纯铁中的氢致微观缺陷和氢-缺陷系统的正电子寿命

几十年来,人们对金属的氢致损伤问题的研究主要集中于金属的宏观力学性能和半微观性能。本文用正电子湮没技术研究氢对金属中小到原子尺度的微观结构的影响。 选用纯度99.99％的铁样品八对,经840℃、1.5小时真空退火后电解充氢,充氢电流密度分别为0、2、4、8、16、32、64、256(mA/cm~2),放置19小时后在室温下测量各样品的正电子寿命谱,实验结果用Positronfit程序进行三寿命分量的自由拟合,结果发现,所有充氢样品的平均正电子寿命τ_M和第二寿命成份的相对强度I_2都大于未充氢样品,并且随着充氢电流密度的增大而增大,说明铁中的氢可以引起微观缺陷浓度的显著增大。根据第二寿命成份的寿命值I_2(230～270ps),可以推知新增加的缺陷主要是各种空位,位错和微孔洞。     

低碳钢淬火组织与正电子寿命谱的关系

本文利用正电子对金属微观结构的敏感性,测定了在不同淬火条件下低碳钢的正电子寿命谱,分析了在A_(c3)以上不同温度加热淬火时,正电子寿命与淬火温度和组织的关系。实验在快慢符合正电子谱仪上进行,用~(60)Co测得的仪器时间分辨率约300ps,道宽44ps,源强约20μCi,谱搜集时间1×10~4秒,总计数3×10~5左右。用微机进行了数据处理,程序按最小二乘迭代法拟合实验谱,并在单高斯函数拟合分辨函数的基础上作了近似处理。配合定量金相法,分析了在两相区却热淬火时,铁素体与马氏体混合组织对正电子寿命的影响(图1—3)。按     

45钢热处理的正电子寿命谱分析

本文测定了45钢试样从820℃淬火并经200℃、400℃、600℃和740℃保温1小时后炉冷的正电子寿命谱。实验在一般的快慢符合正电子谱仪上进行。~(22)Na放射源的强度约为20μCi,仪器分辨率300ps左右,总计数约3×10~5。寿命谱的数据处理在微型计算机上进行,程序在单高斯函数拟合分辨函数的基础上作了近似处理,所得结果如图1所示。由图1可见,对于淬火试样,τ_1和τ_2的数值比减接近,I_2>I_1。随着回火温度的增加,τ_1减少I_1增加,τ_2增加I_2减少,这与回火温度增加位错密度和点阵静畸变减少以及空位集中形成空位团相关。     

云母钛珠光颜料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术测量了云母钛珠光颜料的正电子寿命和强度与煅烧温度，包覆量等的关系，并与Ｘ射线衍射，透射电镜等方法进行了比较。     

辐照接枝氟塑料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱研究了对聚四氟乙烯和聚合氟乙丙烯进入γ辐照接枝的反应机理。结果表明：γ辐照和辐照接枝使聚合物的凝聚态结构发生了变化。随着辐剂量的增加,接枝率不断提高,而正电子湮没长寿命产生明显改变。说明了辐照接枝主要发生在非晶区以及非晶区和晶区的交界处,将实验结果与红外光谱进行了比较。     

不同方式变形时高纯铁的正电子寿命研究

采用正电子寿命研究了压缩，冷轧和拉伸变形时高纯铁的正电子寿命随形变量的变化规律（τ（ε）曲线），实验结果表明，若单考虑某一种方式的形变过程，其结果与前人的结果一致。实验中还发现压缩变形时的τ（ε）曲线明显高于拉伸的τ（ε）曲线，而冷轧时的τ（ε）曲线人于两者之间，这种τ（ε）曲线的不同可归因子不同方式变形时导致的缺陷结构不同。     

用正电子寿命方法研究Fe-Ni-Co合金中氢损伤

铁镍铬合金(型号4J29)是能和玻璃封接的定膨胀合金,主要用于晶体管、集成电路外引 线等。由于存在延迟断裂问题,影响了元件的可靠性。本文用正电子湮没方法对4J29合金中氢损伤行为进行了探讨。     

金属铜缺陷的正电子湮没寿命谱的理论研究

金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为:     

电子辐照Ni_3Al的正电子湮没研究

Ni_3Al是一种金属间化合物,其结构与有序合金Cu_3Au相同,是Ni基超耐热合金的主要强化相。在室温,成分范围为72.5～77at.％,化合比两侧形成替代式固溶体。理想成分的Ni_3Al,到接近熔点附近仍保持有序结构。     

多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序

本文提供一个消除仪器的时间分辨函数影响作多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序(NFIX ED),其源程序是美国乔治亚大学徐孝华教授赠送的。这个程序只有一个主程序,无子程序,结构简单,适合用小型计算机处理数据。程序流程中,根据不固定或固定(寿命和强度)成分的需要分十二种情况进行处理,由指示变量(J_6)来选择,变化灵活,效果显著。又使用解行列式的方法求修正参变量,进行迭代运算,避免了解方程的复杂程序设计。用此程序要注意以下几点:     

不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱

用下电子湮没技术研究了不同Ｐ含量的ＤＺ１７Ｇ合金的电子寿命谱，结果表明，当合金中Ｐ含量≥０．０３ｗｔ％时，形成金属键的自由电子密度明显下降，其缺陷浓度明显增加，从而使合金力学性能下长，当Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％时，合金的体电子浓度变化不大，对合金性能影响较小，认为从不同Ｐ含量对合金缺陷组态和电子结构的影响出发，控制ＤＺ１７Ｇ合金Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％是必要的。     

用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP

用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。     

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱分析

硅橡胶是一种特种橡胶材料,用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析,第一寿命τ_1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果;第二寿命τ_2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果,第三寿命τ_2应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。     

一种小型正电子寿命谱分解程序(CYHLS)

该程序将正电子寿命谱看作是一至多个指数衰减函数与仪器分辨函数的卷积,使用最小二乘法进行拟合,从而可将寿命谱分解成一或多个寿命成份,并得到各成份的寿命值τ_1,和相对强度I_j,以及正电子湮没的平均寿命τ_(mean)。与POSITRONFIT程序相比,它们的拟合结果是一致的,拟合方差可达到1～3左右。该程序在微处理机上就可运行,且计算结果与初值的选择无关,使用方便。     

基于遗传算法的正电子湮没寿命谱拟合

正电子湮没谱学是无损探测材料中纳米缺陷的有效手段,通过正电子湮没寿命谱可获得正电子在材料中的湮没状态以及材料内部电子密度分布的信息.本工作基于遗传算法(GA)的全局搜索、随机产生初值的特点,对正电子湮没理论寿命谱进行了多指数函数拟合的尝试,并用MATLAB语言编程实现了曲线拟合,得到的各组分寿命及相应强度.与LifeT...     

LiF:Ni~(2+)晶体的正电子寿命谱

本文研究了掺Ni~(2+)的LiF晶体的正电子湮没特性。寿命谱测量使用快-慢符合正电子寿命谱仪,其双高斯分辨函数的参数为:半高宽度W_1=242ps,W_2=399ps;相对强度I_1=61.4％,I_2=38.6％;中心相对位移29ps。晶体由上海光学仪器研究所提供,用火焰原子吸收光谱仪测定Ni的含量。每个寿命谱总计数不少于9×10~5。测试的环境温度T=23±0.5℃。采用Posi-tronfit程序以三寿命成份拟合实验数据。结果(见表)表明,第三个成份的寿命和强度基本上不随样品变化(τ_3=(1.0±0.3)ns,I_3=(2.0±0.5)％),可以归结为源的影响;而另两个成份随     

用正电子湮没寿命谱法研究退火对镍镀层结构的影响

1981年Vertes等人采用正电子湮没技术研究镍电镀层的结构时,在退火研究中却忽略了对镍镀层的物理性能有重要影响的渗氢和杂质的化学聚团作用。本文论述用正电子湮没寿命谱法研究暗镍和亮镍两类镀层退火时结构缺陷的运动规律,杂质化学聚团作用和再结晶行为。     

正电子寿命谱仪的最佳分辨率

能窗的选择对正电子寿命谱仪的分辨率有决定性的影响。本文描述了一种获得谱仪最佳分辨率的方法。将正电子寿命谱仪的可工作能区分成42个小块。测量每小块能区的分辨率(FWHM)、计数率和峰位“走动”。从中选出分辨率小、计数率高和“走动”小的好能区。能窗是由若干个最佳小能区组成。谱仪分辨率的理论计算值和实验测量值符合得很好。