极低输入电压噪声高精度运算放大器

单组装的LMP7731及双组装的LMP7732低电压高精度放大器都具有低噪声、低偏移电压和轨到轨输入／输出（RRIO）的特性。这两款运算放大器均内置双极输入级及输入偏压消除电路，因此输入电流可降低至1．5nA。此外，它们都可在1．8～5．5V的供电电压范围内操作，而且直流电偏移电压只有40μV，增益带宽则高达22MHz，耗电量仅为2mA。     

AlGaAs/GaAs HBT的低频噪声

测试了AlGaAs／GaAsHBT的低频噪声，并将测试结果分解为1／f噪声、G－R噪声和白噪声，阐述了它们的产生机理，在此基础上建立了AlGaAs／GaAsHBT输入噪声电压的等效电路模型，该模型有助于AlGaAs／GaAsHBT电路的CAD。     

采用BiCMOS制造工艺的高速运算放大器

意法半导体推出一系列超低噪声和超低功耗的高速运算放大器产品，新器件的目标应用为逻辑分析仪、示波器、视频驱动器、影像系统和电池供电的仪表。这个产品系列采用高速的BiCMOS技术和电流反馈结构，采用量产的BiCMOS制造工艺。在新推出的三个产品中，其中一个专门用于低电流和高带宽应用，而另外两个瞄准超低噪声的应用。TSH310的最大静态电流仅为400μA，带宽达到130MHz，压摆率115V／μs。这款低功耗的器件采用微型SOT-23封装，特别适合尺寸紧凑的手持应用，同时还提供SO-8封装。TSH330和TSH350的压摆率和带宽都很高，TSH330的带宽达到1．1GHz，压摆率达到1800v／μs，噪声（等效输入噪声电压）仅为1．3nV／sqrtHz。TSH310的典型静态电流保证低于470gA，典型输入噪声电压7．5nv／sqrtHz，输出级是为驱动高速ADC专门优化的，线性（SFDR）在F=1MHz时为-87dBc，在F=10MHz时为-55dBc（2Vp-P，1000Ω负载）。TSH330的单位增益带宽频率1．1GHz，静态电流仅为16mA，典型输入噪声电压1．3nV／sqrtHz。在增益为2时，增益平坦性0．1dB，频率高达160MHz，输出级是专门为驱动100Ω负载的视频或仪表线路优化的，SFDR在F=10MHz时为-78dBc，在F=20MHz时为-73dBc（2Vp-p,1000Ω负载）。TSH350带宽410MHz，压摆率940V／μs，静态电流4．1mA，输入噪声电压低达1．5nV/sqrtHz，输出级也是专门为驱动100Ω负载优化的，     

最高压LDO

TPS7A4001 50mA LDO既具有业界最宽泛的输入电压容差，输入电压范围在7V至100V之间，又可为50V瞬态事件实现不足500纳秒的快速建立时间。该器件采用微型8引脚热增强型3毫米X5毫米MSOP封装，静态电流低至25uA，可确保噪声环境下的高输出精度。     

可改善3GHz宽频率范围的无线传输的高线性度RF混频器

凌特公司（Linear Technology）推出一系列具有像双极型放大器那样低的电压噪声的新型CMOS放大器。LTC6241双路和LTC6242四路放大器在0．1Hz至10Hz区域具有550nV p-p低噪声，其电压噪声比现有CMOS放大器少3倍。LTC6241和LTC6242具有1pA偏置电流和低于125uV的输入失调电压。偏压漂移保证低于2．5uV/℃，而124dB的高电压增益保持系统误差达到最小。在每个放大器最大2．2mA的低电源电流上18MHz的增益带宽和10V/μs的转换率使这些放大器可以用于多种信号处理应用。此外，仅为3pF的低输入电容使这些放大器非常适用于高源阻抗应用。LTC6241双路放大器用低至2．8V和高达12V（HV版本）的电源电压工作。     

60V多相同步升压型控制器

LTC3784采用高效率N沟道MOSFET取代了整流升压二极管。这款器件在无需任何散热器的情况下，可从12V输入以高达97％的效率产生24V／12A输出。LTC3784启动时于4．5～60V的输入电压范围内工作，启动后可保持输入低至2．3VIN工作，并且能调节输出电压至高达60V。     

用于精密仪器仪表的高速运算放大器

ADA4898可提供了超低的宽带噪声（〈1nV／sqrtHz）、10Hz下1．2nV／sqrtHz的1／f噪声、低失真（500kHz下-110dBc）,以及可用于优化ADC性能的直流精度。ADA4898特别适用于16bit和18bit的系统,它的高速（G=＋1时,3dB带宽为70MHz）和高压摆率（40V／μ s）特点,能够实现放大器速度和精度的最佳集成。ADA4898能支持宽电源电压,范围为±5～±15V。     

凌力尔特公司线性稳压器

凌力尔特公司，（Linear Technology Corporation）推出新型、温度范围更宽的LT1763和LT1764A大电流、低噪声线性稳压器。新的“MP”级器件具有-55℃至＋125℃的工作温度范围，适用于航空电子设备、军事、工业、射频和电信等多种应用。LT1764A是一种3A LDO，在10Hz至100kHz带宽范围内具有40uVRMS的低输出噪声，适用于为射频电路供电。1mA的电源电流在停机模式时降至低干1uA。LT1764A可用2．7V至20V的输入电源工作，从而确保与多种输入电源兼容。输出电压在1．21V至20V之间是可调的。     

TI推出新一代全差动放大器

德州仪器(TI)宣布推出业界最低噪声、最低失真度的全差动放大器THS4509，THS4509充分利用了TI独特的高速BiCom—Ⅲ互补双极硅锗(SiGe)工艺，能够提供无可匹敌的输入性能，其电压噪声仅为2．0nV／rtHz；THS4509以125MSPS的速率以及70MHz的输入频率驱动14位的ADS5500 ADC时，THS4509和ADS5500均可获得最佳性能。     

LTC3418：降压型稳压器

美国国家半导体公司日前宣布推出四款专为便携式电子产品而设计的全新降压直涮直流转换器。LM2770、LM2788、LM2797及LM2798等四款直流／直流转换器都可利用锂电池操作，输入电压范围较宽(2．7V至5．5V)，而且可以输出250mA的电流。LM2797及LM2798两款芯片都设有输入／输出电压监控功能，以免芯片在操作时出现意料之外的功率损耗及不稳定的情况。     

德州仪器推出高电压版电流反馈放大器

日前，德州仪器（TI）宣布推出一款全新高工作电压版本的高速电流反馈放大器。新版本不仅能够达到原器件的快速斜率与建立时间、高带宽以及低输入参考电压噪声，同时还能将工作电压扩展至37V。该款THS3001HV是大信号应用的理想选择，如测量、测试、通信与影像等应用，这些应用要求具有出色的瞬态响应、极低的噪声以及低失真等特性。     

低压差稳压器可设定输出电压

APL5610／A是茂达电子所推出的低压差稳压控制IC,工作时外部需要搭配一颗N沟道MOSFET做为传送组件,IC输入电压操作范围在4．5V～13．5V,内部提供0．8V参考电压,搭配外部负反馈分压电阻可让使用者自由设定输出电压。稳压器的输出电流则由外部N沟道MOSFET来决定,能实现非常高的输出电流,并且能有极低的压差电压。APL5610／A适用于主机板、笔记本电脑等应用。     

15V．双通道3A单片同步降压型稳压器

LTC3634在3．6～15V的输入电压范围内工作，从而非常适用于双节锂离子电池应用以及5V和12V中间总线系统。其采用独特的恒定频率／受控接通时间、电流模式架构，这种架构非常适用于从一个12V输入电源以高开关频率给DDR应用供电。其终端电压VTT设定为VDDQ的1／2，可低至0．6V，准确度为±1．6％。     

奥地利微电子新型DC-DC升压转换器可用0.9V输入电压实现42V输出电压

奥地利微电子推出AS1344高压DC-DC升压转换器,优化用于单电池供电的光电二极管偏置、LCD或PMOLED显示器。在15V输出电压时,AS1344可利用3V或1.5V输入电压分别提供120mA和28mA驱动电流。AS1344的工作电压为单0.9V～3.6V,并提供5.5V～42V的可调输出电压。1MHz固定开关频率允许采用超小型、低成本电感和电容．进而最大限度减小了TPCB尺寸。这种恒频开关操作还可以很容易地滤除可预测的低输出噪声。     

低噪声的高端医疗及仪表专用运算放大器

超低噪声的宽带运算放大器TSH300的额定工作温度-40～＋85℃，采用SO-8和节省空间的SOT23-5L封装，在增益为5V／V（GBP=1GHz）时，输入噪声为0．65nV／√Hz，带宽为200MHz。由于压摆率高达230V／μs，而且线性非常出色（向一个100Ω的负载输入一个2Vp-p的10MHz的输出正弦波，SFDR的测量值为55dBc），TSH300特别适合模数转换器（ADC）的接口应用。     

转换率达95％的高速同步开关稳压控制器

凌特公司(Linear Technology)推出型号为LT1935的SOT-23开关调节器。该2A、40V、1．2MHz的升压型DC／DC转换器采用了ThinSOTTM封装。其2．3V～16V宽输入电压范围能在单节锂离子电池至固定白勺．15V输入电压下工作，而输出电压可达38V。其恒定的1．2MHz开关频率允许设计者可使开关噪声避开噪声敏感的电路，并能采用小型的电容器和电感器。LT1935的NPN开关能实现在2A电流下仅为180mA     

电源

低静态电流LDO ADP124和ADP125在100kHz时均具有60dB的PSRR电源抑制比,并且在1.8V输出时可实现35μVrms的低噪声性能。新款LDO的输入电压范围为2.3～5.5V,输出电流最高可达500mA,输出电压最低为0.8V,静态电流低至210μA,500mA负载时的电压差为130mV,这些特性能够进一步提高便携式设备在宽输入电压范围内的工作效率。ADP124提供1.75～3.3V范围内的31种固定输出电压选项。ADP125利用低静态电流LDO     

一种优化的射频接收前端电路

介绍了一种直接混频的无线局域网802.11b接收机前端电路。在考虑输入寄生的前提下,对射频输入端的阻抗匹配和噪声性能进行了优化;提出了一种适合低电源电压工作的新混频器结构;整个接收前端电路采用直流耦合的方式,增加一个负反馈低通滤波器,以消除直流偏差,减少低频噪声。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,仿真结果显示,整个接收机的噪声系数为5.2 dB,输入三阶交调IIP3为-14.5 dBm。1.8 V电源电压下,功耗为100 mW左右。     

频域法测量相位噪声的理论依据

相位噪声测量常用频谱常用频谱仪进行，具体做法类似于谐波抑制比或载噪比的测量，相位噪声的时域定义是输出电压Uo（t）的相位起伏θn（t），频域表达式可以通过求取射频噪声电压Vo（t）θn（t）Sin（ω。t）的功率谱密度进而求得。通过对相位噪声功率谱密度表达式的讨论，得出的结论是：相位噪声的频域表达式SVn（ω）／（V。／2）就是频域法测量相位噪声的理论依据。     

一种针对小信号探测的低噪声放大器

针对放大器中的直流偏移和低频噪声干扰问题,设计了一种具有4种工作状态的低噪声放大器。该放大器综合利用了斩波技术和自归零技术,通过对噪声进行调制和采样,实现了对以1/f噪声为代表的低频噪声和以失调电压为代表的直流偏移的抑制。鉴于自归零技术是一种离散时间采样技术,该放大器还采用了乒乓结构,通过4种电路状态的交替工作,实现了放大器的连续稳定输出。该放大器芯片基于0.5μm CMOS工艺设计制备,片上面积约1 mm²,供电电压(V_DD)为3～5.5 V,输入共模电压范围为+0.2 V至V_DD-0.2 V。测试结果表明,该放大器的电源抑制比为62 dB,共模抑制比为112 dB。在4 V供电电压和室温条件下,放大器的残余失调电压为4.2μV,在1～400 Hz带宽内的有效输入参考噪声为5.81μV。