碳化硅薄膜热敏材料的制备

本文介绍了采用硅、碳复合靶射频溅射镀制碳化硅薄膜。用四探针法分别测得了在不同氩气分压下,不同溅射功率与基板温度下,电阻率与温度关系曲线。用 NP-1型光电子能谱仪测量薄膜成分。结果表明在不同的溅射条件下,制备的碳化硅薄膜属于硅、碳、碳化硅混合成分的薄膜,其电阻率相差很大。本工艺制备的碳化硅薄膜,在所测量的0～300℃温区内,具有明显的负温度系数。     

高比表面碳化硅的制备与应用

利用碳化硅陶瓷材料耐磨、耐蚀、高热导等优良特性 ,同时攻克其比表面积低的缺陷 ,可使其成为一种催化剂载体的理想候选材料 ,应用于高温、强腐蚀等苛刻反应条件中。归纳了近年来高比表面碳化硅材料的研究进展 ,并阐述了其制备原理、方法及应用。     

黄绿荧光碳化硅包覆石墨材料的制备与表征

以膨胀石墨与硅溶胶为原料制备出一种碳化硅包覆石墨材料。利用电子显微镜、X射线衍射技术、热重分析和荧光光谱技术对样品的形貌、结构、组成以及光致发光性能进行表征。结果表明,与碳化硅材料相比,碳化硅包覆石墨材料的发光频带发生红移,即由原来的蓝光红移至黄绿光,拓展了碳化硅的光致发光光谱。其原因是由于位于材料内部的石墨与外部的碳化硅之间形成的内电场阻碍了电子回归基态,从而使得光电子恢复到基态所释放的能量低于纯碳化硅释放的能量。     

先进超导材料制备与性能研究进展

在这次国际会议上,2008年铁基超导体的发现人日本的H.Hosono教授参加了会议,并就当前铁基超导材料发展的现状和趋势作了专题报告,使与会者颇受启发.其中有100余名代表参加了"先进超导材料制备与性能"分会,来自亚洲、北美洲、欧洲和澳洲的42名在新型超导材料研究领域负有盛名的学者作了邀请报告.报告人介绍了各自的最新研究进展,与会者就相关问题进行了广泛交流与讨论.     

纤维素基先进功能材料的制备及其应用

纤维素是来源最为广泛的生物质资源,具有廉价易得,可再生等优点,可作为石化资源的替代品,制备品种丰富、性能各异的先进功能材料。综述了近年来纤维素基先进功能材料研究方面的重要进展,对其制备方法和应用进行了详细归纳和讨论。内容包括:力学功能材料、化学功能材料、光电功能材料等。涉及柔性显示器、药物载运、电子元器件模板、分离膜,超级电容器等领域的应用。文章最后对纤维素基先进功能材料的发展提出设想,并讨论了在发展过程中面临的关键问题,为纤维素基功能材料的深入研究和产业化应用提供有益的参考。     

碳化硅材料特性及其应用浅析

正一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材料相比较,Si C具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点[1]。Si C是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料之一,Si C在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方     

铜包覆碳化硅复合粉体材料的制备及表征

选用平均粒径约为50～100μm的碳化硅颗粒作为基料,以水合联氨为还原剂、氨水为络合剂,利用非均相成核法制备铜包覆碳化硅复合粉体材料,在温度为83℃时得到了分散效果较好的复合粉体,采用XRD、SEM、EDS对复合粉体进行了表征,结果表明,制备的铜微晶粒径为100nm左右,碳化硅颗粒表面的铜包覆层均匀、连续.     

复合碳化硅陶瓷过滤膜材料的制备及表征

研究了陶瓷纤维过渡层浆料的不同工艺配方对复合碳化硅过滤膜材料结构的影响,陶瓷粘结剂量对过滤膜的孔隙率、孔径大小和孔径分布的影响,以及陶瓷粘结剂量为15%（质量分数）时,造孔剂量对过滤膜孔隙率的影响.采用流延成型法在多孔碳化硅陶瓷块体上流延制备复合碳化硅陶瓷过滤膜,并用XRD对过滤膜进行物相分析,扫描电镜观察过滤膜的形貌,表面过滤膜的孔隙率和孔径分布则用排水法和泡点法分别测试.结果表明,1 300℃烧结3h后的碳化硅过滤膜在2θ=22°时,有SiO₂衍射峰生成.当陶瓷纤维过渡层浆料各成分的质量比为:硅酸铝纤维:莫来石纤维:羧甲基纤维素钠（CMC）:蒸馏水=1:1:1.565,复合碳化硅陶瓷过滤膜结构最均匀平整.当粘结剂量5%增加到25%时,过滤膜气孔率从46%下降到29%,平均孔径从11.916μm减小至4.017μm;当粘结剂量为15%,造孔剂量从5%增加到25%时,过滤膜气孔率从41%上升到60%.     

碳化硅材料在核燃料元件中的应用

采用溶胶-凝胶法制备了稀土La离子掺杂的纳米TiO2光催化剂（La-TiO2）,通过XRD、PL、U、LVis对La-TiO2样品进行了表征和分析,并以亚甲基蓝（MB）作为目标降解物,研究了不同热处理温度及不同La掺杂浓度的（La-TiO2）样品对MB的光催化降解效果。结果表明,所制备样品的晶型均为锐钛矿相和金红石相的...     

多孔碳化硅及氧化铝/碳化硅复合膜的制备与性能

以碳化硅(SiC)为骨料,氧化铝(Al2O3)为烧结助剂,在空气气氛下反应烧结制备碳化硅多孔陶瓷支撑体,并配制Al2O3制膜液,采用浸浆法在支撑体表面进行涂膜.重点考察Al2O3添加量对支撑体的孔隙率、抗弯强度、微观形貌的影响与支撑体的抗热震性能;采用环境扫描电镜(SEM)观察膜层的微观形貌,并对膜层的气体渗透性能、抗热震性能等进行考察.结果表明,当烧结温度为1500℃、Al2O3添加质量数为10%时,支撑体的抗弯强度为31MPa、孔隙率为30%,气体渗透系数为4 000m3/(m2.h.0.1MPa),抗热震性能良好;制备的碳化硅陶瓷复合膜,其平均孔径为4.7μm,膜厚为110μm,气体渗透系数为1 917m3/(m2.h.0.1MPa),具有良好的抗热震性能.     

先进陶瓷刀具材料的发展与应用

先进陶瓷刀具材料具有耐高温、耐磨损、抗氧化等优良特性。在高速切削加工中得到了广泛的应用,本文介绍了国内外先进复合陶瓷刀具材料的性能和发展状况,针对陶瓷刀具材料的强度低和脆性大的缺点,阐述了目前比较常用的几种陶瓷刀具材料的增韧手段和机理以及先进陶瓷刀具的应用现状。     

碳化硅微粉的低温合成与制备

以硅溶胶为硅源,淀粉为碳源,采用低温碳热还原法合成了SiC微粉.实验结果表明:淀粉热解得到的碳颗粒和硅溶胶中的SiO2能形成较好的包覆,增大了接触面积,促进了反应的进行.在1700℃下反应1h,反应前驱体全部转化为β-SiC,产物为SiC颗粒和纳米棒的混合物.升高反应温度和延长反应时间都能显著增加转化率.但温度过高会导致晶粒长大.     

聚乙烯醇-碳化硅新型微生物固定材料的制备及表征

采用浸渍方法将聚乙烯醇涂敷于多孔碳化硅板表面制备负载诱导膜的多孔材料,借助载体结合法将活性污泥固定在其上,通过检测固定微生物对COD的降解来表征不同条件下PVA诱导膜上微生物的固定量.结果表明:PVA对微生物的固定有一定的诱导作用;PVA的pH值和浓度不同,微生物的固定情况也不同,微生物在PVA诱导膜固定的适宜条件为pH=7,浓度为5％.通过扫描电镜证实PVA可以很好地涂敷在多孔碳化硅板表面,并且有大量微生物固定在PVA诱导膜上.     

碳、碳化硅及氮化硅等纳米功能材料的制备

以金属为还原剂，有机溶剂或碳酸盐为碳源，我们制得种种碳纳米结构，纳米管、纳米空心球、空心锥体、珊瑚状空心结构纳米笼、纳米带、纳米棒和纳米纤维等．此外，还制备了一些碳和Fe304或Fe的复合材料，并进一步用酸洗掉Fc304或Fe后得到了相应的碳空心结构。我们在低于传统高温反应的温度下，制备了3C-SiC纳米晶、纳米线、纳米带、纳米空心球、一维有序结构多种纳米结构和SiC／C复合材料等，以及六方相SiC（2H-SiC）片状纳米颗粒。我们也在低于传统高温反应的温度下，制得了α和β相的多种形貌的Si3N4晶体，最近已将反应温度降至200℃。在BN的合成方面，制备了六方相BN纳米管和纳米笼，六方和立方混合相的BN纳米晶须，最近我们在催化剂存在的情况下合成了三角形三方相的BN晶体。     

含铁碳化硅复合材料的制备

以聚碳硅烷(PCS)、羰基铁(Fe(CO)_5)、二乙烯基苯(DVB)和碳化硅(SiC)纤维为原料,采用先驱浸渍裂解工艺制备含铁碳化硅纤维增强碳化硅基(SiC_f/SiC)复合材料,研究了原料配比对交联反应的影响,以及浸渍次数对复合材料致密度及陶瓷产率的影响。研究表明:当羰基铁添加量为20%(质量分数),二乙烯基苯为5%(质量分数)时有利于基体交联的进行;经1100℃裂解后基体中可明显观察到β-SiC晶体的生成;经5次浸渍裂解,制得的复合材料密度为1.72g/cm~3,孔隙率为20.43%,陶瓷产率得到提高,达到82.67%。     

碳化硅晶片的制备技术

论述了碳化硅晶片作为补强增韧材料的优点，阐述了其制备机理和国内外的各种制备技术以及碳化硅晶片的提纯方法，并对碳化硅晶片的研究重点和发展趋势作了简要的评述。     

碳化硅泡沫陶瓷的制备

碳化硅泡沫陶瓷具有气孔率高、热稳定性好等优良性能,被广泛用作金属溶液过滤器、高温气体和离子交换过滤器、催化剂载体等.重点介绍了碳化硅泡沫陶瓷的种类,阐述了碳化硅泡沫陶瓷的制备方法和影响碳化硅泡沫陶瓷产品性能的因素,展望了碳化硅泡沫陶瓷的发展前景.     

碳化硅超细粉的制备新法

用一种新的方法———双重加热法制备了直径在 5 0～ 6 0nm范围内的SiC超细粉 ,用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对SiC超细粉进行了表征。研究结果表明 ,用双重加热法制备SiC超细粉的最佳温度为135 0℃ ,恒温时间为 6 0min ,SiC超细粉的产率可达 98% (质量分数 )左右     

碳化硅材料及技术研究进展

<正>一、引言在半导体材料的发展历史上,通常将硅(Si)、锗(Ge)称作第1代半导体。将砷化镓(Ga As)、磷化铟(In P)、磷化镓(Ga P)等为代表的合金半导体称作第2代半导体。在其之后发展起来的宽带隙半导体,碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)、氮化铝(Al N)及金刚石等称为第3代半导体。Si C作为第3代半导体的杰出代表之一,相比前2代半导体材料,具有宽带隙、高热导率高、较大的电子饱和漂移速率、高化学稳定性、高击穿电场高等诸多优点,在高温、高频、大     

泡沫碳化硅陶瓷表面纳米多孔碳化硅涂层的制备

利用硅改性树脂中硅元素和碳元素分子级均匀分散的特征,以硅改性树脂为涂层原料,在泡沫碳化硅陶瓷表面原位生成了多孔碳化硅活性涂层。在加入适量活性炭颗粒的条件下,在泡沫碳化硅陶瓷表面得到了性能良好的纳米碳化硅涂层,适合作为催化剂载体。相反,在没有活性炭颗粒加入的情况下,所得涂层龟裂、结合强度低,且碳化硅团聚成片,比表面积小。