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XTR101是美国BB公司(BURR-BROWN)开发的4~20mA两线制变送器微型电路,具有良好的仪表放大器输入特性,低失调电压最大仅30μV,低电压漂移最大仅0.75μV/℃,是一个真正的两线制工作电路。它是一个用途广泛的通用型传感器接口电路,适用于温度、压力、称重、位置等传感器的信号变换。一、XTR101结构原理XTR101通用型变送器单片模块电路,具有把传感器的电压信号自动地变换成标准电流信号的功能。在一片电路上包括一个高精度的仪表放大器、一个电压/电流变换器和二个相同的1mA精密恒流源… 相似文献
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日本NTT光电子实验工厂的T.Sakamoto等人在本文中叙述了1.4μm带掺铥钬ZBLYAN光纤放大器的增益特性,对于73.5mW的泵浦功率级,在整个1.4μm带可获得信号增益,对于0.79μm下150mW的泵浦功能,在1.46μm信号波长下获得了18dB的最大信号增益,在1.45~1.50μm信号波长区,噪声系数为5.6dB,由掺铥-钬的ZBLYAN光纤和掺铥ZBLYAN光纤增益性能的比较,进 相似文献
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本文描述1.3微米掺镨光纤放大器(PDFA)增益计算的理论模型。在考虑激发态吸收(ESA)和放大的自发辐射(ASE)频谱特性的情况下,计算得出数值孔径为0.19的掺镨光纤,泵浦效率为0.025dB/mW,有效光纤长度为20m,并给出了掺杂浓度与信号增益的关系。以及镨离子的最佳掺杂半径。 相似文献
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XTR101是美国BB公司开发的4-20mA两线制变送器微型电路,它具有良好的仪表放大器输入特经的低失调是电压最大值仅30μV,低电压漂移最大值仅0.75μV/C,是一个真正的两线制工作电路,也是一个用途广泛的通用型传感器接口电路,适用于温度,称重,位置等传感器的信号变换。 相似文献
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研制了用Nd-YLF激光器泵浦的掺Pr^3+氟化物光纤放大器(PDFA)组件,其最大信号增益和噪声指数分别是20dB和5dB。在输入信号功率11.0dBm时,得到19.2dBm的输出功率,试验结果证明:该PDFA组件用于副载波复用多信道AM-VSB视频信号传输时,具有低噪声特性。 相似文献
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本文介绍了6~20GHz微波宽带低噪声、中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术, 研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标: 工作频率6~20GHz, 1dB压缩输出功率≥18dBm , 增益≥28dB, 输入输出驻波比≤2.0∶1, 噪声系数≤4.0dB, 增益平坦度≤±2.0dB 相似文献
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介绍了采用栅长为0.15μm的钝化In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InPHEMT的高效W波段功率单片微波集成电路(MMIC)。0.15×320μm单级InP功率HEMTMMIC放大器在94GHz时的最大功率附加效率为23%,输出功率为40mW,功率增益为4.9dB。当电源偏置成更高的输出功率时,在94GHz处可得到功率附加效率为20%的54mW的输出功率。这些结果表明,在此频率下,这样的效率和输出功率是迄今为止所有报道中最佳的。 相似文献
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本文介绍了美国BB公司生产的XTR1系列二线制变送器集成电路及其典型应用。XTR1用于将各种传感器信号转换成标准4~20mA电流或完成0~5V/4~20mA之间的相互转换 相似文献
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本文描述一种全差动输入、差动输出的电流型运算放大器(COA)。该放大器采用三个第二代电流转换器(CCII)作为基本单元部件。在全对称电流型反馈放大器中能提供恒定的增益-带宽乘积或者在互阻抗反馈放大器中提供恒定带宽。该放大器的增益-带宽乘积为3MHz,失调电流为0.8μA(信号范围±700μA),理论上转换速率极大。此放大器采用2.4μm标准CMOS工艺实现。 相似文献
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本文介绍了6 ̄20GHz微波宽带低噪声,中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和CAD技术,研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标:工作频率6 ̄20GHz,1dB压缩输出功率≥18dBm,增益≥28dB,输入输出驻波比≤2.0:1,噪声系数≤4.0dB,增益平坦度≤±2.0dB。 相似文献
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带补偿的半导体压力传感器如MPX2000系列可轻而易举地与数字系统相接。用这种传感器和本文所描述的电路,压力可变换为直接与微机A/D输入兼容的05V~45V输出范围。下面描述评估板和设计考虑。图1传感器小单元功能此评估板用来把压力、真空或差分压力... 相似文献
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IEEE会员Makoto Yamada等人成功地开发出氟化物掺饵光纤放大器。各信道的输入信号功率为-20dBm时,8信道波分多路复用信号在1532-1560nm波长范围的平均增益达26dB,增益偏移低于1.5dB。。此外,MakotoYamada等人在本文中研究了F-EDFA对WDM信号的放大性能。 相似文献
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2~12GHz GaAs单片行波放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一个全平面超宽带GaAs单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个300μm栅宽的MESFET,整个电路拓扑结构简单,芯片面积为3.0mm×1.8mm。电路经优化设计后在2~12GHz范围内,小信号增益为5±1dB,输入输出电压驻波比≤1.75。上述频率范围内输出功率≥16dBm,噪声系数≤8dB。采用全离子注入、全平面工艺,均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。 相似文献
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我们利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AIGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140A/cm2,激发波长在980urn左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980urn量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mw的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上. 相似文献
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1 MAX4310的基本性能MAX4310是MAXIM公司生产的单电源工作的低功率高速多路视频复用放大器。它将双通道复用开关和一个可调增益放大器集成在同一芯片上,同时将通道复用开关(低闪变开关)和出色的视频特性结合起来,具备快速通道切换(40 ns)、超低切换瞬变10 mV(PP)、-3 dB带宽280 MHz、摆率460 V/μs与低差分增益/相位误差0.06%/0.02°的特性。工作在+4~+10.5 V的单电源(或双电源±2~±5.25 V),呈现出满电源范围输出和低于地电平的共模输入范围,… 相似文献
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阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。 相似文献