配对闭路磁芯Q值的计算

本文推导形状、大小相同而其μ、Q均不相司的两只磁芯配对形成闭路时,Q值的计算方法.     

稀土La掺杂和退火温度对非晶磁芯软磁性能的影响

首先制备La掺杂Fe_(78)Si_9B_(13)合金(Fe Si B-La)非晶带材,然后绕制成环型磁芯,在不同温度下进行退火处理,研究La含量和退火温度对其软磁性能的影响。结果表明,随着La含量的增加,Fe Si B-La非晶磁芯的相对起始磁导率μ_i和饱和磁感应强度B_s呈先增大后减小的趋势,而矫顽力H_c呈先减小后增大的趋势。随着退火温度的升高,Fe Si B-La非晶磁芯的μ_i、B_s、H_c、电感L_s和品质因数Q呈先增大后减小的趋势。     

触变剂对环氧树脂封装铁基纳米晶磁芯软磁性能的影响

用宽为20 mm、厚为25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶带材绕制成环形磁芯,经550℃×100 min晶化退火处理制成纳米晶磁芯,并对其进行环氧树脂封装,分析了触变剂对磁芯性能的影响。结果表明,与封装前相比,封装后纳米晶磁芯的磁导率μ、饱磁感应强度Bs、磁滞损耗Pu、磁芯电感Ls和感应电动势E随着触变剂含量的减小而减小;而矫顽力Hc和剩磁Br则随着触变剂含量的减小而增大。     

彩色电视机用R8×12锂锌铁氧体电感磁芯研制成功

为配合彩电元件国产化,我厂采用LiZn铁氧体研制、定型生产了彩电用R8×12电感磁芯,经上无28厂试用,其性能赶上或超过日本东芝同类产品水平。Q=110～140,L=15μH±5％(f=2.5MHz,n=23匝)。LiZn铁氧体具有高频损耗小,Q值高,居里温度高,烧结温度低等优点,但工艺一致性较差。我们选择了最佳配方和合理工艺,克服了这一缺点。R8×12电感磁芯和LiZn-100双孔磁芯电气性能合格率均达90％以上。     

Ni取代对FeCuNbSiB纳米晶磁芯软磁性能的影响

用单辊法制备了宽20 mm、厚25μm的Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9和Fe_(73.5)Ni_(0.3)Cu_1Nb_3Si_(14.2)B_8合金带材,然后绕制成外径为40 mm、内径为25 mm的环型磁芯,并在不同温度下进行退火处理,研究了Ni取代对合金带材的晶化行为以及纳米晶磁芯软磁性能的影响。结果表明,与FeCuNbSiB合金带材相比,Ni取代的FeNiCuNbSiB合金带材,其一级起始晶化温度Tx1和一级晶化峰温度Tp1降低,其二级起始晶化温度Tx2和二级晶化峰温度Tp2升高,两级起始晶化温度之间的差值ΔTx增大。与FeCuNbSiB纳米晶磁芯相比,Ni取代的FeNiCuNbSiB纳米晶磁芯的起始磁导率μi、饱和磁感应强度Bs减小,矫顽力Hc增大;当测试频率f和最大磁感应强度Bm不变时,有效幅值磁导率μa增大,比总损耗Ps和矫顽力Hc减小;当测试频率f不变时,电感Ls和品质因数Q增大。     

μs级脉冲激励下磁开关磁芯磁特性

为测试磁开关磁芯在μs级脉冲激励下的磁特性,设计并制作了基于没有附加磁芯复位电路的单级磁脉冲压缩系统,3块被测磁芯分别代表铁基非晶、Ni-Zn和Mn-Zn 3种软磁材料。磁芯的磁滞回线由测量所得的磁开关两端电压和电流数据经计算得到,由磁滞回线可知这3种软磁材料在μs脉冲激励下的各种特性参数。通过分析比较这些特性参数可知:铁基非晶磁芯具有最大的磁通跳变,同样的V-s积和匝数时,铁基非晶磁芯所需体积最小;Mn-Zn铁氧体磁芯具有最小的能量损耗,适合高重复频率下的应用;Ni-Zn铁氧体磁芯饱和后的相对磁导率最低,适用于较高压缩增益的磁压缩电路中。     

退火温度对Fe_(73.5)Ni_(0.3)Cu_1Nb_3Si_(14.2)B_8合金带材软磁性能的影响

用单辊法制备的宽20 mm、厚25μm的Fe_(73.5)Ni_(0.3)Cu_1Nb_3Si_(14.2)B_8合金带材,绕制成外径为40 mm,内径为25 mm的环型磁芯。分析了合金带材的晶化行为,研究了退火温度对合金磁芯软磁性能的影响。结果表明,淬火态Fe_(73.5)Ni_(0.3)Cu_1Nb_3Si_(14.2)B_8合金带材为非晶态,一级起始晶化温度Tx1为513.2℃,二级起始晶化温度Tx2为676.9℃,当退火温度升高到550℃,在非晶基体中析出Fe(Si)软磁相,形成了非晶和纳米晶双相共存结构。当退火温度低于550℃时,随着退火温度的升高,合金磁芯的起始磁导率μ_i和饱和磁感应强度B_s增大,矫顽力Hc减小;当最大磁感应强度B_m不变时,合金磁芯的有效幅值磁导率μ_a增大,比总损耗P_s和矫顽力H_c减小;当测试频率f不变时,合金磁芯的电感L_s和品质因数Q增大。     

串珠型磁芯在视频电路中的应用

本文介绍了串珠型磁芯在视频电路(1～1000MHz)中使用的基本原理。分析了串珠型磁芯的阻抗与复数磁导率μ′、μ″的关系,阻抗、电阻与频率的关系。提出了选用串珠型磁芯的原则和步骤。     

加入CaCO_3提高镁锌中短波铁氧体磁芯的短波性能

我厂在生产出口的镁锌铁氧体中短波天线磁芯的过程中,为了克服磁芯的短波性能低的缺点,在原有生产工艺的基础上,大胆地采用了在配方中加入微量的CaCO_3的新工艺,使天线磁芯的短波Q值提高20％左右。产品的性能完全符合部颁标准。     

具有高电阻率的锂钛锌铁氧体

电视机偏转线圈中用的铁氧体磁芯,由于只要求电感、功耗,对Q值并无具体要求,而且电感、功耗要求也不高,比较容易满足。不管用什么系列氧铁体材料,只要磁导率μ≥400,比功耗P≤40mw/g就完全能满足应用。而且前所追求的一个     

退火温度对铁基纳米晶带材伏安特性的影响

采用不同的退火温度,在氩气保护下对制备的铁基纳米晶磁芯标样进行无磁场退火处理,用HD-1型伏安特性测试仪测试处理后的样品的伏安特性,并换算出磁导率,分析退火温度对铁基纳米晶带材伏安特性的影响。结果表明,退火温度对纳米晶带材伏安特性影响很大,535~555℃退火温度处理的样品性能较好。在任一磁场下,545℃退火纳米晶磁芯的磁导率均高于其它退火样品。其起始点、拐点、饱和点三点处的磁导率分别为μi=219 000、μm=668 000、μs=412 000,得出545℃是铁基纳米晶带材伏安特性达到最佳的退火温度。     

并联磁路磁芯磁路常数的确定

本文提出了并联磁芯磁路中计算起始磁导率μ_i及磁芯磁路常数的牛顿迭代法。计算结果表明气隙对磁路的贡献是不可忽略的。μ_i越小,气隙的影响越大。这也证明了“IEC中国国家委员会对补充IEC205号的建议”的合理性。     

热敏磁芯线发热量测量仪

为配合输电线防冰导线的研制,设计制造了热敏磁芯线发热量测量仪。仪器由几个分立的部分组成,具有结构简单,操作方便,测量准确的特点。用制造的热敏磁芯线发热量测量仪对几种金属导线进行了实际测量,测量结果能用电磁理论作较好的解释。     

恒定磁场对镁锌铁氧体性能的影响

一、前言镁锌铁氧体材料,用于制作使用频率从0.5MHz到25MHz、甚至更高频率的各种软磁铁氧体元、器件,可以得到高的Q值。在这个应用频率范围内制作的中波高Q天线磁芯,其性能优于MnZn铁氧体;制作的短波天线磁芯,其性能不亚于NiZn铁氧体;并可生产R20～R4h一系列软磁铁氧体元件,如电视机天线匹配器用R20、R100双孔磁芯;电视机调节电感用     

基于LTCC技术的高频开关电源变压器设计原理和方法

通过对高频开关变压器磁芯工作时能量储存、损耗、传递及工作曲线的分析,应用磁性材料的B-H回线和Q值并结合LTCC工艺特点提出一种LTCC高频开关电源变压器完整的设计思路和方法.文中以反激式高频开关变压器为例阐述了设计过程中的主要要点.用低频电磁场仿真工具Maxwell 2D/3D对计算结果进行仿真验证,在此基础上调整绕组结构和优化磁芯结构参数,得出高频变压器的合理设计方案.     

一种用于无线充电系统的线圈集成设计方法

近年来,无线充电技术在诸多领域已受到越来越多的关注,尤其在电动车领域,无线充电具有广阔的应用前景.为了解决双侧LCC拓扑中补偿线圈增加耦合机构占用空间的问题,提出了一种线圈集成的方法,通过将补偿线圈与主线圈集成在一起,共用磁芯,大幅度减小了谐振网络占用面积与磁芯使用量,提高了系统功率密度.通过搭建Q3D模型,仿真验证了...     

部分磁芯的带绕式脉冲变压器的研制

针对空芯变压器传输效率低的缺点,采取了在带绕式空芯变压器中加入部分磁芯以提高其性能的改进措施。通过比较选择,最终确定用铁基非晶带材料作为磁芯材料,用计算机软件仿真确定只加内磁芯的圆环式结构并根据分析结果制作了初级电感3.1μH、次级电感298.7μH、耦合系数0.87的高功率带绕式脉冲变压器。理论计算和模拟试验得到变压器的变比相一致,部分磁芯变压器是空芯变压器变比的1.2倍,部分磁芯带绕式脉冲变压器的输出电压>635 kV,满足设计和实验要求。     

磁性材料μ_(app)的测量、分档及其电路设计

本文对软磁铁氧体磁芯材料的表观磁导率μapp 的一般测量方法作了分析,并提出了一种能适合自动化生产的测量、分档新方案。对实现这种测量法而设计的电路作了简单的讨论。     

用Q表检验磁芯的一种方法

国内广泛地利用Q表检测软磁性材料的磁性。如图1,待测磁芯电感接于Q表的L_x接线柱,调节电容C或电源频率f,使达谐振     

承烧材料对MnZn铁氧体磁性能的影响

研究了莫来石承烧材料与底层磁芯之间的相互作用及其对MnZn铁氧体磁芯性能的影响。结果表明,受承烧材料影响,底层磁芯性能下降,其主要原因是Zn挥发引起的成分偏离。成分分析证实磁芯接触端面有Si4 渗透产生的侵蚀层(厚度约100μm);物相分析证实Al2O3与ZnO反应生成ZnAl2O4异相物质是Zn挥发的主要途径,两者同时作用导致材料性能严重恶化。