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罗伟栋 《仪表技术与传感器》2005,(10):32-34
通过对PCR芯片工作所需的恒温场进行分析研究,使用半导体致冷片为温度控制部件,设计了一种新型的主动式恒温控制系统。温控系统通过改变半导体致冷片工作电流的极性来瞬时切换系统的升、降温状态,通过改变其工作电压来精确调整系统的工作温度,同时利用半导体致冷片的面加热特性,能够快速建立所需的恒温场,且恒温特性好。与其它PCR芯片温控系统相比,由于系统采用了主动式致冷措施,系统的降温速度很快,约为-17℃/s,较大地缩短了降温过程,改善PCR扩增质量。 相似文献
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半导体制冷具有加热制冷双向工作、无震动、无噪音、可靠性高、安装容易、热惯性小等特点。文中的系统是集半导体制冷片、高精度温度检测、可控硅移相控制和PID自动控制理论等几部分相结合构成的高精度温控系统。系统经实验数据验证控温精度可达0.1℃,该系统具有很好的应用前景。 相似文献
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程勇 《工业仪表与自动化装置》2011,(5):85-86,90
半导体制冷片又叫热电制冷片,可应用在一些空间非常小的环境,没有化学制冷剂,对环境无污染.该文提出了利用51单片机控制半导体热电制冷片,实现车载保温箱进行加热制冷的硬件电路和软件设计原理.硬件电路主要由输入输出、温度采集和反馈、控制电路组成,控制算法主要采用了滞环控制策略.整个系统结构简单,运行可靠. 相似文献
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在简单介绍半导体制冷技术的基础上,较详细地介绍了神港调节仪的输出电路和以这种调节仪(温控表)、开关电源、受控电源、热电阻和半导体制冷片等构成的温控系统.分析了 4~20 mA输出电路,给出了温控系统的控制电路等,这些内容对相关的技术人员具有较高的参考价值. 相似文献
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根据帕尔贴效应并针对半导体制冷的特性,提出了采用动态矩阵控制(DMC)方法进行制冷温度控制.通过测试实验获取被控对象的有限单位阶跃响应序列,建立实际系统模型,并在MATLAB中对该模型采用动态矩阵控制方法完成温控仿真实验.实验结果表明,相对于传统PID控制和模型偏差补偿控制,动态矩阵控制在达到稳定性好和跟踪精度高的要求下,具有更优的动态性能,且对小范围的模型变化不敏感. 相似文献
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半导体制冷温度控制算法的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在以ARM7为核心的半导体制冷控制器的基础上,研究了半导体制冷温度控制的方法,采用PID算法和模型偏差补偿算法完成了半导体制冷温度控制实验,通过比较实验结果,分析两种算法的实际控制效果,实现了半导体制冷的较高精度温度控制。 相似文献
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针对组织工程中多材质和梯度化生物制品的三维打印问题,对喷头温控功能、沉积工作台制冷功能、喷头切换方式、控制系统等方面进行了研究,提出了一种基于挤出沉积技术的多喷头生物3D打印机。使用半导体制冷片和聚酰亚胺加热膜对喷头进行了温控设计,设计了双向滚珠丝杆切换装置和外循环超低温沉积工作台结构,最后利用羧甲基纤维素钠水凝胶材料在研制完成的多喷头生物3D打印机上进行了多喷头打印测试。测试结果表明:多喷头生物3D打印机实现了多材料和梯度化复杂模型的多喷头三维打印,同时打印精度满足生物组织工程的需求,为实现高仿生三维结构的打印奠定了良好基础。 相似文献
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本文论述了热电制冷的工作原理和基于热电制冷的恒温控制技术.介绍了高性能单片机ADUC824的结构功能和特点,描述了以ADUC824为核心的热电制冷恒温控制器的设计,提出了半开关半线性控制的新的温控模式. 相似文献
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衬底沉积温度是影响薄膜生长形态的关键因素.针对超高真空薄膜生长中对衬底沉积温度恒温控制需求,文中讨论了基于电阻加热和液氦制冷相结合的温控系统,详细论述了LabVIEW环境下的温控系统应用软件设计思路,该应用软件通过VISA接口与精密温度控制仪进行数据通信,依据其内置的PID控制算法,实现温度控制.测试试验表明:该系统具体良好的恒温效果,能够满足超过超高真空薄膜生长时对衬底沉积温度的温控要求,具有很高的实用价值. 相似文献
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针对半导体激光器冷却系统体积大、温控精度不高的缺点,采用ARM微处理器配合集成数字温度传感器、半导体制冷器和液晶显示器等设计一个半导体激光器的温度控制系统,建立系统的数学模型,并对其控制算法进行深入研究.同时使用MATIab进行仿真,并进行定性定量的分析比较,提出在ARM芯片中使用模糊PID-Smith算法的温控方案,以提高所设计的温度控制系统的控制精度和稳定性. 相似文献
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《仪表技术与传感器》2019,(11)
针对传统半导体制冷器(TEC)温度控制系统极限低温能力差的问题,设计了一种基于斯特林制冷机散热的半导体制冷器温度控制系统。系统使用小型斯特林制冷机对半导体制冷器热端制冷,采用24位高分辨率ADC对高精度K型热电偶进行温度采集,设计比率法电路配合高灵敏度热敏电阻进行冷端补偿,结合单神经元PID算法对半导体制冷器进行温度控制。实验结果表明:该温度控制系统极限低温可达-113℃,较大地提升了半导体制冷器的低温发生能力,温度控制误差范围在±0.05℃以内,系统的稳定性与可靠性良好。 相似文献