如何有效提高光刻掩模版的使用寿命

本文从接触式光刻技术的角度出发，对引起光刻掩模版局部损坏的可能原因进行分析，并根据遇到的具体情况，提出改进方法，开发新的生产工艺技术，使接触式光刻机掩模版的寿命有了很大的提高，对提高产品的成品率和降低生产成本也有非常重要的意义。     

掩模版复印工艺图形畸变分析与改进

批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域。在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变。为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法。实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本。     

高分辨率丝网掩模版制作工艺研究

简要介绍了目前丝网掩模版制作的几种方法，重点介绍了影响“直接感光胶乳剂膜”和“毛细管软片乳剂膜”两种掩模版质量各种可能因素。针对掩模版制作工艺中的常见问题，提出了解决办法。     

用光学制版设备制作1μm光掩模版

本文研究了用常规光学制版设备制作微细线条光掩模的加工技术,分析了精缩机,初缩版(原版)、化学处理、工艺环境在1μm光掩模版制作中的作用和要求。研制结果表明,采用反差大、过渡区小的初缩版,在严格聚焦的情况下进行分步精缩制版,精确控制显影和腐蚀时间,就能够制作出1μm条宽的光掩模版。     

采用PMMA LB膜作为电子束抗蚀层进行100mm高分辨率铬掩模版的制作研究

在发展流动亚相法制备高粘度聚合物分子单层膜装置的基础上，研究制备大面积，高质量的ＰＭＭＡ ＬＢ膜抗蚀层，并用于１００ｍｍ Ｃｒ掩模版的电子束光刻制造技术中，采用现行标准的湿法工艺获得了分辨率为０．５μｍ，特征线宽为０．３８μｍ的高分辨率１００ｍｍ铬掩模版，为深亚微米掩模版制造的研究探索了一条新路。     

掩模版雾状缺陷的解决方案

在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷(haze defect)越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因.目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷,通过对这两种方案的对比表明,对掩模版的存储环境进行改善,可有效降低掩模版雾状缺陷的发生频率,提高掩模版的使用寿命,并且整体费用较低,是目前比较可行的方案,掩模版的无S化工艺也是未来发展方向.     

光刻掩模版的低温气溶胶清洗探究

介绍了CO₂低温气溶胶干洗技术的机理和清洗效果。描述了基于动量传递的颗粒去除理论模型,验证了亚微米颗粒的去除效率高于较大颗粒。用Si₃N₄颗粒在硅片上的实验结果表明,亚微米颗粒的去除率比30μm以下的较大颗粒高10%。介绍了该技术在光刻掩模版清洗中去除各种污染颗粒的实验结果。光刻掩模版的机械修复后清洁结果表明,石英颗粒被有效去除,而不会损坏相邻图形的线条。无机污染物,如硫酸铵,通过低温气溶胶清洗去除,效率达到99%,如使用光学检测工具所见。通过多次清洗测量清洗对掩模相位和透射的影响。结果表明,在16次清洗循环中,传动比变化为0.04%,相位变化为0.37°。因此,可以使用CO₂低温气溶胶可以对来自掩模版的亚微米颗粒进行非侵入性清洁。     

兆位级DRAM掩模版的检测技术

针对华晶科研所设计的JSC71095CFAR电路来阐述兆位级DRAM掩模版的质量要求，从而建立兆位级掩模版检测程序，以及切实有效的质量参数指标。并重点描述掩模版“0”缺陷的实现和CD尺寸、套准精度的测试技术及SPC质量统计技术。     

Laser Process Proximity Correction for Improvement of Critical Dimension Linearity on a Photomask

We report on the improvement of critical dimension (CD) linearity on a photomask by applying the concept of process proximity correction to a laser lithographic process used for the fabrication of photomasks. Rule‐based laser process proximity correction (LPC) was performed using an automated optical proximity correction tool and we obtained dramatic improvement of CD linearity on a photomask. A study on model‐based LPC was executed using a two‐Gaussian kernel function and we extracted model parameters for the laser lithographic process by fitting the model‐predicted CD linearity data with measured ones. Model‐predicted bias values of isolated space (I/S), arrayed contact (A/C) and isolated contact (I/C) were in good agreement with those obtained by the nonlinear curve‐fitting method used for the rule‐based LPC.     

一种新颖的光罩可制造性规则检查方法与系统

介绍了一种较为先进的光罩可制造性规则检查的方法及其系统构成.实验结果表明,通过整合各种EDA工具,在光罩检验前就可发现这些可能给光罩检验造成困难的图形,为后续光罩检验步骤提供参考,显著提高了光罩检验的效率.     

基于时序分析的光刻版清洗机运行效率提升方法

光刻版清洗机是典型的多轴运行类自动化清洗设备,清洗效率的提升是此设备的关键技术之一。介绍了一种基于时序分析的提升该设备运行效率的方法,实验证明此方法通过对控制时序的分析和优化,有效提升了设备的运行效率。     

利用等离子体表面预处理改善光掩模IP胶显影工艺特性

IP胶亲水性较差,在显影时易造成显影不完全。介绍了一种在显影前适当增加等离子体表面预处理,以提高IP胶表面微粗糙度,进而改善IP胶显影特性的方法。研究表明,这种方法可有效地提高IP胶的亲水性和显影均匀性,其中静态接触角可从原来的77°降至45°,而IP胶的厚度损失仅为3 nm~5 nm;同时,还可有效降低由于胶表面的颗粒污染所造成的铬金属点缺陷数量,即从原来的4颗/块降至0.53颗/块。除此之外,这种方法还非常有助于提高具有密集图形和带孔掩模版的图形分辨率和成品率,其中成品损失率可从原来的14%降至处理后的2%。     

光刻版清洗工艺及设备研究

光刻版的洁净程度直接影响到光刻的效果,定期对光刻版进行清洗是保证光刻版洁净的必要手段。根据光刻版污染物的特点介绍了多种光刻版清洗工艺及相关设备的种类及组成．最后通过试验考查了工艺设备的使用效果。     

光刻版清洗工艺及设备研究

光刻版的洁净程度直接影响到光刻的效果,定期对光刻版进行清洗是保证光刻版洁净的必要手段。根据光刻版污染物的特点介绍了多种光刻版清洗工艺,并介绍了相关工艺设备的种类及组成．最后通过试验考查了工艺设备的使用效果。     

基于准分子激光工艺制作X射线光掩膜

LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得到雏形,同时也能够降低制作的掩膜版的成本。分析讨论了基于电子束制作掩膜版和基于准分子激光制作掩膜版两种方法,得出了准分子激光制作的掩膜在成本和时间上都有优势的结论。将通过准分子激光技术制作的掩膜置于X射线下,在PMMA基板上可以加工很好的三维微结构。通过依次直接激光烧蚀金薄膜可以加工具有一系列微球状结构的吸收体图形,再将此图形转写到PMMA基板上,可以得到的最低像素为25μm。     

碳膜按键工艺研究

该文阐述了按键碳膜工艺的主要技术难点与改进方法。     

过程和产品质量保证实施要因分析

过程和产品质量保证(PPQA)是CMMI实施中较难得到贯彻的过程,针对目前许多企业普遍未建立良好软件工程化的现状,本文阐述了PPQA的活动目标、内容和实施过程,分析了成功实施PPQA活动的关键因素,对企业实施过程改进具有实际意义.     

光掩模现状与展望

0．09μm工艺用掩模在国外进入批量生产,0．065μm对应掩模成为研发重点,新一代电子束投影曝光技术、低加速电压电子线等倍接近曝光技术、超紫外线曝光技术的候补技术光掩模的研究与开发已成为备受关注的课题。国内光掩模制造业仅能够满足国内中低档产品市场的要求。