SnO2导电薄膜的制备与研究

采用R．F反应溅射法制备SnO2导电薄膜，用XRD、AFM、XPS研究了薄膜的结构和组成对导电性能的影响。XRD和AFM研究表明，随着衬底温度的增加，SnO2薄膜从非晶向多晶结构转变，表面粗糙度减弱，薄膜的表面电阻大幅增加。采用XPS对薄膜表面成分进行分析，时不同衬底温度下Sn3d5／2拟合发现，薄膜表面存在Sn^2＋和Sn^4＋两种混合价态。随着村底温度的增加，Sn3d5／2能谱位置与峰宽并没有变化。对O1s能谱进行Gaussian拟合后发现，薄膜表面的氧以晶格氧（略）和化学吸附氧（Oahs^-）两种方式存在。实验证明，Oabs^-含量与SnO2表面电阻成正比关系。     

纳米SnO2薄膜的制备及其表征

采用溶胶-凝胶法在玻璃基体表面制备纳米SnO2薄膜,通过热处理使其晶化。通过原子力显微镜(AFM)形貌分析表明,在20～80nm的粒径范围内,可通过工艺配方参数的调整人为控制SnO2薄膜的颗粒大小。通过工艺优化制得粒径为27nm左右的薄膜,薄膜颗粒较小,分布均匀,薄膜的透明性好。X射线衍射(XRD)结果表明,随着热处理温度的增加,SnO2特征峰愈来愈尖锐明显,晶体结构趋于完全。Zeta电位分析表明,添加分散剂溶胶的Zeta电位比未添加分散剂溶胶的Zeta电位高;Zeta电位越高,溶胶稳定性越好。     

纳朱SnO2薄膜的制备及其表征

采用溶胶-凝胶法在玻璃基体表面制备纳米SnO2薄膜，通过热处理使其晶化。通过原子力显微镜（AFM）形貌分析表明，在20～80nm的粒径范围内，可通过工艺配方参数的调整人为控制SnO2薄膜的颗粒大小。通过工艺优化制得粒径为27nm左右的薄膜，薄膜颗粒较小，分布均匀，薄膜的透明性好。X射线衍射（XRD）结果表明，随着热处理温度的增加，SnO2特征峰愈来愈尖锐明显，晶体结构趋于完全。Zeta电位分析表明，添加分散剂溶胶的Zeta电位比未添加分散剂溶胶的Zeta电位高；Zeta电位越高，溶胶稳定性越好。     

光催化抗菌薄膜的制备与性能研究

采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂膜法,制备了六种稀土掺杂光催化抗菌薄膜(Ce/TiO2,Pr/TiO2,Gd/TiO2,Dy/TiO2,Y/TiO2,Eu/TiO2),研究了影响薄膜光催化抗菌性能的因素,确定了最佳制备工艺条件.、除Ce掺杂TiO2薄膜含有极少量金红石型TiO2外,其余全部由单一锐钛矿型TiO2构成,薄膜表面均存在缺陷.RE/TiO2光催化抗菌薄膜对大肠杆菌平均杀菌率皆在90%以上,与纯TiO2的杀菌率34%相比有明显提高.稀土元素掺杂显著提高了光催化薄膜对可见光的响应.经反复使用和高温、高压、冲刷等处理,薄膜完整不脱落,始终有很高的杀菌率和稳定性.稀土掺杂TiO2具有良好的实用价值和应用前景.     

透明导电ITO薄膜的制备及光电特性的研究

采用溶胶-凝胶方法以In（NO3）3.4·5H2O和SnCl4·5H2O为前驱物,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜。详细研究了不同掺Sn比例、不同金属离子浓度、不同提拉速度、不同烘烤温度对ITO薄膜光电特性的影响。结果表明,提拉法制备的薄膜在热处理过程中由凝胶状态向结晶态逐渐转变,方电阻随热处理温度的升高而降低;导电率随薄膜厚度的增加呈非线性增加。     

掺杂对纳米SnO2甲醛敏感性能的影响

为了研发对甲醛有着良好敏感性能的材料,以锡粒和浓硝酸为原料,采用硝酸氧化法制备出前驱体,分别掺杂质量分数为7%的Li,Pb,Sb,Pd,并在600℃下灼烧.通过XRD、TEM等对产物进行表征,采用静态配气法测试其气敏性能.结果表明:SnO2纳米粉体中掺杂Pb元素可显著提高材料对甲醛的灵敏度和选择性,在3V工作电压下对浓度为5ppm(1ppm=10-6)的甲醛气体灵敏度达到24.539,响应时间为4s,恢复时间为5s.     

玻璃表面纳米TiO2薄膜的制备及光催化性能研究

用Sol-Gel方法在载玻片上制备了透明的TiO2纳米薄膜。对溶胶的制备工艺、薄膜与基体的结合强度及光催化活性进行了研究。试验表明，薄膜的最佳烧结温度为650℃，加热速度为2℃/min，在此温度下烧结薄膜具有高的结合强度。XRD分析表明薄膜为锐钛矿晶型，对醋酸的光照降解试验表明，薄膜具有较高的光催化活性。     

CuS-Fe2O3纳米复合薄膜的制备、表征和摩擦学性能

采用溶胶-凝胶法制备了纳米CuS-Fe2O3复合薄膜,研究了其微结构和摩擦学性能,并探讨了复合薄膜的磨损机制。用XRD,XPS,及AFM研究了薄膜的晶体结构、化学价态与表面形貌,用UMT-2研究了薄膜的摩擦学性能。研究结果表明,所制备的薄膜是均匀致密的,表面粗糙度为0.30 nm,CuS为粒径20 nm的正六面体结构,并且均匀分散在Fe2O3基体中;薄膜与GCr15不锈钢球对磨过程中表现出了很好的耐磨抗摩性能。CuS的摩尔分数为8%时的CuS-Fe2O3复合膜在滑动速度为150 mm/m in,载荷为1.5 N的条件下,摩擦因数为0.08,磨损寿命为4 200次,通过SEM观察薄膜的膜痕发现薄膜的磨损机制主要是轻微的擦伤、粘着转移和磨粒磨损。     

In/Sb掺杂SnO_2纳米薄膜的H_2S气敏特性

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法(Sol-Gel Dip-Coating, SGDC)制备SnO_2纳米晶薄膜气敏传感器.较系统地研究了掺杂量、镀膜层次和热处理温度等制备工艺对薄膜表面形貌、晶粒大小及气敏性能的影响.研究结果表明:铟的最佳掺杂量为4at%,最佳镀膜层数为7层,最佳热处理温度为600 ℃.气敏传感器最佳工作温度为165 ℃,在此工作温度下,薄膜的灵敏度分别为26.3(137 ppm H_2S)和2.5(2.74 ppm H_2S),薄膜的响应恢复时间较短分别为8 s和22 s,对H_2S气体有较好的选择性.     

介质多层膜热处理分析

由薄膜压缩应力产生模型和薄膜总应力的组成出发,分析了要改变薄膜的本征应力热处理必须有足够的能量即激活能。当热处理能量低于激活能时,只能改变薄膜热应力,与处理时间无关。热应力与处理温度有线性关系,建立了波长变化量与温度变化量间的关系模型。当热处理能量高于激活能时,本征应力改变,进而波长的改变与时间有关。实验结果表明,从200~300℃的各1,2,5 h保温处理下,波长从1.4 nm线性地增大到4.15 nm,波长变化与处理时间无关。在350℃分别进行1,2,5 h的处理情况下,波长的改变量分别为4.75 nm,5.07 nm,5.7 nm。保温时间短的,波长增量也小。400℃各种处理时,波长的改变基本上与350℃的处理结果类似。充分说明了在较低温度处理时,薄膜应力只有热应力的改变;较高温度处理时,本征应力才会改变。     

几种红外薄膜材料的光学特性

采用电阻蒸发和电子束蒸发方法,制备了9种红外薄膜材料的单层膜,包括氟化物、硫化物和硒化物。通过测量在可见近红外波段的透射率,采用包络线法计算出这些薄膜从可见到红外的折射率,高温退火能改善薄膜的光学性能。     

光学薄膜消偏振技术及进展

光线倾斜入射时,膜层不可避免地会产生偏振效应。对于大部分实际应用,此现象带来的是系统性能的劣变,必须予以消除或减少。光学薄膜的消偏振是一个非常棘手的薄膜设计问题,目前仍然缺乏一种普遍适用的一般性方法。许多论文曾致力于这一问题的研究,文章较全面地叙述了这一领域研究过程中所提出的方法,包括单波长和宽波段的消偏振技术研究的现状和进展。这些方法可以在一定条件一定程度上取得比较好的消偏振效果,具有比较重要的理论意义。     

光学薄膜技术在光通信技术中的应用

介绍了光纤通信系统中用薄膜技术制成的光定向耦合器 ,波分复用器等原理及制作方法。叙述了用薄膜滤光片技术改善 EDFA的传输特性。     

投影系统中的光学薄膜

介绍了光学薄膜在多种投影系统里的应用 ,重点分析、比较了分色、合色膜在大屏幕投影电视和多媒体液晶投影仪等仪器中的作用 ,对它们在直视系统里的应用也做了一些介绍。     

激光薄膜缺陷研究

薄膜缺陷是影响薄膜元件抗激光损伤的重要因素之一,长期以来一直是人们关注和研究的问题。首先介绍了薄膜缺陷的种类、特点及成因。在此基础上,分析了缺陷对激光损伤阈值的影响以及激光预处理对缺陷的影响。最后,对于如何减少缺陷和提高损伤阈值作了讨论。     

真空紫外辐照对Lumogen薄膜损伤及光学性能的影响

为研究Lumogen(C22H16N2O6)薄膜在真空紫外波段的光致发光特性及辐照损伤,采用热阻蒸发法,以氟化镁为基底制备Lumogen薄膜.使用真空紫外荧光光谱仪、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外?可见分光光度计等仪器分别对薄膜的光致发光特性、荧光强度衰减变化、表面形貌、透过率等进行测试与表征....     

ITO/Ag光子晶体薄膜的制备及性能

考虑材料的电磁屏蔽特性和可见光透过的矛盾,设计了以铝/氧化铟锡(Ag/ITO)为周期的光子晶体薄膜以实现电磁屏蔽和可见光透过的兼容。首先根据电磁屏蔽和可视的双重需求,优化了光子晶体的组份并对其性能进行了研究。接着采用磁控溅射方法制备了以Ag/ITO为周期的光子晶体薄膜,并对光子晶体薄膜的屏蔽和可见光透光率进行了测试和分析。实验结果表明:这种光子晶体薄膜在金属Ag总膜厚大于可见光趋肤深度而远小于微波波段趋肤深度时,在可见光波段的最高透光率高达55%,而在微波x频率段的屏蔽性能最高可达65dB。通过结构设计,使薄膜的可见光透光率曲线与人眼的敏感曲线相吻合。随着每个周期Ag膜层的厚度增加,方阻相应降低,微波屏蔽性能相应提高。随着周期数的增加,薄膜的可见光透光率没有相应降低、屏蔽性能没有相应提高。设计的光子晶体薄膜在30 MHz~18GHz较宽波段的屏蔽性能均大于40dB。这种设计方法为材料的电磁屏蔽和可见光透明兼容开辟了一条新的技术途径。     

薄膜滤光片淀积过程实时光学监控系统

介绍了一种薄膜制造实时光学监控系统,对监控系统的组成及各个模块的功能和工作原理进行分析。系统由计算机对信号进行采集、分析和判断,根据膜层的不同特点采取相应的监控方式,可以对各种规整和非规整膜系进行监控,自动开闭蒸发源挡板。