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影响ADS面板闪烁漂移的因素研究 总被引:2,自引:2,他引:0
挠曲电效应(Flexoelectric Effect)是指液晶分子在外电场的作用下,由于展曲/弯曲形变而导致的液晶分子自极化,并表现出宏观电偶极矩的现象。ADS模式液晶显示面板在开机工作初,由于挠曲电效应从而产生闪烁漂移(Flicker Shift)的现象。本文从挠曲电效应的产生机理出发,结合试验结果,讨论了灰阶电压大小及灰阶电压对称性对闪烁漂移程度、速率的影响;当闪烁漂移达到稳定后,面板的实际公共电极电压(Vcom)偏移程度变化。结果发现,随着灰阶电压的升高,闪烁漂移程度会随着挠曲电效应的增强而加重,面板内Vcom电压偏移量也随之增加,而改变灰阶电压的对称性可在一定程度上增强或抵消自极化效应带来的Flicker漂移和Vcom电压偏移。利用该结果可一定程度上改善面板的显示特性。 相似文献
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在挠曲电效应的基础上,研究了光照对ADS模式TFT-LCD Flicker漂移的影响。首先研究了正常点灯下Flicker漂移情况,然后测试了不加背光和降低背光亮度下的Flicker漂移,最后研究了光照panel一段时间后Flicker漂移情况。实验结果表明,光照使Cell盒内产生了离子,驱动信号电压存在时液晶发生极化,产生的"力"吸附离子,从而形成了直流偏压,产生了Flicker漂移。降低光照强度Flicker漂移程度减弱。利用该结果在一定程度上对显示器整体设计和品质的改善有重要指导意义。 相似文献
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为了对TFT-LCD中的闪烁不良进行改善,本文通过研究TFT-LCD中干法刻蚀(Nplus Etch)对TFT特性的影响,以此对刻蚀条件(Power、Gas)进行优化,达到降低Photo-Ioff的目的。实验结果表明,当干法刻蚀主工艺条件为:Source/Bias=4k/5k、Press=90mT、SF6/O2=1.1k/3kml/min,AT Step条件为:Source/Bias=2k/2k、Press=100mT、SF6/O2=3k/3kmL/min时,Photo-Ioff由量产最初的58.15降至20.52,闪烁由15%~30%降至10%以下。干法刻蚀工艺条件的优化对TFT特性以及闪烁有明显改善效果。 相似文献
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LC配向的均一性在LCD中是必不可少的,光配向制程是通过施加紫外偏振光照射在IPS(In-Plane Switch)LCD中形成液晶配向沟槽的一种技术,然而紫外光照射的同时会损伤TFT器件,使非晶硅层产生光生载流子,电子发生迁移,导致TFT漏电流从而影响图像品质,产生横纹色差。在低频时,栅极开关时间延长,相邻扫描线之间容易发生混充电现象,部分充电截止的像素重新充电,从而使横纹色差变严重。本文从制程和电性调整方面对低频横纹色差进行了研究,结果表明:(1)紫外光照射后进行烘烤,可以有效降低漏电流,高温度(240℃)+长时间(4 200s)改善低频横纹色差效果佳(比例:0.00%);(2)延长Out Enable(4.8μs)+降低V_(gh)(18V)+提高GOA(Gate On Array)电路中电压V_(SS_Q)(-7.5V),改善低频横纹色差效果佳(比例:0.00%)。 相似文献
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Full-in-cell(FIC)产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构,使用Reactive Ion Etching(RIE)模式干法刻蚀设备进行N+Etch时,氯的化合物会吸附在信号线中的Al线侧壁及光刻胶的表面,当玻璃基板离开刻蚀腔体接触到空气,遇到水分发生水解反应,对Al线造成腐蚀,严重影响产品特性。本文在RIE刻蚀模式腔体内采用刻蚀条件变更改善Al腐蚀现象,通过对刻蚀的前处理步骤,后处理步骤以及去静电步骤的参数包括压强、功率和时间以及气体流量比进行实验设计并对数据进行分析。实验结果表明当后处理步骤2 000 W,O_2/SF_6比例为2 000mL·min~(-1)/50mL·min~(-1),压强为200mt(1mt=0.133Pa),Time为15s为最优条件,可以彻底改善Al腐蚀现象。此条件TFT特性方面更加优越,Dark I_(on)为1.91μA,Photo I_(off)为4.1pA。 相似文献
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造成TFT不稳定的问题点一般认为有两种:一是沟道内半导体材料内部的缺陷,另一个是栅极绝缘层内的或是绝缘层与沟道层界面的电荷陷阱。TFT-LCD在长期运行时由于高温及光照的影响会导致漏电流增加,进而对TFT造成破坏。分析研究表明,TFT沟道在刻蚀完成后,沟道内部存在一定的缺陷以及绝缘层与沟道层界面存在电荷陷阱,平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术型产品由于设计的原因面临着如果进行氢处理会导致与其与氧化铟锡中的铟发生置换反应,导致铟的析出,所以无法采用氢处理。理论分析表明Si-O键稳定,本文主要介绍通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气对TFT沟道进行处理改善高温光照漏电流。结果表明,通过氯气/氧气和六氟化硫/氧气处理TFT沟道后,高温光照漏电流从18.19pA下降到5.1pA,可见氯气/氧气和六氟化硫/氧气对沟道处理可有效改善高温光照漏电流。 相似文献
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ADS TFT-LCD暗态受外力时存在漏光亮度高、范围大、颜色偏黄的敏感性差问题,模组极易产生漏光。本文研究了玻璃、液晶和隔垫物(PS)3方面对暗态漏光敏感性的影响。研究得出,玻璃厚度减小,可以改善按压亮度变化,例如外力30N时,0.5T玻璃的L_o亮度相比0.7T L_o亮度下降了33%;降低液晶Δnd可以改善按压发黄;相同Δnd,减小Δn,增加K,可减少LC散射,继而可减小按压亮度高和范围大问题,例如外力30N时,散射值0.027的L_o亮度相比散射值0.038的L_o亮度下降了28%;增加PS的支撑密度,可以减小按压亮度和范围的变化,例如PS密度3 168 μm~2/mm~2的L_o亮度相比PS密度2 364 μm~2/mm~2的L_o亮度下降了22%。通过以上措施,可以改善ADS产品L_o漏光敏感性。本文对敏感性改善的机理也做了相应解释。 相似文献
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为了优化固态体积式真三维显示中的闪烁现象,研究了环境光对于显示闪烁的影响。通过傅里叶变换在频域获得环境光与成像光信号叠加后的频域能量分布,分析了环境光影响显示闪烁的原因。同时,设计完成了两组视觉感知实验并进行统计分析。结果显示,环境光的频率、最大光强及占空比对于真三维显示的闪烁程度有显著性影响,显著性差异小于0.001。其中,环境光的频率是影响显示闪烁的首要因素,环境光频率与显示刷新率相匹配是消除环境光对闪烁影响的主要途径;降低最大光强或提高占空比有助于消除闪烁。闪烁程度评价模型的评估结果与实验结果的相关系数大于0.99,研究结果对于基于层叠屏的三维显示闪烁程度优化具有积极的启发和指导作用。 相似文献
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提出一种基于液晶光阀(LCLV)和光束分析仪(LBP)直接测量Goos-Hänchen(GH)位移的新方法。在文中我们首先研究了LCLV对光偏振态调制的特性,结果发现,当控制电压发生变化时,光的偏振态也随之变化。然后利用LCLV对光偏振态的调制和LBP记录光斑的重心位置的变化,直接测量出TE和TM两种偏振态入射时棱镜单界面反射光束的GH位移差。这个探测方法简单,不需要复杂的外部处理电路,且实验结果与理论结果很吻合,这个方法也可以进一步直接测量二维位移。 相似文献