生产干式全膜电力电容器的设想

1　干式全膜电力电容器的依据根据物理学基础知识 ,可以推导出电力电容器元件电容计算公式 :Cy=Dcp·ε· Wy· bm1 .8× 1 0 6dj( 1 )原苏联从事电力电容器事业的科技工作者根据元件极板中 ,固体介质之间存在间隙的实际情况 ,在公式 ( 1 )中引进了压紧系数k,此时公式 ( 1 )可写成 :Cy=Dcp·ε· Wy· bm· k1 .8× 1 0 6dj现在生产全膜电容器时 ,元件电容计算公式相应可写成 :Cy=Dcp·εf· Wy· bm· k1 .8× 1 0 6nmdm( 2 )式中 :Dcp—元件平均直径 ;bm—元件极板铝箔宽度 ;εf—油膜复合介电系数 ;Wy—元件圈数 ;nmdm—极板间固体…     

自愈式低压并联电容器元件计算公式

1　前言计算自愈式低压并联电容器元件的公式很多 ,本文介绍的是该类产品元件的另一种计算公式。自愈式低压并联电容器 ,是由金属化膜卷绕成园柱形元件 ,因该类产品以簿膜为介质 ,仍属于全膜电力电容器范畴 ,所以只要在油浸式全膜电力电容器元件计算公式中 ,体现出自愈式低压并联电容器元件结构的特征 ,即可得到自愈式低压并联电容器元件计算公式。2　自愈式低压并联电容器元件电容 Cy根据油浸式全膜电力电容器元件电容通用计算公式 :Cy=εmεy Wybj[(2 DH+ 4Wydjb) k+ (4 Wy+δ) nmdm]3 6nmdm[εyk+εm(1-k) ] 10 5式中 :εm—簿膜介电…     

再谈生产干式全膜电力电容器

由行业内普通使用的电容器元件电容计算公式 Cy=εWybmDcpK/18dj105(1) 可以推导出元件为扁平状,油浸式全膜电力电容器元件电容通用计算公式:     

再谈生产干式全膜电力电容器

目前，元件为扁平状，油浸式全膜电力电容器和自愈式金属化膜电容器已生产多年，唯有元件为扁平状，干式全膜电力电容器，因压紧系数K难于控制，至今尚未生产。本人曾在2002年第一期《电力电容器》杂志上发表文章指出：在电力电容器生产过程中，可以控制压紧系数K=1，从而可以生产干式全膜电力电容器。     

介绍膜纸复合电力电容器元件电容、场强计算公式

目前,我国电力电容器行业,在设计膜纸复合电力电容器(简称膜纸复合电容器),计算其元件电容和元件极间介质纸和膜上的场强时,都是按电机工程手册第二十九篇“电力电容器”推荐的公式进行计算,由推荐的一整套计算公式可知,设计一台膜纸复合电容器,需要很多计算时间,尽管如此,也仅仅计算了原材料额定值时元件电容和元件纸、膜上的场强,而原材料(纸、膜、铝箔,浸渍剂)是在其公差范围内不断变化,不是固定不变的额定值,所     

干式自愈式高压并联电容器组的应用探讨

本文旨在针对此类电容器的特点对安徽电网(具体以马鞍山电网为例)应用干式自愈式高压并联电容器的可行性进行探讨。 一、干式自愈式电容器的特点 1.自愈式电容器元件工作原理 干式自愈式高压并联电容器所用元件为自愈式电容器元件。普通的铝箔电容器元件是在两层铝箔电极间夹入绝缘介质(膜纸复合或全膜)经过卷制、压装、焊接、真空干燥处理和液体浸渍而成。因介质存在电弱点,     

工频叠加谐波电压下温度对全膜电容器绝缘介质击穿特性的影响北大核心CSCD

随着非线性用电设备在工业领域的大量应用,电网中的谐波含量日渐增多,对应用于系统中的全膜电容器带来很大的危害。为了研究工频叠加谐波电压下温度对全膜电容器绝缘介质击穿特性的影响,文中以全膜电容器元件为对象,在40、55、70、85℃下分别对全膜电容器元件在工频电压、工频叠加3次谐波电压、工频叠加5次谐波电压下进行了短时击穿试验,得到了工频叠加谐波电压下温度对全膜电容器绝缘介质击穿特性的影响规律。试验结果表明,在相同电压类型下,全膜电容器绝缘介质的击穿场强随着温度的升高而下降。且在40~85℃的范围内,全膜电容器元件在同一温度下的特征击穿场强随着谐波次数的增大而降低。     

电力电容器进行直流耐压试验的危害

对全膜绝缘介质电容器进行直流耐压试验的危害进行了理论分析和试验研究 ,结果表明全膜绝缘介质电容器进行直流耐压试验 ,无论是电压分布的机理 ,还是试验效果同交流都是不一样 ,直流耐压试验中将发生故障元件检出率低和电压分布不均匀等现象 ,并导致绝缘良好的元件击穿。建议全膜电容器不使用直流耐压试验     

金属化膜电容器的损耗分析及损坏机理

金属化膜电容器的损耗分析及损坏机理桂林电力电容器厂郭大德１全属化膜电容器的等值回路金属化膜电容器的元件是由两张单面蒸涂金属的膜绕卷而成。元件电流的引出是靠在元件两端面喷以金属层来实现的。如图１及图２。Ｒ；为膜上金属层的横向电阻；Ｒ。为导电部分的电阻，...     

自愈式电容器元件计算公式的简化

自愈式电容器元件一般采用园柱形结构,元件设计主要任务是确定以下技术参数:元件电容量(c);介质有效宽度(b);介质厚度(d);介质介电常数(ε);元件芯轴直径(D_x);极板有效长度(L);有效圈数(N);     

金属化膜和金属化T型安全膜在直流支撑电容器中的对比试验研究

通过对同一基膜,采用均匀蒸镀和T型蒸镀的金属化膜制作的元件进行各项性能对比试验研究,研究两种金属化膜的性能及差异;通过直流支撑电容器进行产品性能更深入的研究,验证国产金属化膜直流支撑电容器综合技术水平,促进柔性直流输电工程用直流支撑电容器及主要材料的国产化发展。     

特高压串联电容器用国内外PP膜性能对比试验研究

通过对中国首条特高压串补装置中串联电容器的研制过程所做的试验研究,包括国内外PP膜的理化、电气性能,电容器元件的击穿电压,产品多项特殊耐电压试验研究,得出了国外膜和国内膜及国外膜和国内膜浸渍C101D或浸渍M/DBT没有规律性差别的结论。     

并联电容器绝缘介质的击穿性能研究

全膜电容器用介质为聚丙烯薄膜,由于其具有击穿场强高、介质损耗低、比特性好、安全运行可靠等一系列优点,广泛用于电力系统用并联电容器的制作.本文以并联电容器为研究对象,在元件浸渍和不浸渍的条件下分别研究了并联电容器绝缘介质在交、直流电压下的击穿特性,对击穿数据和元件的击穿点位置做了统计,并对试验现象进行了分析.试验结果表明,在浸油的条件下,全膜电容器绝缘介质在交流电压下的平均击穿场强为279.05 V/μm,且击穿易发生在元件的中间区域;在直流电压下的平均击穿场强为435 V/μm,且击穿易发生在元件的电极边缘处.     

高压并联电容器的内部元件故障保护分析

通过对典型结线的电容器内部元件故障状况的计算分析,提出电容器保护的任务是限制事故范围,避免发生由电容器着火而扩大为变电所、电力系统事故。电容器内部元件故障保护应以不平衡保护为主,其动作定值按元件故障率a_1=35%～50%确定、时间定值t=0.1s;三相电容器组不允许缺台不平衡运行。     

T型金属化安全膜电容器温度场仿真

T型金属化安全膜电容器除具备普通自愈式电容器的自愈性外,其膜块化电极提供的第二次保护作用阻止了电容器自愈失败的进一步发展,而极板结构改变引起的温度变化极大地影响了电容器的运行性能及寿命。本文在介绍内部热量产生及散失的基础上,利用ANSYS Workbench15.0对T型金属化安全膜电容器进行温度场仿真,探究膜块宽度与熔丝宽度比、环境温度对电容器最高温度的影响,推导出各影响因素与最高温度的对应关系,为关键尺寸的设计提供校验方法。     

生产干式全膜电力电容器的设想

1 干式全膜电力电容器的依据 根据物理学基础知识,可以推导出电力电容器元件电容计算公式:     

6～1O仟伏並联电容器组的保护

一、电容器内部故障的保护 1—1 电容器的内部故障电容器内部系由若干电容元件串并联组成,当其中一个元件被击穿,与之并联的元件被短接,其余串联元件承受的电压即增高,以致第二个串联元件又被击穿,如此类推,各个串联元件会相继击穿。若单相电容器内部共有p个串联元件,每个元件电容为Cp;并当电容器内部有m个元件被击穿,其击穿系效β表示为β=m/p;这时电容器内部健全元件的电容Cφ计算为:     

交直流复合电压下温度和膜厚对金属化膜击穿特性影响研究

本文对不同温度和不同膜厚条件下的交直流电场叠加下的金属化膜的击穿特性进行了试验研究,试验结果表明,金属化膜的击穿强度随着温度的升高和膜厚的增加而下降。因此本文建议在金属化膜电容器设计过程中采用一定优化元件的排列方式以加强散热,在其运行过程中要采取一定的冷却方法来降低金属化膜电容器的温度以提高电容器的绝缘性能,在选择电容器膜厚的时候可以根据其所处的电压等级进行选择并根据实际条件综合考虑。本文的研究成果能够给金属化膜电容器的绝缘性能设计以及工作性能的优化提供参考。     

浸渍剂和压紧系数对全膜电容器端部电场分布的影响研究

全膜电容器边缘处的电场畸变是影响电容器元件击穿的重要因素之一.为研究浸渍情况和压紧系数对全膜电容器电场分布的影响,对电容器端部进行建模,通过改变浸渍情况和压紧系数,计算不同参数下电容器端部的电场分布情况,结果表明:未浸渍情况下电场最大值集中在折边处两侧,浸渍情况下场强在折边圆弧处分布较为均匀.同时发现,在浸渍情况下增大压紧系数K可以明显改善全膜电容器端部电场的分布情况.     

电容器元件温升的计算

电容器元件的温升计算是电容器热计算的重要内容之一。到目前为止,我国的科技人员使用的计算方法有两种,公式差别很大。本文在公认的电容器传热模式的基础上,用严格的数学方法,导出了元件温升计算的公式,指出了过去所用的两种公式中的毛病及概念不清的地方。本文导出的公式既适用于全纸介质、纸膜复合介质的电容器,也适用于全膜介质的电容器。对于全膜电容器元件温升计算中一些概念上应特别注意的地方,作了详细说明。