC),推出了Vivado设计环境和开发套件,结合其丰富的IP资源,为市场提供了高性能、低功耗和有利于减少系统/BOM成本的产品。赛灵思公司全球高级副总裁,亚太区执行总裁     

集成电路迈向90nm新工艺

介绍集成电路制造技术90nm最新工艺的一些动态及采用的新技术,如应变硅、50nm晶体管栅极长度,并对今后集成电路的发展做了简单展望。     

最新随录随放语音集成电路SM—20

本文所要介绍的SM—20单片语音录放电路是台湾远致制作公司最新生产的语音电路。她具有高保真,即录即放,不怕掉电,录音时间1～20s任意控制等特点。SM—20系CMOS大规模集成电路,它内含微音放大器,时钟发生器,反混叠,平滑滤波器,E~2PROM存贮器,自动控制等电路,工作电压采用5V的单电源     

中国集成电路产业的差距在哪儿?

本文探讨了我国集成电路产业与发达国家及地区的差距。     

EUV微影技术与7nm工艺

集成电路的制造技术下一步将进入7nm节点,业界期待极紫外光(EUV)微影技术的成熟并广泛推广应用,期望EUV能用来制造更小、更便宜的晶片。数据表明,EUV仍然缺少具有高功率,足够可靠的光源来保证目前晶圆厂每天所要求的晶圆产能。     

下一代集成电路器件和157 nm的曝光方法

近年来的半导体集成电路的发展十分惊人,称这种集成电路为现在的集成化电子系统是很合适的.这就是所谓的系统LSE.其系统规模从大规模集成电路(LSI)向甚大规模集成电路(VLSI)扩大,并且器件数量向超过100万个的超大规模集成电路(ULSI)方向发展.21世纪初,ULSI系统本身就是电子仪器系统.可以说,它的发展给社会带来很大影响,以至出现了高速信息化社会.     

TSSOP20-EP功率集成电路封装技术

无锡华润安盛科技有限公司是华润微电子下属的集成电路专业封装-测试企业,是国资委所属华润集团公司通过华润微电子（控股）有限公司在国内投资设立的公司。公司注册资本3．2亿人民币,投资总额8．98亿元人民币。     

90nm技术进程

联电90nm铜制程技术顺利产出2003年3月联电宣布客户采用联电90nm铜制程技术的产品顺利产出,此举让联电成为第一家以业界最先进的90nm制程为客户成功推出产品的晶圆专工公司。联电是首家达成此重要里程碑的晶圆专工公司,这完全归功于近几个月来联电在先进制程的重大进展。联电预期客户即将于今年量产此产品。由于具备丰富的0.13μm产品量产经验,联电在转进90nm制程的试产进展顺利。许多首次在0.13μm制程采用的新材料及新技术,皆可应用于90nm制程技术上,包含铜制程及低介电系数材料等。联电的90nm技术将使用9层铜导金属层、三闸氧化层(triple…     

模拟专用集成电路的封装技术

本文介绍了在模拟专用集成电路封装设计中的封装可靠性、技术可行性及其电性能和热性能等,概述了ASIC的主要封装形式:无引线陶瓷芯片载体、阵列式封装、多层封装和大腔体封装以及采用的主要封装技术。最后,简要介绍了我所模拟专用集成电路封装方面的工作。     

集成电路技术发展动态

近年来，许多文献对微电子技术或集成电路的发展动态进行了报道，对集成电路的市场需求、技术要求及应用前景进行了论述。主要侧重于技术层面，对硅集成电路技术（包括数字集成电路和模拟集成电路）涉及到的材料、器件、工艺、电路等的发展动态进行综述。     

LSI逻辑计划采用自有90nm工艺

LSI逻辑近日宣布：计划采用该公司90nm工艺生产下一代RapidChip平台ASIC系列产品。新的硅片将为系统设计师提供90nm工艺最大的集成度及性能优势，并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。RapidChip 90nm系列产品使设计工程师可利用平台ASIC技术的优势．广泛用于包括通讯、存储、工业、医疗、国防和高端消费电子等在内的应用系统。     

集成电路的CAT技术

集成电路(IC)研究与制造技术的迅猛发展已导致社会生产的飞跃性变革,集成电路的应用已渗透到工业、农业、国防以及人们日常生活乃至各个领域。近年来,专用集成电路(ASIC)的制造异军突起,成为IC生产的主流。但是,不论是通用IC还是ASIC,集成规模的不断增大,电路内部节点数以及输入输出信息量大幅度增加,对IC制造厂家提出了严峻的课题:如何迅速准确地检测芯片、如何以最少的测试矢量最多地反映内部节点的状态。本论文主要阐述了集成电路的CAT技术及其应用。     

65nm/45nm工艺及其相关技术

介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。