CD4017原理和应用

CD4017是十进制计数器/时序译码器,其应用极其广泛。图1是CD4017引脚排列,采用16脚双列直插式塑料封装形式。CD4017的CL端在输入时钟脉冲的上升沿计数,时钟允许端EN为“0”时允许时钟脉冲输入,为“1”时禁止时钟脉冲输入。在输入时钟脉冲的作用下,Y0～Y9     

MK 4096 P MOS随机存储器

MK4096P是容量4096×1单元N沟道金属栅MOS随机存储器。设计的主要目的是为了在一个芯片上能实现使用方便和经济的优点。为达到使用方便,一般要求的地址封锁、电平转换、读出放大器和输出封锁都必须从外部去掉。高电平的多时钟要为低电平,低输入电容的单时钟脉冲所代替。为达到系统经济,则要求芯片本身经济以及芯片要求的外围电路尽量少。 MK4096P的存储单元用单管方案。每个存储单元有一个管子和一个电容。这种单元的优点(相对于三管单元)是单元占用面积小,可以组成紧凑的几何图形。其缺点有二:一是每个单元需要一个大的存储电容;二是甚至对     

通用电路分析程序SPICE-Ⅱ中的MOS场效应管模型(二)

<正> Ⅳ.MOS3模型与MOS2解析模型不同,MOS3采用半经验公式描述器件中的二阶效应,包括: (1)短沟道和狭沟道效应对阈值电压的影响; (2)静电反馈对阈值电压的影响; (3)热电子效应对迁移率的影响;     

用R-S触发器做受控门

<正> 在数字电路的设计中,经常碰到对时钟脉冲进行选通的问题。人们常用图1所示的受控门电路来解决。在图1的电路中,当控制端为高电平时,通过G_1反相;使G_2门处于关门状态,时钟脉冲不能通过G_2输出:当控制端为低电平时,G_2门处于开门状态,时钟脉冲被允许通过G_2输出。从面达到选通的目的。这种电路一般用在要求不太高的场合。因为在控制电平跳变时,在G_2的输出端可能会产生窄脉冲。从图2中的CP—1输出脉冲可以看出,第N个和第M个时钟脉冲的输出即为窄脉冲,而这个窄脉冲的宽度又是随     

一个高速16K位n沟道MOS随机存储器

本文介绍一个高速16K位动态MOS随机存储器(RAM)的方案。这个存储器采用了先进的n沟道硅栅MOS工艺(5μm 光刻技术)制成的面积为22×36μm~2的单管单元。设计的主要特点是采用一个具有高速度(读取时间为200ns)和低功耗(400ns 周期内为600mw)的读出线路图。全译码存储器制在5×7mm~2的芯片上,并装配在22引线陶瓷的双列直插式封装内。     

动态I~2L4K位随机存储器

1975年国际固态线路会议上,仙童公司发表了一个动态I~2L 93481型4K 位随机存储器。它将先进的集成电路工艺等平面隔离与好的集成注入逻辑(I~2L)的单元设计结合起来。其工作功耗为400mW;只需要一种电源+5v(一般MOS 存储器需要三种电源);取数时间为100ns(比通常MOS 存储器快一倍);读写周期为200ns;工作温度范围为0～70℃。93481采用标准16引线双列直插式封装。芯片尺寸仅112密耳×129密耳(2.84mm×3.28mm),比多数MOS 4K 存储器小得多。93481的价格也与4K MOS 存储器相当,因而可作为主存储器使用。     

专用集成电路知识介绍(二)

大多数LSI/VLSI存储器、微处理器和专用电路均采用MOS技术,MOS电路优于双极型电路的最重要的一点是更多的功能可集成在单片内。其原因有三:一是单个MOS晶体管所占芯片面积较小;二是制造工艺步骤较少,进而单位芯片面积的致命缺陷相应减少,因此MOS工艺更便于较大芯片的生产;三是MOS工艺可采用动态电路技术,从而对于给定的电     

对H_2S气体敏感的Pd栅MOS器件

本文报道了用Pd栅MOS器件检测低浓度H_2S气体的实验结果。指出Pd栅MOS器件对浓度<10ppm的H_2S气体是灵敏的。其灵敏度随Pd栅MOS器件的工作温度升高而升高。在150℃时,器件对空气中含3ppm H_2S有较大的响应值,其MOS电容平带电压V_(FB)变化量达几百毫伏。对氮气中的H_2S气体也有响应,但灵敏度较低。器件对H_2S气响应时间较快,但恢复很慢,影响器件重复使用。然而,将器件放在流动空气中,短时间后即可恢复。指出Pd—MOS器件接触H_2S气体有中毒现象,但空气中的O_2对解毒过程起了重要作用。     

基于LabVIEW的电涡流检测二维连续同步扫查系统设计

基于涡流法利用电机驱动的位移台或扫查架对大尺寸构件进行平面扫查时,由于电机连续运行有加速匀速减速三个阶段,电机运行和数据采集时钟不一致,造成采样点与空间实际位置不匹配,因此本文提出一种基于LabVIEW的涡流检测二维连续同步扫查系统,提高系统检测效率以及准确性。通过对电机加速运动和减速运动编码器脉冲与采集卡晶振时钟脉冲进行对比分析,并分别将编码器脉冲与晶振时钟脉冲作为数据采集卡采集数据的触发时钟进行实验验证。结果表明,采用晶振时钟脉冲作为采集数据的触发时钟时,成像的裂纹位置与实际裂纹位置有一个明显的偏移。采用编码器脉冲作为采集数据的触发时钟时,成像的裂纹位置与实际裂纹位置基本一致,从而验证了该系统的可靠性以及在工程运用中的可行性。     

百分之一秒数字秒表

此款秒表采用发光数码管显示,用手控制计时,计时精度为百分之一秒,最大计时时间为99.99秒。电路简介电路原理图见图1。电路由时钟脉冲发生器、级连计数器、译码/显示驱动器、数字显示器、手动计时按钮、清零恢复按钮组成。时钟脉冲发生器用4060组成晶体振荡器产生38000Hz的脉冲信号,再由4040计数/分频器生成周期为百分之一秒的脉冲信号。时钟脉冲信号输出到由4个4510级连组成的加计数器进行运     

MOS型CO气体传感器

<正> SnO_3栅MOS气体传感器是一种新型的MOS传感器,以金属氧化物SnO_2作为MOS晶体管的栅材料,当SnO_2层的厚度小于德拜长度时,吸附CO分子后与栅材料表面进行氧原子交换,致使栅材料中的电子浓度发生变化,由     

最新数字集成电路制造技术

数字集成电路按其基本元件可以大致分为MOS集成电路和双极晶体管集成电路,在MOS集成电路中作为有源元件、无源元件的,基本上是MOS场效应晶体三极管。在双极性集成电路中,主要是采用晶体三极管、二极管、电阻,根据需要,也有使用电容的。目前,MOS集成电路用于较低速电路,而双极性集成电路用于较高速电路,但这两种技术的技术革新是很惊人的,因此使用领域也是正在变化着。 在这里,就有关双极性集成电路和MOS集成电路最近技术发展动向介绍一下。     

自制数字电子表

虽然制作电子表可以使用专门的集成电路,但是这里介绍的自制数字电子表可以满足使用者的一些特殊的要求,输出方式灵活,如可以随意设置时、分、秒的输出,改变显示数字的大小。电路简介电路原理图见图1。电路由时钟脉冲发生器、时间计数器、译码、驱动电路和数字显示电路以及时间调整电路组成。时钟脉冲发生器用4060和4040制作,用32768Hz石英晶体振荡器与4060组成时钟脉冲振荡电路,再由3级4040分频器分别产生分、小时、天脉冲     

一种CMOS工艺兼容的PMOS管红外探测器

二极管连接的MOS管以恒定电流偏置时,栅源电压与温度成线性关系.其温度变化率与偏置电流和MOS管的宽长比等因素有关.对此做理论分析的基础上,用Hspice进行了仿真.当取偏置电流为60μA,MOS管的宽长比为2/2时,仿真得到的栅源电压温度变化率为2.13 mV/K.基于此温度特性,提出用PMOS管作为红外探测敏感元件,利用标准CMOS工艺,结合体硅加工技术制作红外探测器的方法,并将PMOS管串联以进一步增加探测器的灵敏度.     

IBM公司宣布独特的动态RAM系列

自从1972年 IBM 公司采用自己设计的2 K 位MOS RAM 作为主存器件以来,其它半导体厂家已大量生产4K、16K 和64K 位的存储组件,但该公司却一直没有更换过它自己设计的这种组件。现在该公司宣布它已设计成18K、32K 和64K 位的 MOS RAM 组件。但是这些新宣布的组件的设计却是与众不同的。它的面积较大,速度较慢,功耗较大和采用多种电源。此外,它还采用冗余存储单元和内设的可编程序的 ROM 以去除坏的单元等。这个芯片采用投影光刻技术和2.5微米的设计规划。这些几乎已是同类工艺的尽头。此外,还采用双层金属工艺。MOS 晶体管采用金属栅,其第二层金属在聚酰亚胺(Polyimide)绝缘层上面作为列方向的联线。     

1973年国际电子器件会议摘讯

美国贝尔实验室研制的1024单元P 沟道MOS随机存储器(MOS RAM)(Electronics.Dec.18,1972,p.29)采用电子束工艺重新生产后,使整个存储线路,包括地址、译码、读出放大器在内,可以放在一块47×71密耳~2的芯片上。这个数据较目前的MOS RAM 的面积小四倍。这个单管单元RAM 的对准精度为1微米,也是MOS RAM 的一个新记录。取数时间为45毫微秒(未改进以前,芯片取数时间为150ns,译者注),单元尺寸是栅长为4微米,接触孔为2微米见方。象以前的芯片一样,新的芯片也采     

微处理器走向何方?

CMOS的回归 众所周知,计算机的逻辑电路元件是晶体管,晶体管分为双极晶体管和场效应晶体管两种。 微处理器中的逻辑元件主要采用的是MOS—FET,MOS—FET又分为n沟道MOS—FET和p沟道MOS—FET两种。 ECL(Emitter Coupled Logic,射极耦合逻辑)是差分放大器的一种。由于是让晶体管工作在有源区,所以开关速度非常快,一直是超级计算机所采用的一种电路。但是,因为有源区总有电流流动,所以电耗比较大。在采用ECL电路的超级计算机中,必须在各个处理器单元安装水冷装置,以控制处理器的温度升高。 在MOS的逻辑电路方面,现在的主流是将p—MOS和n—MOS互补组合起来     

基于LPC2134的低成本单色无纸记录仪的电路设计

介绍了基于LPC2134芯片的单色无纸记录仪的电路设计。设计充分挖掘了该芯片的内部资源,使用4路数据采集通道,万能信号编程输入,通道间采用MOS光电隔离。其硬件电路简单,外围电路少,成本低。经测试和现场使用其性能稳定、可靠性高,是一个高性价比的电路设计方案,对目前无纸记录仪的硬件设计提供了一个新的平台。     

N 沟 E\DMOS 电路

一、序言在大规模集成电路发展史上,MOS 电路一直起主导作用。最先发展的是 PMOS 工艺,1969年已投入生产。但 P 沟电路的载流子迁移率较小,速度较低。n 沟 MOS 工艺,突破了 PMOS 速度的限制,制造出了速度较快的存储器和微处理机。1972年开始批量生产 n 沟硅栅 E/E 型电路(负载 MOS 管为增强型器件)。1974年又采用速度更高的 n 沟硅栅E/D 型(负载 MOS 管为耗尽型器件)电路,其典型产品如2115 1K 静态 RAM,Motorola 公     

Panasonic HDC-TM300

松下HDC—TM300和本次专题中其它产品相比,最大的特点在于它的图像传感器部分采用了3MOS系统,而非其它产品采用的单片图像传感器。这种3MOS结构就是以分光棱镜将光线分为红绿蓝三原色分别折射到三块MOS图像传感器上,这三块MOS分别接收红、绿、蓝三色讯号,再将各自相同位置像素点上的点讯号混合而得出原有色彩。