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将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工,自行设计、组装了一套实验系统,很好地解决了这一器件制作的关键工艺问题。分别采用石英版移相和衬底移相方式,可重复可靠地得到剖面陡直的(0.30—0.35)μm和(0.2—0.25)μm胶阴线条,这一工艺技术完全与现有器件工艺技术兼容,为HEMT深亚微米栅加工提供了一个新的可供选择的方法,文中还从计算机模拟角度对上述两种移相光刻方式作了分析。 相似文献
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充满活力的光学微细加工技术 总被引:1,自引:1,他引:0
刘恩荣 《电子工业专用设备》1990,(2):1-12
本文简要评述了近年来国外光学微细加工技术的最新进展。常规光学曝光己可满足16MDRAM生产的要求;准分子激光曝光有能力实现64M甚至256MDRAM生产;宽带步进扫描曝光机和激光图形制作系统也在集成电路制造中显示了强大实力。九十年代仍将是光学微细加工技术继续占居主导地位的时代。 相似文献
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介绍了解决0.18μm光刻批量生产的五在技术要素,即曝光装置,倾斜(离轴)照明技术,相移掩模技术、光学邻近效应修正技术和光刻胶及工艺。 相似文献
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声盘、视及光的亚微米圆弧线一般通过激光刻录机光刻制造,本文结合我国开发的用于磁盘伺服图形录写的激光刻录机,从机械结构、光路系统及计算机控制系统等方面,对其进行了研究分析。 相似文献
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微细加工新技术—LIGA技术 总被引:5,自引:1,他引:5
LIGA技术是近几年才开展起来的一门新技术,是微细加工的一种新方法。本文对这一技术,从简单工艺过程到每个具体工序环节都详细、深入地进行了介绍。LIGA技术是由光刻、电铸、塑铸三个环节组成,尤刻以同步辐射深度X光曝光为主。由于同步辐射X光有非常好的平行性、极高的辐射强度、连续的光谱,使这项技术能够制造出高宽比大到100、厚度可达几百微米、结构侧壁平行线偏差在亚微米范围内的微米级三维立体结构。通过电铸、塑铸就可将这一结构转换成金属或塑料的微结构产品。 这项技术在短短几年的发展过程中,已制造出电机、齿轮、发动机、涡轮、联杆、单色器、光纤联接器、电联接器、喷嘴、泵、阀、加速度传感器等微型结构与器件,被认为是将对下一世纪带来重大影响的一门新技术。 相似文献
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本文针对无铬掩模方式,从计算机摸拟和实验两个方面,研究了KrF准分子激光(λ=248nm)接触式移相曝光。得到了0.1μm的正胶线条。得出了在接触式相干平行光照射下,移相器与基片间距对光刻线条宽窄有很大影响的结论,并通过将移相器直接做在基片上,给出了移相器紧贴基片的可靠方法。 相似文献
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设计了一种新的InP/In0.75Ga0.25As/InP器件结构,其特点在于采用InP衬底,高X值的InxgA1-xAs沟道,选用InP作为势垒层,从而避免了用含Al势垒层有可能引起的DX中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面,提出将KrF准分子激光无铬移相光刻应用于栅图形加工,设计,组装了一套实验系统,可重复可靠地得到剖面陡直的0.3-0.35μm胶阴线条,这一工艺技术完全与现有器件工艺 相似文献
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日本冈崎国立共同研究机构分子科学研究所开发了一种用很强的人造“辐射光”进行半导体微细加工的技术。该技术的加工精度为0.1nm,相当于一个原子大小。利用该技术使以往需加热1000℃的加工工艺,在500℃的低温下也能完成,由此打开了研制Si与蛋白质相结合的新材料之路。用这种独创的新方法在Si基板表面上照射辐射光蒸发后,形成氧化膜,并制成Si微细槽或线。当用电子显微镜观察时,Si层以一个原子大小清晰排列,预计可用0.1nm的高精度进行微细加工。加工中发现在极微细的范围原子产生自然聚集的“自组装”现象,该方法比传… 相似文献
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光学光刻设备日益精进,相关技术不断革新,使光学曝光技术继续主宰九十年代的光刻设备市场。新颖的光学光刻设备仍将在进入本世纪末0.15微米1GDRAM极大规模时代扮演主要角色。本文将对光学微细技术不同发展阶段的主要技术进步和设备概况作以介绍,并对光学光刻设备的市场和今后的发展趋势作了分析。 相似文献
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21世纪的半导体光刻技术东立摘编根据美国半导体工业协会(SIA)的预测,进入21世纪,逻辑IC使用的晶体管数将达6千万个以上,金属引线达6层,时钟速率超过1GHz。因此,更小尺寸器件和更快速度电路向IC工业提出了严峻的挑战。在本世纪末,半导体行业的工... 相似文献
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光刻技术是发展超大规模集成电路的关键技术。光刻线宽随着DRAM集成的提高而进一步变细,现已突破了0.35微米的屏障。本文论述了曝光系统中镜头的数值孔径,曝光射线的波长及抗蚀剂特性对光刻1微米线宽或亚微米线宽的重要影响。 相似文献