二维材料光子型光电探测器研究进展

二维材料因其独特的物理结构和优异的光电特性,吸引了众多学者的研究兴趣,并在新型光电探测领域显示出了巨大的应用前景.目前研究的二维材料光电探测器多为光子型光电探测器,其光电探测过程涉及光到电的直接转换.如何充分利用光电转换机理,在器件性能和功能方面发挥二维材料的优势,是其在光电探测领域走向实际应用的关键.结合本课题组近年来的研究工作,以光子型光电探测器的基本光电转换机理为主线,将近年来二维材料光子型光电探测器在参数性能的提升、光电转换机理的拓展和器件功能的设计等方面进行了总结,并最后对二维材料光电探测器面临的挑战和可能的发展方向进行了展望.

     

WS2光电探测器光电响应特性研究

为探究WS2的光电探测器光电响应特性,本文以机械剥离法制备WS2晶体薄膜,采用定位转移法在氧化硅片衬底上制备WS2光电探测器,对WS2晶体薄膜进行表征分析,测试并分析了器件的光电性能.实验结果表明:对波长260～850 nm范围的光表现出明显的光响应特性,在630 nm波长的光照条件下的光电流、光响应度以及光探测率最高...     

智能化模拟量光电感烟探测器

由航天科技集团公司五院５１３所研制的ＪＴＹ－ＧＤ－Ａ９８二总线智能化模拟量光电感烟探测器与ＪＢ－ＴＢ－３９６型火灾报警控制器连接使用,可以将设置场所的烟浓度转换为模拟量信号传送给报警器处理。该产品采用具有当前国际领先水平的光电感烟探测技术,彻底消除了以前市场广为流传的离子感烟探测器对环境产生的放射性污染,光电感烟探测器是消防报警系统中的“绿色环保”产品。其主要特点为：１．有编址功能,可现场编址;２．采用光电技术,模拟量传输;对环境无放射性污染;３．采用贴片焊接技术、超薄型设计,新颖美观;　　４．…     

光电探测器表面反射特性研究

本文分析了硅光电二极管表面反射特性，并介绍了利用高稳定度激光光源对表面反射特性的实验结果。     

激光辐照光电探测器的非线性效应

用稳定连续波激光对碲镉汞红外光电探测器进行辐照研究 ,得到了不同激光辐照功率密度下探测器的响应情况 ,发现了探测器的新的非线性效应——混沌及“零输出”现象。并对混沌进行了诊断 ,对实验结果作了理论分析     

基于光电探测器的激光定位系统设计

光学测量定位在光电技术领域中具有重要地位,同时也被广泛应用于各个领域。光电探测器是测量的核心器件。通过激光定位进行测距,对比各种光电探测器件最后选择PSD,提出了基于PSD和STM32的激光定位系统。以激光三角法为基础通过PSD输出经过信号放大变换处理以后用STM32进行采集显示和计算,对被测物体进行定位。STM32是一款功能强大的单片机,完全满足本系统设计需要。设计了简易的定位测量系统,并对该系统进行了测试,拥有高精度和低成本响应速度速度快等特点,具有一定的实用和研究价值。     

APD 光电探测器温度补偿方法研究

本文推导了ＡＰＤ光电传感器最佳倍增因子理论关系式，研究了Ｃ３０９５０Ｅ的温度补偿方法和有关电路系统设计。     

APD光电探测器温度补偿方法研究

本文推导了ＡＰＤ光电传感器最佳倍增因子理论关系式,研究了Ｃ３０９５０Ｅ的温度补偿方法和有关电路关系设计。     

光电探测器相对光谱灵敏度的置换测试法

本文论述了一种用硅光电池代替热电探测器件,测量光探测器的相对光谱灵敏度的置换测试方法。本法的明显优点是测试精度高,测试方法简单。     

基于A5303的光电烟雾探测器设计

文章给出了一种新型光电烟雾探测报警器的设计方案,该设计不仅满足了低功耗要求,而且实现了烟雾探测报警器的基本功能,性能稳定,实用性强。     

石墨烯复合材料的研究进展

石墨烯由于其独特的二维结构和优异的性能,已成为国内外学者研究的热点.对采用不同的方法制备石墨烯复合材料进行了综述,并指出这些复合材料在超级电容器、锂电池、电催化和燃料电池等领域的应用前景.     

雪崩光电探测器最佳噪声分配方法研究

从设计光电探测系统的实际需要出发,提出了雪崩式光电探测器最佳噪声分配的分析方法;给出了雪崩光电探测器和组件式探测器的最佳噪声分配方法以及分配比例关系式;尤其是把雪崩探测器最佳工作点的选择问题转化为前置放大器增益选择问题,对于简化、优化设计光电接收系统具有实际意义。     

石墨烯器件结构参数对光电特性的影响

为了提高石墨烯基器件的光电响应性能,采用化学气相沉积法制备单层石墨烯,制备石墨烯/二氧化硅/硅结构器件;采用紫外-可见分光光度计、光学显微镜以及拉曼光谱对石墨烯薄膜进行材料特性表征,测试和分析不同结构参数的石墨烯器件在光辐照下的光电特性.研究结果表明:当甲烷流量为30 sccm,反应温度为1 030℃,退火时间为20 ...     

光电探测器薄膜生长条件及机理分析

将苝四甲酸二酐（3,4,9,10-perlenetetracrboxylic dianhydride,PTCDA）真空蒸发到无机半导体p-Si衬底上,研制的p-Si/PTCDA异质结光电探测器,对光照非常敏感,是一种响应度很高的宽带光电子元器件。讨论分析了不同的衬底制备条件制备p-Si/PTCDA异质结薄膜的情况,实验结果表明,制备过程中细微的环境变化,显著影响了器件质量,通过分析成膜质量与器件内部微观机制、能带结构、载流子输运之间的关系,确定制备异质结有机薄膜的硅晶面选择,以及衬底的温度最佳的选择范围。     

InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500 μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA,在直径500 μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级。     

石墨烯制备方法的研究进展

石墨烯的独特结构使它表现出卓越的电学、热学等性能,在许多领域有着广阔的应用前景。而制备是研究和应用的基础,研究人员对石墨烯制备方法的研究依然如火如荼。本研究归纳总结了石墨烯的制备方法:化学气相沉积法、SiC外延生长法、机械剥离法、液相剥离法、氧化还原法等,对比了各制备方法的优缺点,并对以后的制备发展方向进行了展望。     

法国Finisar公司推出业界最快的高速光电探测器

正美国菲尼萨(Finisar)公司推出了一款新型高速光电探测器——100GHz平衡探测器(BPDV4 121)。其工作频率可超过100GHz,能够实现高达160Gbaud的相干信号检测和表征,是目前市场上探测速度最快的探测器。该探测器能够准确、实时地测量、表征和验证设备性能,专为下     

SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制

研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生长探测器材料。测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增加而减小,在2V偏压时暗电流密度可达17.2mA/cm2;器件在波长1.31μm处的响应度高达0.22A/W,对应量子效率为20.8%。无偏压时,器件的响应光谱在1.2～1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.25、1.35、1.45和1.55μm左右,峰值半高宽约为50nm,共振增强效应是由SOI衬底的高反射率引起的。采用传输矩阵法模拟的响应光谱与实验测量结果吻合良好。     

制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术

本文介绍了制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术,这种探测器是为接受1.06μm波长的光而设计的,由于锂的特殊性质不能采取常规的扩散技术,而是在真空镀膜机中进行,漂移是在恒温箱中加一定电压来完成。经过漂移可使探测器的峰值响应波长移向1.06μm。本文也从理论上计算了漂移补偿区的厚度,与实验值基本符合。