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DS1620数字温度传感器及恒温控制器在测温时,输出9位温度读数,并有三个温度信号输出。它也可用作恒温控制器。该器件特点是:无需外围元件;测量温度范围从-55~+125℃,分辨率为0.5℃;转换速度为1秒;控制的上下限温度由用户设置,储存于非挥发存储器中;由三线串行口实现数据读与写。该器件可应用于工业温度测量及控制系统、恒温箱及烘箱、测温系统等。 该器件的内部结构框图如图1所示。由三线串行接口与器件相应的CLK、DQ、(?)端连接,实现数据的写入及温度读数的输出,以及三个温度控制信号T_(HIGH)、T_(LOW)及T_(COM)输出。 相似文献
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由于半导体激光器对温度变化很敏感,因此稳定激光器的光输出是一个重要问题;温度的变化和器件的老化给激光器带来的不稳定因素主要表现为:(1)激光器的阈值电流随温度成指数变化规律,并随器件的老化而增加,从而使输出光功率发生变化。(2)随着温度升高和器件老化,激光器的电光转换效率降低,从而使得输出变化; 相似文献
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MAX6687/6688外接一个PN结温度传感器(或接入器件内部的PN结温度传感器)可组成远地温度开关,而器件内部有一个本地温度传感器,因此可组成本地/远地温度开关。器件主要特点:可用两个管脚来编程本地温度开关阈值温度,有+40~+85℃、+75~+115℃两个范围。温度的间隔为5℃;远地阈值温度+120℃(后缀为L)及+125℃(后缀为H)由工厂设定;MAX6687与MAX6688的差别是输出结构不同,MAX6687是开漏输出结构(要外接上拉电阻),低电平有效;MAX6688是CMOS推挽输出结构,无需外接上拉电阻,高电平有效,可供用户选择;阈值温度精度为±1.5℃;温度采样率为… 相似文献
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设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出。后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积。基于65 nm/3.3 V CMOS RF器件模型,在Cadence IC设计平台进行原理图和电路版图设计,并对输出参考电压的精度、温度系数、电源抑制比(PSRR)和功耗特性进行了仿真分析和对比。结果表明,在3.3 V电源和27℃室温条件下,输出基准电压的平均值为765.7 mV,功耗为0.75μW;在温度为-55~125℃时,温度系数为6.85×10~(-6)/℃。此外,输出基准电压受电源纹波的影响较小,1 kHz时的PSRR为-65.3 dB。 相似文献
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依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路.该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比.Hspice仿真结果表明,在电源电压VDD=3.3 V,温度T=25℃时,输出基准电压Vrd=1.25 V.在温度范围为-45℃~ 85℃时,输出电压的温度系数为20 pm/℃,电源电压的抑制比δ(PSRR)=-58.3 dB. 相似文献
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超磁致伸缩材料(GMM)的能量密度高,导热性相对较好,但是对外界温度比较敏感,故其性能受温度的影响较大。该文采用数值分析软件COMSOL Multiphysics,研究了温度对超磁致伸缩换能器动态输出特性的影响。结果表明,在相同加载时间下,随着温度升高,换能器输出位移的振幅和余震降低,输出频率集中在7.5kHz;在室温(20℃)下,随加载时间的缩短,振幅先增后减,余震显著增强,输出频率有小范围增大;考虑温度对杨氏模量的影响时,随温度升高,输出位移的振幅明显降低,余震有微小的降低,输出频率主要集中在10kHz内。 相似文献
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针对光寻址电位传感器(LAPS,light addressable potentiometric sensor)测量精度易受温度 影响的问题,提出一种基于支持向量机(SVM)的LAPS温度补偿方法。根据在多温度条件下LAP S传感 器对缓冲液pH的实测数据,利用SVM建立LAPS温度补偿模型,通 过核函数把LAPS输出饱和光电流与温度间的非线性关系映射到高维特征空间,在高维空间中 用线性回归实 现该映射的非线性处理,对LAPS的温度特性进行非线性逼近,补偿温度对LAPS输出的影响。 实验结果表 明,在(20±1)、(20±2)和(20±5) ℃温度变化情况下,经过温度补偿后LAPS系统输出 pH的标准偏差 分别为补偿前的1/3、1/4和1/6,均小于0.05pH,LAPS 温度补偿算法可以明显补偿温度影响,提高LAPS的测量精度。 相似文献
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(上接第16期) 由于半导体激光器对温度变化很敏感,因而稳定激光器的光输出是一个重要问题.温度的变化和器件的老化给激光器带来的不稳定因素主要表现为:①激光器的阈值电流随温度成指数规律变化,并随器件的老化而增加,从而使输出光功率发生变化.②随着温度升高和器件老化,激光器的电光转换效率降低,从而使输出发生变化,另外随着温度的升高,半导体激光器的发射波长的峰值位置移向长波. 相似文献
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通过Vth与VT(热电压)相互补偿原理,提出一种新型非带隙CMOS电压基准源,其输出基准电压具有极低温度系数.采用0.34μmFoundry18工艺模型和Candance Spectre EDA工具对电路进行模拟验证,获得以下结果:输出电压为552.845mV(T=27℃,VDD=3.3V),温度系数为1.98ppm/℃(-30℃℃~+130℃),功耗为21.85μw.电源电压从2.5V变到4.5V,输出电压的变化为0.15%(相对于VDD=3.3V时的输出).该电压基准源可望应用于高精度、低功耗IC系统的设计研发. 相似文献
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本文报道了一种基于光纤激光器内腔调制的温度传感系统。将基于单模-保偏-单模(SPS)的光纤Sagnac干涉结构作为滤波和温度传感器件插入光纤激光器内腔中,采用激光器 内腔调制技术实现了高分辨率的温度测量。传感系统的输出信噪比(SNR)可 达到59dB,半 高宽(FWHM)小于40 pm,在40 ℃温度范围内的灵敏度为0.641 mW/℃,温度分辨率 达到了1.56×10-6 ℃。传感系统具有结构简单、输出稳定的 特点,有望应用于工业生产、环境监测、海洋科学研究等领域。 相似文献
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N/A 《激光与光电子学进展》1967,4(11):23
美帝标准电信实验室的多布森(C. D. Dobson)已成功地用砷化镓研制出一种半导体激光器,在77 °K(液氮温度)处运转时,峰值脉冲输出为150瓦,平均输出为1瓦。还克服了表面损坏的问题。 相似文献