GaAlAs/GaAs DH激光器的自脉动特性

本文对 L-I特性曲线扭折的 GaAlAs/GaAs DH激光器光输出中自脉动振荡现象,进行了时间分辨光谱,瞬态近场分布的测试.根据实验结果,用有源区Al含量不均匀分布而产生不同发射波长的双光丝的模型,定性地解释了自脉动振荡的现象.     

GaAlAs/GaAs DH激光器升温加速老化

对DH激光器进行升温加速老化,以了解DH激光器高温退化特性,以及这些特性与器件参数间的关系,探讨其退化机率、退化概率;并推算其室温下的平均寿命。本文只限于讨论推算寿命问题。     

GaAlAs/GaAs DH激光器的红外透射研究

本文介绍了红外透射技术的装置和原理,报导了主要研究结果.实验表明,红外透射技术是研究GaAlAs/GaAsDH激光器的又一有效工具.我们获得的有关GaAlAs/Ga AsDH激光器的外延层、条区结构和作用区发光情况的综合照片,是用普通的光学显微镜或扫描电子显微镜所不能得到的.     

GaAs/GaAlAs DH激光器的扫描电子显微镜分析

前言用扫描电子显微镜(SEM)的二次电子(SE)、电子束感生电流(EBIC)、阴极萤光(CL)信号分别观查了GaAs/GaAlAs DH激光器管芯的形貌、外延层和结区中的微缺陷;用Ga-Kα分布曲线分析了GaAlAs限制层的Al含量;还分析了近结区光电特性。结果表明:外延层的Al组分均匀,有源区结线平直;发现键合工艺存在三个问题,一是大部分管芯在键合时焊料In从热沉漫延到镜面上,复盖了有源区;二是上引线的欧姆接触处的周围存在接触势垒;其次发现引线工艺造成了管芯的损伤。此外,管芯中有形变孪     

GaAlAs/GaAs DH激光器的发光位置研究

GaAlAs/GaAs DH激光器是一个微型的多层结构的发光器件。正常结构的发光区是在一个条形的发光区内。但是,由于工艺的改变、操作的失误等,许多器件的发光区不在理想部位。直接观察发光区的确切位置及其图样,对于了解器件性能,特别是对工艺的研究有着重要的意义。本文介绍发光区位置的确定,描述各种发光现象及其同工艺之间的可能联系。 实验结果表明:(1)全线发光有的主要与条形形成工艺有关(平面条形);有的则由外延工艺决定(沟槽衬底)。(2)带状发光,一类与外延有关,如⊿x偏小,作用区太薄等;另一类与条形形成工艺有关,如Zn的深度扩散等。(3)衬底发光主要与外延工艺有关。如沟槽衬底条形     

GaAlAs/GaAs DH激光器发光位置的实验研究

红外透射/发光观察法是直接观察GaAlAs/CaAs DH 激光器发光位置的唯一可行方法.研究各种发光现象及其同工艺之间的联系可为器件工艺的改进提供可靠依据.     

窄沟槽衬底条形GaAlAs/GaAs DH激光器特性的测量和分析

本文着重讨论窄沟槽衬底条形GaAlAs/GaAsDH激光器的观察和测量。显示了单模激光器和多丝激光器特性的基本差别,讨论了引起这些差别的基本原因和这两类器件的应用前景。     

GaAlAs DH激光器特性的温度效应研究

研究和分析了温度对GaAlAs DH激光器电光参数的静态和动态特性及工作寿命的影响。I_(th)变化率低的激光器,外推室温连续工作寿命8×10~4小时以上。还研究了自脉动和功率扭折现象等。     

长寿命GaAlAs/GaAs DH激光器筛选规范的建立和可信度试验

在对半导体激光器均匀退化模式分析的基础上,建立了筛选规范,并进行了可信度试验。提出的方法可用来预期器件寿命,估计激光器参数对寿命的影响。按规范筛选出来的器件,其中85％以上能连续工作超过万小时,其平均退化率为1.6％/千小时,均方偏差1.0。     

再论“GaAlAs/GaAs DH激光器红外透射/发光观测法”

本文着重讨论IT/E法的基本原理、对比度、分辨率、放大倍数和发光图样等问题,以及同这一方法使用范围有关的因素。此外,还对实验方法和实验结果作了补充。     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs/ GaAs 材料的高功率半导体功率放大激光器(LD - SLA) 。器件为双 异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD) 与半导体功率放大器(SLA) 集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29 %、71 %提高到90 %以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命     

GaAlAs/ GaAs 半导体功率放大激光器的研究

研究一种GaAlAs／GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD—SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体，使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜，使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29％、71％提高到90％以上，进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。     

GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计

本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.     

增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器

本文报道采用氧化物掩蔽Zn扩散平面条形结构的增益导引GaAlAs/GaAs锁相列阵激光器的工艺和特性。获得了阈值电流小于200mA,输出功率大于240mW的实验结果。远场测试表明其具有良好的锁相特性。     

大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器

采用MOCVD技术在φ40mmGaAs衬底上研制成大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器。该激光器激射波长为830～870nm,室温CW阈值电流密度小于350A/cm~2,最低值为310A/cm~2,输出光功率大于200mW/(单面,未镀膜)。     

非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器及其特性

本文分析了非对称大光腔结构在提高激光器灾变性光学损伤阈值光功率方面的优点；报道了我们研究非对称大光腔ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器的初步结果：未涂覆单而输出光功率（ＣＷ）大于８５ｍＷ；阈值电流范围为６０—８０ｍＡ；微分量子效率每面２５％；器件为基横模工作．     

沟槽衬底GaAs/AlGaAs DH条形激光器

叙述了用化学腐蚀和液相外延相结合的方法制造沟槽衬底条形激光器的工艺。测试了这种激光器的基本性能。结果表明,这种激光器横模比较稳定,扭曲功率较高。自1975年开始,我所与复旦大学协作研制了质子轰击条形激光器,获得了成功。质子轰击条形激光器工艺简单     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长法生长出 Ga Al As/Ga As梯度折射率分别限制单量子阱材料 ( GRIN- SCH- SQW)。利用该材料制作出的列阵半导体激光器输出功率达到 10 W(室温 ,连续 ) ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器

采用反应离子刻蚀GaAs/GaAlAs双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右.     

低阈值GaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器

一种PNPN型异质结负阻激光器业已研制成功,它的具体结构是n·GaAs/N·Ga_(1-x)Al_xAs/p·GaAs/p·Ga_(1-y)Al_yAs/P·GaAs/n·GaAs/P·Ga_(1-z)Al_zAs;其中,x=0.2～0.3,y≤0.20,z=0.1。本文研究了这种激光器的工作原理和制备工艺,分析了存在异质结构时器件的电导通机理,测量了器件的某些电参数及激射特性。器件的转折电压V_s为15～20V,维持电压V_H约为1.5V,维持电流I_H约为10～100mA。激射阈电流密度最低可达2500A/cm~2。将激光器置于简单的张弛振荡线路中能够较容易地实现自振激射。