SDB-SOI晶片减薄技术综述

阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特点,并指出了SDB-SOI晶片减薄的发展趋势。     

太阳能耦合热泵干燥技术

太阳能耦合热泵干燥的联合干燥系统,可以极大地降低干燥过程的电能消耗,采用太阳能热泵干燥更加节能和环保。     

利用图像处理技术检测统计硫化镉晶片微管数

利用显微镜观察和统计晶体缺陷是一种常规的测试方法,但由于研发初期微管、孔洞等缺陷数通常较多且分布不均匀,统计起来非常费时费力.针对上述问题,介绍了一种利用MATLAB图像处理技术的硫化镉晶片微管检测计数的新方法.借助MATLAB图像处理工具箱,对微分干涉显微镜下的硫化镉晶片照片进行处理,编写晶片微管检测计数程序,统计评价区域内晶片的微管数,并且该程序具有手动调节阈值功能.研究结果证明,利用此方法统计的微管数准确度可达95％,借助图像处理技术检测统计微管数是一种高效、快速、准确的新方法,可实现检测、统计过程的自动化,是一种非常实用的技术.     

SLOC传感器光刻干燥不良的改善

液晶面板上配单层触控传感器(Single Layer On Cell,SLOC)产品在完成传感器光刻工艺后,在宏观检查机上观察,基板的彩膜倒角侧存在大面积的不良(Mura),测试不良区域与正常区域的关键尺寸(CD)值,不良区域的CD值明显偏大,部分点位超出管控指标;另外,SLOC产品在生产工艺后段模组段缺陷不良高发,缺...     

LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷

通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因.     

LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷

通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因.     

红外热像技术在软胶囊干燥中的应用

在对流干燥软胶囊的过程中,使用红外热像仪测量单粒软胶囊的表面温度场.为了获得准确的测量数据,对红外热像仪进行了精确的标定,测定了维E软胶囊的表面辐射率,并采用聚乙烯膜作为风道的红外窗口,与使用热电偶温度测量的数据比较,证明红外热像仪的测试结果是可靠的,相对误差低于4.4%.实验结果表明,在使用热风对流干燥软胶囊的过程中,热质传递存在着三维的分布与变化,在风速为2m/s、温度为27℃的热风中整个维E软胶囊表面温度达到平衡约需10min.     

一种声表面波器件的新型晶圆级封装技术

总结了声表面波(SAW)器件传统封装技术中存在的问题,提出了一种SAW器件新型晶圆级封装技术。采用一种有机物干膜,分别经两次压膜、曝光和显影完成了对SAW芯片在划片前的封装,并用实验进行了验证。实验结果表明,本技术具有在不改变叉指换能器(IDT)质量负载的情况下同时具备吸声的功能,改善器件的带外抑制能力,增强了产品的一致性和可靠性。本技术在SAW器件的封装方面有广阔的应用前景。     

硅片湿法清洗工艺技术及设备发展趋势

简要介绍了硅片湿化学清洗工艺技术及清洗设备结构技术,包括一些典型的槽体结构、干燥工艺技术等.并就清洗技术的发展需要,阐述未来清洗设备的发展趋势.     

IC生产线晶圆片冲洗甩干设备的开发和应用

从IC生产线晶圆片旋转冲洗甩干工艺出发,介绍了半导体晶圆片清洗后的旋转冲洗甩干方法,以及新近开发研制的CXS系列旋转冲洗甩干机的技术原理、结构特点及工艺应用情况。     

某硅晶片生产厂房净化空调设计

结合某硅晶片厂房洁净室净化空调系统的实例,介绍了洁净室的净化空调设计原则、气流组织形式、空气处理过程。并对空调系统的自控问题进行了阐述和讨论。     

晶圆级CSP技术的发展展望

简要阐述了集成电路的封装的发展趋势,对晶圆级CSP封装的现状和未来进行了简要论述。     

芯片背面磨削减薄技术研究

通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。     

晶圆叠层3D封装中晶圆键合技术的应用

论述了晶圆叠层3D封装中的典型工艺——晶圆键合技术,并从晶圆键合原理、工艺过程、键合方法、设备要求等方面对其进行了深入探讨;以期晶圆叠层3D封装能够应用到更加广泛的领域。     

微电子工业中清洗工艺的研究进展

简要介绍了硅片表面污染物杂质的类型,综述了传统湿法清洗及干法清洗对硅片表面质量的影响,以及近年来清洗技术和理论的研究发展及现状;同时,阐述了污染物检测方法的研究进展;最后,对今后微电子清洗工艺的发展方向进行了展望。     

基于SoC测试系统的RF圆晶片测试技术

以手机为代表的无线通信应用技术已向SiP化发展,因此对构成SiP芯片的各个单元（chip）进行圆晶片级别的测试就必不可少。爱德万测试（ADVANTEST）开发了基于SoC测试系统的RF圆晶片测试解决方案,提供了一系列新技术来解决串扰、电源阻抗和等长布线等课题,从而实现低成本的圆晶片测试。本文将就RF圆晶片级别测试技术及SoC测试系统来介绍该RF圆晶片测试方案。