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采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9. 相似文献
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采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9. 相似文献
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实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAsHBT,器件的电流截止频率达到4.4GHz,开启电压0.4V,反向击穿电压大于4V,直流放大倍数约为20。该HBT器件和GaAs基长波长、可调谐InP光探测器单片集成为实现适用于WDM光纤通信系统的高性能、集成化光接收机前端提供了一种新的解决方法。 相似文献
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介绍了一种较为精确的Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型的直接提取方法。该方法中的HBT小信号等效电路拓扑结构采用混合PI型结构,并通过在不同偏置状态下的测量进行模型参数的提取。采用该方法对2μm工艺、叉指数为2、发射结面积为2μm×20μm的HBT模型管进行了提取,提取结果在DC-20GHz频率范围内具有较好的精度,提取误差小于6%。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2018,(1)
<正>南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InP HBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成,突破了InPHBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术,研制出13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片,如图1所示,共包含453个0.7μm InP HBT器件与1036个0.18μm Si MOSFET器件。表1展示了不同工艺的量化降速电路性能的比较,可以看出本文报道的异构 相似文献
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本文首先简要介绍异质结双极晶体管(HBT)的结构和特点,接着评述HBT工艺技术发展现状、单元设计和目前制作的功率HBT的性能。 相似文献
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III-V族化合物 HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要.本文开发了一个可精确用于表征III-V族化合物HBT直流、大、小信号特性的新模型,并可用于对HBT器件极为重要的自热效应的仿真. 模型开发过程中对UCSD HBT模型和VBIC BJT模型进行了借鉴,但新模型不同于以上两个模型. 模型通过对比直流、S参数和功率测量结果进行验证. 相似文献
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