建筑铝型材化学抛光新工艺的开发和生产实践

对传统的“三酸”化学抛光工艺存在的问题进行了详细分析。在此基础上，通过试验研究开发出了建筑铝型材无烟化学抛光新工艺。采用这一新工艺后，工作环境基本无酸雾，槽液分析简便，易于观察和监控槽中反应，抛光质量稳定，磷酸消耗量显著下降，取得了较好的经济效益和社会效益。     

铝型材无烟化学抛光技术

传统的铝材抛光需用三强酸,但该工艺烟雾污染大,产品质量不稳定且成本高。为克服上述缺点,今介绍无烟雾两酸抛光工艺及设配置,供同行参考。     

世界硅片市场

日刊〈稀有金属〉新闻1988年10月1日报道,从欧洲、美国、日本的1987年硅片销售额看出,日本的硅片产量占全世界的70%,美国占14%,欧洲各     

铜合金的化学抛光工艺研究

研究试验化学酸洗抛光在我院研制的一种铜基低温高强度钎焊合金中表面处理工艺中的应用。达到提高表面光洁度及钝化效果。     

化学抛光在金相试验中的应用

化学抛光是继电解抛光之后应用于金相试样的制备。早在1911年就有电解抛光的专利,而化学抛光到五十年代才有大量的著作发表。由于化学抛光的优越性而得到了广泛应用,也引起了金相工作者的兴趣并成功应用于金相试验研究工作中,不断有专述发表。但是它的理论并不成熟,     

不卷曲的硅片

不卷曲的硅片日本专利。这种硅片含有氧、锂与一种ｐ型掺杂剂（如硼等）。锂与掺杂剂补偿载流子密度，并产生≥１Ω·ｃｍ的电阻率。硅片中的氧与掺杂剂是在直拉生长过程中加入的，锂应用离子注入或将硅片浸入Ｓｎ－Ｌｉ热溶液槽中扩散进去的。Ｃ．Ａ，．１９９４．１２１...     

硅片清洗方法探讨

本文介绍了几种硅片清洗的方法,同时对各种不同清洗方法的工作原理、清洗效果、适用范围等特点进行了分析。不同的工艺应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果。     

硅片塑性形变与位错

通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。     

铝型材三酸化学抛光技术研究

阐述了磷酸—硫酸—硝酸法化学抛光的机理，通过实验确定了槽液中各成分的最佳含量，论述了它们在抛光过程中的主要作用，对抛光时间、抛光温度等工艺条件及阳极氧化工艺参数对抛光质量的影响进行了实验和论证，并在此基础上确定了最佳的生产工艺。     

钛金相研究中的新技术——化学抛光

20世纪五十年代兴起的化学抛光,由于具有许多独特的优点,在铜、锌和钢材的金相研究中迅速得到了应用。化学抛光在钦金相研究中的应用,在国际上虽早已引起同行们的注意,但至今尚未取得富有成效的进展。在国内尚处于初始研究阶段,还未引起足够的理视。北京航空材料研究所的工程师张志方等同志,自1977年开始,根据可调查到的少最资料,进行了大量的探索试验,经     

8吋硅片的世界市场

世界硅片的消费数量随着采用大直径硅片而逐年减少,1988年的硅片消费数量为9800万片,而预测到1993年的消费数量为9500片,减少3％。1993年世界上不同直径硅片使用量比率的预测为:3吋5％、4吋30％、5吋17％、6吋39％、8吋7％,直径4吋和5吋硅片合计为47％,比1988年约减少50％。其中日本到1993年时6吋硅片用量将占全部硅片用量的40％;8吋硅片占13％(美国为6％)。这     

大直径硅片发展预测

日本电子工业振兴协会硅委员会,于1989年对8～10时硅片发展进行了调查,认为16兆位MOSLSI将于1991～1992年开始生产,正式使用8吋硅片。到1997年256兆位的MOS LSI开始生产,将使用     

硅片的直接键合

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等     

直径76.2毫米吸杂硅片

上海有色金属研究所研究成功的“直径76.2毫米吸杂硅片新工艺”已于1986年10月在九江通过鉴定。鉴定会由上海市科委委托上海有色总公司主持。该材料主要用于CMOS和TTL集成电路,对于改善材料内在质量(如器件电参     

2吋吸杂硅片成果推广应用

去年12月24日在松江县举行了《2时吸杂硅片科研成果推广应用》验收会。由上海市科委、上海市科技开发中心及上海市有色金属工业公司联合组织验收。会议代表一致认为,上海有色金属研究所已具备2时吸杂硅片年生产1万片的中试生产能力,此中试线在国内尚属首家。2时吸杂硅片洁净层厚度达20-50μm(可控),体内杂质密度大于     

硅中的缺陷和硅片热处理

本文评术了近年来着重研究的ＣＯＰ、ＬＳＴＤ、ＦＰＤ和ＢＭＤ等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷，提高ＧＯＩ合格率的实验结果。研究表明，硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。     

硅片的几何参数及其测试

本文介绍了硅片的加工质量：直径、厚度、平整度、弯曲度、翘曲度等的含意、测量和计算方法，以及其中一些参数之间的关系。最后对硅片激光标记及规范作了概述。     

日本器件厂提出降低硅片价格

日本各器件公司提出,1990年度4～9月的硅片价格要比1989年度下半年一律降低10％。各硅片生产厂强调,随着1兆位到4兆位、16兆位的高集成化,相应的要求提高硅片质量,并与器件厂就价格问题进行交涉。双方将举行高级会谈,以保证高性能硅片的稳定供给为原则。半导体硅片1989年度上半年的价格降低了百分之几,但4兆位用高性能硅片,由于质量要求高而使得6时硅片的成本提高15～20％。     

硅片表面状态与机械强度

硅片表面状态与机械强度谢书银，石志仪（中南工业大学４１００８３）关键词：硅片，化学腐蚀，表面损伤，抗弯强度，表面处理（一）前言半导体器件所用的研磨硅片在器件生产过程中都有一定程度的破碎，尤其是当硅片较薄时，破碎问题相当严重。发生破碎的原因除与硅片内在...