基于LTCC技术的手机天线开关滤波器

采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。     

一种Ku频段机载同轴双工器设计

为实现Ku频段双工器的小型化,以便适于对体积和重量有严格要求的机载环境使用,提出了一种Ku频段机载同轴双工器设计方法.该方法使用两个同轴带通滤波器构成双工器实现小体积,采用等效电路对带通滤波器进行设计,采用群时延拟合法利用仿真软件对T型接头尺寸进行优化设计,并给出了详细设计过程.实物测试结果表明,所设计的Ku频段同轴双工器体积仅为70 mm×29 mm×12 mm,插损小于0.9 dB,隔离大于80 dB,已在多个工程中得以应用.     

C波段超宽带微型LTCC带通滤波器设计

基于低温共烧陶瓷(Low temperature co-fired ceramic,LTCC)技术设计了一款C波段超宽带、高抑制的带通滤波器,并通过LTCC技术对滤波器进行加工制作,满足了小体积、高性能、密集封装的应用需求。滤波器整体上采用了低通滤波器与高通滤波器串联的结构实现超宽通带,并引入传输零点来增加带外抑制,采用垂直叉指电容和双层螺旋电感来减少滤波器体积。最终实现的滤波器通带的中心频率为5.3 GHz,带宽为3 GHz,通带内插损小于0.8 dB,在DC～3 GHz处抑制达到了36 dB,在8～14 GHz处抑制达到了35 dB,通带回波损耗为12 dB。滤波器体积为：1.8 mm×1.0 mm×0.7 mm。     

基于巴特沃斯低通滤波器的毫米波宽带低插损限幅器研究

基于巴特沃斯（最大平坦型）低通滤波器模型,研究了毫米波限幅器在小信号时的等效电路．结合限幅电路电磁场仿真模型,分析限幅二极管物理模型的寄生参数和键合金丝电感,提取相应的S参数,以设计限幅器的阻抗匹配网络,研制出了Ka波段全频段低插损限幅器．在26～40GHz ,测得限幅器小信号插损小于4.3dB ,最小插损2.2dB ,驻波比小于1.95∶1;当输入的连续波功率为0.5W时,限幅输出功率小于10.5dBm;整个限幅器尺寸为20×12×6mm3,限幅器性能达到国外同类产品水平．     

基于LTCC技术的S波段双工器的设计

借助低温陶瓷共烧(LTCC)技术和三维叠层结构的设计方法,设计了有限传输零点的带通滤波器(BPF),然后通过匹配网络设计了一种S波段双工器,利用HFSS仿真软件对其对其参数进行了仿真优化。该双工器尺寸为18.4mm×15.8mm×0.6mm,在2.06GHz和2.21GHz处的插损小于-3.72dB,在1.87GHz和2.32GHz处衰减大于-55dB,在1.51GHz到2.52GHz处隔离度小于-12dB,达到了双工器设计指标要求和小型化的目的。     

基于滤波器综合分析法的118 GHz单刀二掷开关（英文）

采用滤波器综合分析方法,基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管,根据其等效寄生参数,综合出单刀二掷开关集总参数滤波器模型,以此分析其等效分布参数电路,设计出了118GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片,开关电路尺寸6×2.5×0.1mm~3.通过开关模块封装用波导-微带过渡和键合金带插损的分析研究,研制出了低插损的118GHz开关模块,在110~120GHz,测得开关插损小于3.0dB,插损典型值2.6dB;开关隔离度大于22dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18ns、20ns、10ns、18ns,该准单片作为通道切换开关可集成应用于118GHz收发组件中.     

附加传输零点的层叠式LTCC带通滤波器设计

利用Ansoft Designer和Ansoft Hfss软件,协同设计带有两个传输零点的LTCC层叠式带通滤波器.滤波器采用集总电容C和集总电感L实现,其尺寸20 mm×8 mm×1.2 mm.通过在各谐振单元之间引入耦合,滤波器在阻带低端和高端共产生两个传输零点,从而有效提高了滤波器带外衰减特性.实际测试表明滤波器通频带内插损小于2 dB,回波损耗大于20 dB,测试结果与仿真结果有很好的吻合.     

毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片

采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.     

毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片

采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.     

新型小型化平衡滤波器的设计

结合平衡滤波器性能与LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)工艺,从滤波器和巴伦的设计理论出发,设计了一款新型小型化的高性能平衡滤波器。该平衡滤波器采用多层带状线结构作为基本的谐振单元同时实现滤波和巴伦功能。仿真结果表明,该平衡滤波器的通带中心频率为4.05 GHz,3 dB带宽为300 MHz,通带3.9~4.2 GHz内插损小于5.5 dB,低阻带1.0~3.5 GHz和高阻带5~8 GHz的衰减均大于30 dB,幅度不平衡度小于±0.25 dB,相位不平衡度小于±6°,平衡滤波器尺寸为3.2 mm×2.5 mm×1.5 mm。     

96 MHz锥形叉指宽带声表面波滤波器

介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1dB带宽4.8MHz,15dB抑制小于6.4MHz,插入衰耗约12dB,封装为SMD(13.3mm×6.5mm)。     

LTCC抗EMI滤波器研制

采用低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramics,LTCC)集成技术研制出小型的抗电磁干扰(EMI)滤波器,同时通过在滤波器带外引进一传输零点,增加了滤波器的带外陡度。结果表明:该滤波器的截止频率为84 MHz(3dB),带外抑制≥30 dB(250~2 500 MHz),达到设计要求。其外形尺寸为2.00 mm×1.25 mm×0.80 mm,远小于传统的同类型滤波器。     

一种基于LTCC的高性能超宽带带通滤波器

提出了一种基于LTCC技术的高性能超宽带带通滤波器的实现方法。该滤波器电路采用交织结构,同时只采用了4个谐振级,有效降低了通带内插入损耗,增大了滤波器带宽。借助电路仿真以及电磁场三维仿真软件进行电路优化,实际测试结果与仿真结果吻合较好,中心频率为1 080 MHz,带宽为500 MHz,在通带内插入损耗优于1.6 dB。由于该滤波器频率较低,属于UHF波段,波长较长,采用半集总半分布式结构实现了滤波器的小型化,封装尺寸仅为3.4 mm×4.8 mm×1.5 mm。     

C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证

介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5 800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。     

一种小型化腔体带阻滤波器的设计

腔体滤波器由于具有结构牢固,性能稳定可靠,散热性好,品质因数(Q)高,损耗小及功率容量高等特点,使其在各类微波系统中得到广泛运用.为了使某腔体带阻滤波器小型化,在保证阻带带宽大于200 MHz和阻带抑制大于30 dB的情况下,通过优化谐振腔的电容加载结构及优化谐振腔的排列方式,将滤波器的高度降低了50％,长度减小了17...     

基于SIW结构的毫米波MEMS滤波器设计

针对5G毫米波无线通信的发展需求,采用硅基单层基片集成波导(SIW)结构设计了一款毫米波滤波器。首先通过理论分析,计算得到滤波器的结构参数。然后使用电磁仿真软件HFSS 对滤波器结构进行仿真与优化,使其满足设计指标要求。设计得到了一个五阶毫米波滤波器,其通带范围24.25~27.5 GHz,相对带宽12.56%,中心频率处插入损耗小于1 dB,带内回波损耗优于-16 dB。最后,使用MEMS工艺将该滤波器加工成实物并进行性能测试,得到尺寸为9.45 mm×4.8 mm×0.4 mm 的滤波器芯片,达到小型化要求。测试结果表明,MEMS毫米波滤波器的仿真结果与测试结果基本保持一致。     

基于氮化铝技术的表贴型微波封装

采用氮化铝多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内,该表贴互连反射损耗小于-15dB,插入损耗小于1.0dB。采用该技术封装了6～18GHz宽带放大器,封装尺寸为5mm×5mm×1.2mm,频带内反射损耗小于-10dB,增益15dB,平坦度小于1dB;另外还封装C波段5W功率放大器,封装尺寸为8mm×8mm×1.2mm,带内增益大于25dB,反射损耗小于-10dB,饱和输出功率37dBm,效率35%。采用技术的表面贴装放大器性能上能够满足微波通信、雷达应用,可用回流焊安装,适合规模生产。     

层叠式LTCC低通滤波器设计

给出带有衰减极点的层叠式LTCC低通滤波器的结构模型。滤波器外形尺寸为2.0mm×1.2mm×0.9mm,采用εr=7.8、tanδ=0.0047微波陶瓷介质材料,设计出的截止频率?c=300MHz的低通滤波器,通带最大插入损耗为0.8dB,通过引入一个衰减极点,提高阻带的衰减性能,同时获得陡峭的过渡带。     

一种过孔和枝节加载的带通滤波器设计

为实现射频电路小型化,提出采用具有通带特性的过孔为主体结构、加载开路枝节以及短路枝节谐振器的设计方法,实现一种新型带通滤波器。在仿真优化的基础上进行实物加工测试,实物体积为40mm×20mm×0.9mm,实测结果表明,该滤波器的工作频带为1.36～2.83 GHz,相对带宽70.2%,通带内插入损耗小于1.5 dB,带内回波损耗小于-15dB,带外最大抑制小于-40dB,实测结果和仿真结果吻合良好。