PDP制造中障壁的研究

PDP制造中障壁的制作非常关键，障壁的高低、宽窄及形状等影响着PDP的主要发光特性，本文简要介绍了障壁作用、设计原则及制造方法。     

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究

MEMS器件大都含有可动的硅结构，在器件加工过程中，特别是在封装过程中极易受损，大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后，加上一层封盖保护，可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金-硅键合新结构，实验证明此方法简单实用，效果良好。该技术与器件制造工艺兼容，键合温度低，有足够的键合强度，不损坏器件结构，实现了MEMS器件的芯片级封装。我们已经将此技术成功地应用于射流陀螺的制造工艺中。     

基于虚拟制造技术的集成电路工艺设计优化

采用虚拟制造技术对0.8μm双阱LPLV CMOS工艺进行优化，确定了主要的工艺参数。在此基础上，对全工艺过程进行仿真，得到虚拟制造器件和软件测试数据，所得结果与实测数据吻合得很好。     

PDP制造工艺和生产技术最新进展

本文综述了PDP电极、障壁、MgO保护膜制造工艺和MgO保护膜沉积、封接、充气、排气和封口一体化系统规模生产技术的最新进展。     

投影管两种制造技术浅析

本文简单介绍了“黑白式”投影管制造技术的工艺过程，井通过对“彩管式”和“黑白式”两种投影管制造技术的分析，指出“黑白式”投影管制造技术由于其成熟的制造工艺技术，将是投影管制造的主要发展趋势。     

曲面曝光技术在异形曲面高精度线条制造工艺中的应用

本文详细介绍了国内外异形曲高精度线条制造技术的研究应用水平与现状，重点分析与阐述了曲面曝光技术在异形曲面高精度线条制作工艺上的应用。     

切割曝光技术及其在器件研究上的应用

本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术,用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅表面沟ＰＭＯＳＦＥＴ,它具有良好的器件特性和抵制短沟道效应的能力．对不同沟长ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳＦＥＴ的研究表明,当沟道长度从２．０μｍ降至０．５μｍ时,表面沟ＰＭＯＳ管阈值电压的变化（ΔＶＴ）约为６０ｍＶ,而ＮＭＯＳ管相应ΔＶＴ为１１０ｍＶ．计算机模拟的切割曝光和单线曝光立体图象也清楚地表明,切割曝光方法对于消除二次谐波影响,提高分辨率具有一定作用．     

等离子体显示板制造过程的中间检验技术

加强等离子体显示板（PDP）制造过程的中间检验是提高产业化生产成品率的重要手段之一。本文介绍等离子体显示板制造过程的中间检验项目和专用设备，并重点阐述光遮挡法用于障壁和荧光粉三维形状检验的原理及优势。     

集成电路与半导体器件制造中的电子束曝光技术

本文叙述了国际上电子束曝光技术的发展趋势,分析了我国电子束曝光技术的发展现状,回顾了电子部四十八所电子束曝光技术的进展及其在微电子器件制造中成功的应用。     

交流等离子体显示屏障壁技术的进展

障壁是交流等离子显示屏关键结构部分，障壁结构和制作的优劣，直接影响交流等离子显示屏光电性能。本文就交流等离子显示屏障壁制造技术，如丝网漏印法、喷砂法、感光浆料法、光刻胶埋入法等进行了介绍。     

激光表面处理和快速制造技术的新进展

主要介绍激光表面处理和快速制造技术领域的一些新进展，其中激光表面处理主要包括激光熔覆、清洗和抛光技术。在一系列用于直接制造金属零部件的工艺中主要采用选择性激光熔化(又称快速成型制造)技术。     

光刻技术的发展及展望

本文综述了制造集成电路、声表面波器件、微波哗啦的关键工艺一光刻技术的发展，对式、接近式、投影曝光技术分步重复曝光技术及直接扫描成象曝光技术以及所用的曝光光泊－紫外光、Ｘ射线、电子束、离子束光源对线条的分辨率、利弊作了对比，并对光刻技术的发展趋势作了简述。     

厚膜混合集成电路的制造技术与应用

本简要介绍厚膜混合集成电路的制造过程，由于它的制造特点使其性能稳定可靠，应用领域广泛。其制造工艺适于大批量自动化生产，具有工艺简单、投资省、见效快等优点。     

光刻设备市场与技术现状

由于半导体制造工艺的快速推进,工艺节点已进入90nm的时代承担90nm工序的是波长193nm的ArF曝光设备.2003年的ArF曝光设备供货数量约为75台.虽然数量比ArF及i线半导体曝光设备要少,但却在稳步增长.     

检测技术

检测技术（东芝）庄野裕夫１前言本章首先介绍检测的意义，然后概要介绍各工序的重要检测项目、检测装置以及主要检测装置的现状。２检测目的对在ＬＣＤ制造工艺中进行检测的目的以及为达此目的所需的设备简单归纳如下（１）被动检测在产业的初期阶段，为了将发生的不合格...     

国外光学分步曝光技术的新进展

本文从光源波长、照明系统和工艺控制方面介绍了国外光学分步曝光技术的最新进展。着重叙述了世界几大著名光刻设备公司在其研究领域的设计更新和实施效果，展望了光学分步曝光技术在甚大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制造中的潜力。     

先进的表面组装制造方法

本主要论述了再流焊接技术在通孔元件中的应用，这种技术对传统的通孔元件的波峰焊接技术是一个重大的技术创新。其有诸多优点，不仅实现了柔性设计，而且还具有波峰焊接工艺不能实现的用途。中将波峰焊接和再流焊接技术进行了比较，这种创新技术减少了工艺步骤及相关的材料，为此，节约了制造成本，同时仍保持原有的性能，并重点指出只有对传统的制造方法进行重大改革才能获得有竞争优势的技术突破。为实现制造工艺的现代化，而对表面组装制造进行连续的测评，以便在不改变工艺性能的同时，获得行之有效的制造方法。在很多情况下，采用先进的表面组装制造方法可以减少若干工艺步骤：有两种较受欢迎的工艺：单中心再流焊接(SCRS)或是侵入式再流焊接和双面再流焊接。这些工艺虽然不是新工艺，不过，许多公司多年来一直都在使用这些工艺，而且其中一些公司还将这些工艺用于其部分混合技术组装生产中。这些工艺的其中一些突出特点是对通孔元件的再流焊接进行了透彻地研究，这项研究是1986年由美国的一家重点电子制造厂家实施的。通过一系列的实验来验证和确定所有的关键操作参数。花费了十年的时间，通过使用这种工艺对无以数计的焊点进行了研究，资料记载表明没有出现过任何现场故障，焊点缺陷率保持在4--7ppm。     

多层印制板检验规范探讨

本文对多层印制板制造过程之检验规范进行了简单介绍，对多层印制板总制程的工艺过程之质量检验技术进行了较为详细的论述。     

超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。     

手机屏幕:选电容屏还是电阻屏

<正> 触摸屏手机迅速普及,由此引发出电容屏和电阻屏制造技术之争,很多人搞不清楚为什么功能是一样的触屏手机却能够带来截然不同的操作体验。原来它们两者在制造工艺上有着本质上的区别,因此决定了市面上不同手机操作差异,下面就让我们深层揭示电容屏与电阻屏原理和制造差别,以及使用该项技术的主流手机产品吧。