高效发光二极管

加州尼特雷斯公司宣告，他们已发展一种InGaN基发光二极管，其量子效率达20%。这种二极管发射近紫外光和紫光，波长405 nm，在20 mA时输出功率12 mW，占总输出功率的12%。公司将研究生产高效发光二极管，波长与固态白光照射时所用的磷光吸收带匹配更好。白光发光二极管用紫外或近紫外光激发产生磷光，发射混合色的光，接近消色。有潜力把效率提高，比白炽灯的效率高2～3倍，寿命达5～10年。     

基于AlxGa1-xN/InyGa1-yN DBR谐振腔的单片集成白光LED

本文设计和研究了含有蓝光和黄光两个量子阱有源区的单片集成白光发光二极管(LED)。为了提高黄光在混合光中的比例,我们采用AlxGaN1-x/InyGa1-yN 分布式布拉格反射镜(DBR)构成谐振腔对黄光的提取效率进行加强以增大其出射光功率。模拟结果表明,优化设计的谐振腔LED有利于得到高品质白光出射。     

具有相分离InGaN有源层的白光发光二极管

韩国Kwangju理工学院光电子材料中心和材料科学工程系利用相分离InGaN有源层，无需添加荧光材料，制造出了白光发光二极管。这种二极管的白光发射归因于分离相InGaN三元合金中铟组分和类量子点富铟区域尺寸的宽分布。     

蓝光波段顶发射有机发光二极管

针对顶发射有机发光二极管(TEOLEDs)中的微腔效应会增加蓝光波段TEOLEDs的制作难度这一问题,提出利用高透明金属阴极并结合在阴极表面生长增透膜的方法来减小二极管阴极的反光性,从而抑制二极管中的微腔效应(这里主要是指多光束干涉);同时利用宽角干涉对器件结构进行设计来改善二极管的蓝光强度,制备了基于有机蓝光材料4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl的顶发射有机发光二极管;优化了增透膜的厚度,研究了增透膜对于二极管电光性能的影响;得到了性能(亮度、效率、色纯度等)可以与底发射有机发光二极管相比的蓝光波段TEOLEDs.     

多孔硅衬底上ZnS薄膜的白光光致发光

通过脉冲激光沉积（PLD）技术在多孔硅（PS）衬底上制备了ZnS薄膜。用光致发光（PL）的方法观察到白光发射,这个白光是由ZnS薄膜的蓝、绿光和PS的红光叠加形成的。白光光致发光谱是一个从450nm 到700nm的较强的可见光宽谱带。同时研究了激发波长、ZnS薄膜的生长温度、PS的孔隙率和退火温度对ZnS/PS光致发光谱的影响。     

纳米晶彩色电致发光显示器

目前大部分全彩色显示器仍然不能直接产生彩色图像 ,如阴极射线管需要一个电子枪发射电子束来激发荧光物质 ,而液晶显示器和薄膜晶体管显示器则需要用白光光源和滤光片来实现彩色图像显示。但实现彩色显示需要的红 (R)、绿 (G)和蓝 (B)色的直接发射并不复杂 ,发光二极管、有机发光二极管以及等离子体二极管不久将会形成更高标准的替代技术。Munich大学的研究人员正在研究一种新的令人感兴趣的替代方法 ,即发光纳米晶体的电场定向逐层组装技术 (electric field directedlayerbylayerassembly ,EFDLA)。该技术可实现由微粒尺寸预选发射光…     

白色有机发光二极管

台北市化学研究所的科研人员利用精确控制红、绿和蓝发光层厚度的方法研制了一种可发射明亮白光的有机发光二极管。在15V电压时,其发光强度为24700 cd/m2。该二极管可应用于平板显示器和显微镜光源中。     

多孔β-SiC薄膜的蓝光发射

通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了β-SiC薄膜,用HF酸(40%)和C2H5OH(99%)的混合溶液对β-SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理,形成了多孔β-SiC(PSC)薄膜.利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光(PL)特性,用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察了样品腐蚀前后的表面形貌.结果表明:多孔β-SiC薄膜具有较强的蓝光发射特性;通过改变腐蚀时间,可以改变蓝光发射的强度,也可以观察到蓝光-红光同时发射的现象;降低HF酸的浓度,蓝光发射峰明显变弱,并对多孔β-SiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论.     

多孔β-SiC薄膜的蓝光发射

通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了βSiC薄膜,用HF酸(40 % )和C2 H5OH(99% )的混合溶液对βSiC薄膜进行了电化学腐蚀处理,形成了多孔βSiC(PSC)薄膜.利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光(PL)特性,用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM )观察了样品腐蚀前后的表面形貌.结果表明:多孔βSiC薄膜具有较强的蓝光发射特性;通过改变腐蚀时间,可以改变蓝光发射的强度,也可以观察到蓝光红光同时发射的现象;降低HF酸的浓度,蓝光发射峰明显变弱,并对多孔βSiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论.     

SJ／T 11394—2009《半导体发光二极管测试方法》概要

本标准代替SJ/T 2355.1～2355.7-1983<半导体发光器件测试方法>系列标准. 范围 本标准规定了半导体发光二极管(以下简称器件)的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法,适用于可见光、白光半导体发光二极管.紫外发射二极管、红外发射二极管、半导体发光组件和芯片的测试可参考执行.     

分子束外延ZnSe/ZnSxSe1-x超晶格光学特性

用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的ZnSe/ZnSxSe1-x(x=0.12)超晶格结构，通过X射线衍射谱和光致发光谱，对其结构特性和光学特性进行了研究。结果表明：在4．4K温度下，超晶格样品显示较强的蓝光发射，主发光峰对应于阱层ZnSe的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ZnSe薄膜的自由激子峰有明显蓝移。从理论上分析计算了由变就和量子限制效应引起的自由激妇峰位移动，理论和实验结果相吻合。     

蓝光激光器光辉的未来

蓝光激光器光辉的未来最近，研制蓝光二极管激光器和蓝光发光二极管的突破预示着更高容量ＣＤ－ＲＯＭ光盘、更亮投影显示器和替代现今短寿命光源日子的到来。虽然今后３～４年时间还不能使蓝光激光器商业化，但研究人员确信，到本世纪末，蓝光激光器将取代较为低效的红光...     

用白光发光二极管实现节能照明

日本山口大学的田口常正教授将超高亮度的白光发光二极管用作光源 ,使新一代节能照明达到实用化。这个世界最早试制太阳能电池节能路灯的实验 ,证实了该节能照明光源远远超过白炽灯泡或荧光灯的亮度和节能效应。这项研究是田口常正教授作为项目负责人的通产省“2 1世纪之灯光计划”项目的内容之一。白光发光二极管是在蓝光发光二极管的表面上涂敷互补色黄色荧光体而得。将 70 0个白光发光二极管装在 2 8cm× 13cm的罩上制成光源。试制的每个路灯要安装两个这样的光源 ,还要内装太阳电池和蓄电池 ,不用外部供电电源也能在夜间自动点灯。将这…     

台湾研制成功量子点白光LED

台湾工业技术研究所已研制成功一种基于量子点的白光发光二极管(LED)。研究人员通过将一种混合有机分子覆盖在多面体ZnSe量子点上形成冠状结构,并采用紫外辐射激励的量子点,从而获得了白光LED。     

台湾研制成功量子点白光LED

台湾工业技术研究所已研制成功一种基于量子点的白光发光二极管（LED）。研究人员通过将一种混合有机分子覆盖在多面体ZnSe量子点上形成冠状结构，并采用紫外辐射激励的量子点，从而获得了白光LED。     

信息

用于LCD背投的有机发光二极管(OLED)达到了18.4 lm／W的效率 美国Universal Display以及日本Toyota公司的研究人员们报道,他们研制了一种红-绿-蓝色(RGB)的有机发光二极管(OLED),它发射出效率为18.4 lm／W、36 cd／A的白光以及在亮度为1000 cd／m2时,具有16％的内在量子效率.相比传统的小分子OLED的荧光发光,这种新器件依赖于更有效率的磷发光,实现了RGB三种全色发光.色彩表现系数为0.79,这对于白光照明是一个可被接受的范围,但是由于该器件的有意向的应用是液晶展示     

白光LED风头正盛UV LED工艺技术大有可为

发光二极管从发明到现在已经有三十多年的历史,从早期仅能应用于低亮度的红、黄、绿指示灯到由于外延片与工艺技术大幅进步,红、琥珀、绿与蓝色高亮度发光二极管(LED)相继问世,而1996年日亚化学所将蓝光LED与黄色荧光粉相结合成功制作出白光LED,更为照明光源带来新希望.     

HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析，分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试，在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射，认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发．然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。     

LED点亮多彩照明——白光LED风头正盛 UV LED工艺技术大有可为

发光二极管从发明到现在已经有三十多年的历史,从早期仅能应用于低亮度的红、黄、绿指示灯到由于外延片与工艺技术大幅进步,红、琥珀、绿与蓝色高亮度发光二极管(LED)相继问世,而1996年日亚化学所将蓝光LED与黄色荧光粉相结合成功制作出白光LED,更为照明光源带来新希望.     

氧分压对纳米ZnO薄膜光致发光特性的影响

采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪及荧光分光光度计研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光致发光特性的影响.结果表明,当工作气压恒定时,合适的氧分压能够提高ZnO薄膜的结晶质量.对样品进行光致发光测量时,所制备ZnO薄膜样品在400 mm左右出现较强紫光发射,在446 nm出现蓝光发射,经分析认为紫光发射来源于激子复合,而446 nm左右的蓝光发射来源于ZnO薄膜内部的Znj缺陷.